ETUDE D'UN DISPOSITIF GUIDE D'ONDE EN SEMI CONDUCTEUR III-V POUR LA COMMUTATION OPTIQUE. COUPLAGE DE DEUX DISPOSITIFS POUR FONCTIONNER EN BISTABLE SYMETRIQUE PDF Download
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Author: NATHALIE.. MORESMAU LALOUETTE
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Languages : fr
Pages : 278
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Book Description
CETTE THESE PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DE COMMUTATEURS AYANT UN FONCTIONNEMENT TOUT OPTIQUE. CES DISPOSITIFS COMPOSES D'UN GUIDE D'ONDE NON LINEAIRE EN INGAASP SUR UN SUBSTRAT EN INP, ET D'UN RESEAU DE DIFFRACTION POUR COUPLER LA LUMIERE DANS LE GUIDE SONT ETUDIES EN TRANSMISSION, LE SUBSTRAT ETANT TRANSPARENT A LA LONGUEUR D'ONDE DE FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF. L'ETUDE THEORIQUE PORTE EGALEMENT SUR: LE COUPLAGE DE DEUX COMMUTATEURS, REALISES SUR LE MEME SUBSTRAT, PAR LEURS FAISCEAUX TRANSMIS RESPECTIFS, AFIN D'OBTENIR UN DISPOSITIF FONCTIONNANT EN BISTABLE SYMETRIQUE, LA COMPARAISON DES STABILITES THERMIQUES RELATIVES DU COMMUTATEUR ISOLE ET DU BISTABLE. APRES QUELQUES RAPPELS THEORIQUES SUR LES GUIDES D'ONDES ET LEUR FONCTIONNEMENT LORSQU'ILS SONT UTILISES EN COMMUTATEUR OU EN BISTABLE SYMETRIQUE, NOUS AVONS PRECISE LES CRITERES D'OPTIMISATION DES STRUCTURES UTILISEES EN COMMUTATEUR ET DE LEURS CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT. NOUS DECRIVONS ENSUITE LE PROCEDE TECHNOLOGIQUE UTILISE POUR REALISER A LA SURFACE DES ECHANTILLONS UN RESEAU DE PAS SUBMICRONIQUE PAR LITHOGRAPHIE HOLOGRAPHIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE. AFIN D'OPTIMISER LE COUPLEUR D'UNE STRUCTURE GUIDANTE DONNEE, LA NECESSAIRE DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DES DIFFERENTES COUCHES CONSTITUTIVES A ETE REALISEE A PARTIR DE MESURES EN TRANSMISSION EN REGIME LINEAIRE ET, A CETTE OCCASION, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE DE MESURE DIRECTE D'INDICE DU SUBSTRAT ET DE DETERMINATION DE L'INDICE DE LA COUCHE GUIDANTE IN SITU AU VOISINAGE DE SON BORD DE BANDE D'ABSORPTION. LES MESURES EFFECTUEES EN REGIME LINEAIRE ET NON LINEAIRE ONT PERMIS DE DETERMINER LES COEFFICIENTS NON LINEAIRES DE LA COUCHE GUIDANTE: VARIATIONS DE L'INDICE AVEC LA TEMPERATURE ET AVEC L'INTENSITE ABSORBEE AU VOISINAGE DU BORD DE LA BANDE D'ABSORPTION DE INGAASP, ET LA PUISSANCE SEUIL DE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATEUR. ELLES ONT EGALEMENT MONTRE QUE LE COMMUTATEUR REALISE OFFRAIT UNE STABILITE THERMIQUE DE PLUSIEURS MILLISECONDES. ENFIN, L'ETUDE THEORIQUE A MONTRE QU'UN SYSTEME BISTABLE MONOLITHIQUE ETAIT PLUS STABLE THERMIQUEMENT QUE CHACUN DE SES ELEMENTS CONSTITUTIFS
Author: NATHALIE.. MORESMAU LALOUETTE
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Pages : 278
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CETTE THESE PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DE COMMUTATEURS AYANT UN FONCTIONNEMENT TOUT OPTIQUE. CES DISPOSITIFS COMPOSES D'UN GUIDE D'ONDE NON LINEAIRE EN INGAASP SUR UN SUBSTRAT EN INP, ET D'UN RESEAU DE DIFFRACTION POUR COUPLER LA LUMIERE DANS LE GUIDE SONT ETUDIES EN TRANSMISSION, LE SUBSTRAT ETANT TRANSPARENT A LA LONGUEUR D'ONDE DE FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF. L'ETUDE THEORIQUE PORTE EGALEMENT SUR: LE COUPLAGE DE DEUX COMMUTATEURS, REALISES SUR LE MEME SUBSTRAT, PAR LEURS FAISCEAUX TRANSMIS RESPECTIFS, AFIN D'OBTENIR UN DISPOSITIF FONCTIONNANT EN BISTABLE SYMETRIQUE, LA COMPARAISON DES STABILITES THERMIQUES RELATIVES DU COMMUTATEUR ISOLE ET DU BISTABLE. APRES QUELQUES RAPPELS THEORIQUES SUR LES GUIDES D'ONDES ET LEUR FONCTIONNEMENT LORSQU'ILS SONT UTILISES EN COMMUTATEUR OU EN BISTABLE SYMETRIQUE, NOUS AVONS PRECISE LES CRITERES D'OPTIMISATION DES STRUCTURES UTILISEES EN COMMUTATEUR ET DE LEURS CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT. NOUS DECRIVONS ENSUITE LE PROCEDE TECHNOLOGIQUE UTILISE POUR REALISER A LA SURFACE DES ECHANTILLONS UN RESEAU DE PAS SUBMICRONIQUE PAR LITHOGRAPHIE HOLOGRAPHIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE. AFIN D'OPTIMISER LE COUPLEUR D'UNE STRUCTURE GUIDANTE DONNEE, LA NECESSAIRE DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DES DIFFERENTES COUCHES CONSTITUTIVES A ETE REALISEE A PARTIR DE MESURES EN TRANSMISSION EN REGIME LINEAIRE ET, A CETTE OCCASION, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE DE MESURE DIRECTE D'INDICE DU SUBSTRAT ET DE DETERMINATION DE L'INDICE DE LA COUCHE GUIDANTE IN SITU AU VOISINAGE DE SON BORD DE BANDE D'ABSORPTION. LES MESURES EFFECTUEES EN REGIME LINEAIRE ET NON LINEAIRE ONT PERMIS DE DETERMINER LES COEFFICIENTS NON LINEAIRES DE LA COUCHE GUIDANTE: VARIATIONS DE L'INDICE AVEC LA TEMPERATURE ET AVEC L'INTENSITE ABSORBEE AU VOISINAGE DU BORD DE LA BANDE D'ABSORPTION DE INGAASP, ET LA PUISSANCE SEUIL DE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATEUR. ELLES ONT EGALEMENT MONTRE QUE LE COMMUTATEUR REALISE OFFRAIT UNE STABILITE THERMIQUE DE PLUSIEURS MILLISECONDES. ENFIN, L'ETUDE THEORIQUE A MONTRE QU'UN SYSTEME BISTABLE MONOLITHIQUE ETAIT PLUS STABLE THERMIQUEMENT QUE CHACUN DE SES ELEMENTS CONSTITUTIFS
Author: FLORENT.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 192
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE PORTE SUR LA REALISATION ET LA MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DE COMMUTATEURS TOUT OPTIQUES. ON A ETUDIE DEUX EXEMPLES DE COMMUTATEUR FORME D'UN GUIDE D'ONDE NON LINEAIRE EN SEMICONDUCTEUR III-V MUNI D'UN COUPLEUR A RESEAU DE DIFFRACTION : L'UN AVEC COUCHE GUIDANTE EN GAAS SUR MIROIR DE BRAGG GAAS/ALAS ET SUBSTRAT GAAS (FONCTIONNEMENT EN REFLEXION), L'AUTRE AVEC GUIDE EN GAINASP SUR SUBSTRAT INP (FONCTIONNEMENT EN TRANSMISSION). LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES RESEAUX DE PAS SUBMICRONIQUE EST DECRITE : INSOLATION HOLOGRAPHIQUE SUIVIE DE GRAVURES IONIQUE POUR GAAS ET CHIMIQUE POUR INP. L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS A NECESSITE L'UTILISATION CONJOINTE DE MODELISATIONS ET DE RESULTATS DE MESURES EN REGIME LINEAIRE (SPECTRES DE REFLEXION ET/OU TRANSMISSION DES STRUCTURES MULTICOUCHES AVANT ET APRES GRAVURE DES RESEAUX), DE MANIERE A DETERMINER DE MANIERE PRECISE : - LES CARACTERISTIQUES GEOMETRIQUES DES COUCHES ET DES COUPLEURS ; - LES PARTIES REELLES ET IMAGINAIRES DES INDICES DE REFRACTION DES MATERIAUX, NOTAMMENT EN BORD DE BANDE D'ABSORPTION, AINSI QUE LEUR VARIATION AVEC LA TEMPERATURE. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF EN GAAS EN REGIME NON LINEAIRE IMPULSIONNEL A MONTRE, MALGRE L'APPARITION D'EFFETS THERMIQUES PREMATURES, L'EXISTENCE DE NON LINEARITES D'ORIGINE ELECTRONIQUE DANS LES PREMIERES 50 NS. ON A ELABORE UN MODELE SIMPLIFIE : CELUI D'UN RESONATEUR REMPLI D'UN MATERIAU NON LINEAIRE DONT L'INDICE DE REFRACTION DEPEND DE LA DENSITE DE PORTEURS ET DE LA TEMPERATURE. IL PERMET DE RENDRE COMPTE QUALITATIVEMENT DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE MONTRER QU'ON PEUT S'ATTENDRE A DES COMMUTATIONS CONTRASTEES ET RAPIDES POUR DES DUREES D'IMPULSIONS DE L'ORDRE DE 30 NS. L'OBTENTION DE COMMUTATEURS TOUT OPTIQUE EN GAAS AVEC COUPLEUR A RESEAU ET AYANT DES PERFORMANCES SATISFAISANTES EST DONC ENVISAGEABLE.
Author: Naïma Saadsaoud
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Languages : fr
Pages : 168
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Cette thèse comporte quatre chapitres, qui correspondent aux quatre projets que nous avons menés de façon aussi approfondie que possible, en mettant en œuvre chaque fois une technologie de type guide d’onde, chacun de ces dispositifs ayant ensuite été caractérisés aussi complètement que possible. Les quatre type d’objets nouveaux que nous avons réalises et caractérisés sont : des guides d’ondes actifs de la filière InP à contact Schottky pour la commutation optique, des guides d’onde à base d’une double hétérostructure GaAsSbN/GaAs pour le guidage optique à la longueur d’onde 1,55 μm et la commutation, des photodiodes de puissance InP constituées d’un guide d’onde multimode dilué couplé monolithiquement de façon évanescente à une photodiode PIN dérivée de la photodiode UTC, des photodiodes PIN-guide sur GaAs pour la photodétection à la longueur d’onde 1,3 μm. Pour chacun de ces chapitres, nous analysons successivement, nos motivations, la structure des dispositifs, la technologie et les résultats expérimentaux.
Author: Fabien Mandorlo
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Languages : fr
Pages : 189
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Afin de poursuivre la croissance imposée par la loi de Moore, les circuits numériques deviennent de plus en plus parallèles, avec un nombre important d’unités de calcul distinctes. L’utilisation de l’optique peut s’avérer intéressante pour leur assurer une bande passante élevée. Au contraire, les liens traditionnels (électriques) commencent à montrer leurs limites en terme de consommation par unité d’information échangée. Dans un tel contexte, il est alors nécessaire de développer des interconnexions optiques dont les procédés de fabrication restent compatibles avec le standard CMOS. Si le transport de la lumière est aisé à obtenir au voisinage de 1.55 μm avec le couple Silicium/Silice, l’obtention de sources LASER est nettement plus difficile puisque le silicium (gap indirect) ne permet pas de réaliser le gain optique requis. Une solution consiste alors à reporter par collage moléculaire des vignettes de composés à base de semi-conducteurs III-V.Dans cette thèse, nous nous intéresserons uniquement à une source bien particulière, basée sur les modes de galerie (WGM) dans les résonateurs à symétrie circulaire, de quelques micromètres de rayon. Nous verrons comment tirer profit des éléments a priori perturbateurs que sont les contacts électriques (absorbants) de sorte à diminuer le seuil LASER. La mise en place d’un modèle semianalytique permet d’obtenir un dimensionnement ultra-rapide de la source monolithique obtenue, en optimisant la géométrie et la position des électrodes de contact. La collection de la lumière dans un guide par couplage évanescent donne lieu à de complexes interactions. Là encore, une modélisation à partir de la théorie des modes couplés a permis d’en comprendre les rouages, et d’en tirer profit. Le guide lui-même peut alors servir à favoriser une seule et unique longueur d’onde d’émission. Avec des éléments actifs situés à proximité de ces guides, on peut même obtenir une source ultra-compacte et modulable dont on contrôle la longueur d’onde d’émission par un élément extérieur au LASER. La dernière partie de cette thèse fournit des résultats expérimentaux, obtenus avec une chaine "pilote" sur des wafers 200 mm (CEA LETI) en se limitant à des procédés CMOS. On démontre donc la faisabilité des sources proposées dans les chapitres précédents ainsi que la possibilité de les intégrer un lien optique complet (source, routage et détection).
Author: ANDRE.. NIEPCERON
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LE DISPOSITIF ETUDIE CONSISTE EN UN GUIDE D'ONDE OPTIQUE EN SILICIUM EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT DE SAPHIR. UN RESEAU GRAVE A LA SURFACE DU SILICIUM ASSURE LE COUPLAGE DANS LE GUIDE D'UNE ONDE INCIDENTE DONT LA LONGUEUR D'ONDE CORRESPOND AU SEUIL D'ABSORPTION DU SILICIUM, ET QUI PEUT DONC FAIRE APPARAITRE DES NON-LINEARITES OPTIQUES IMPORTANTES. LA DYNAMIQUE DES PHENOMENES OBSERVES RESULTE DE LA COMPETITION ENTRE LA VARIATION DE L'INDICE DE REFRACTION DU SILICIUM ASSOCIEE A LA PHOTOCREATION DE PORTEURS ET CELLE DUE A L'ECHAUFFEMENT DU MATERIAU LORS DE LA RECOMBINAISON DE CES PORTEURS. APRES UN RAPPEL SUR LES GUIDES D'ONDE PLANS ET SUR L'EXCITATION DES MODES D'UN GUIDE OPTIQUE GRACE A UN COUPLEUR A RESEAU, NOUS EXAMINONS L'EFFICACITE DE COUPLAGE ET L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DU DISPOSITIF EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES: OUTRE LES PARAMETRES GEOMETRIQUES (PAS ET PROFONDEUR DE MODULATION DU RESEAU, EPAISSEUR DU FILM), LA DUREE DE VIE DES PORTEURS JOUE UN ROLE CONSIDERABLE DANS LA DYNAMIQUE DU DISPOSITIF EN FONCTIONNEMENT IMPULSIONNEL. SON AMELIORATION PERMET D'OBSERVER DEUX COMMUTATIONS (DONT UNE AU MOINS SUB-NANOSECONDE) SUR LES FAISCEAUX DE SORTIE AU COURS D'UNE IMPULSION INCIDENTE DE 20 NS DE DUREE. LE DISPOSITIF PEUT DONC AVOIR UN COMPORTEMENT BISTABLE DYNAMIQUE EN ACCORD AVEC LES SIMULATIONS NUMERIQUES. LES CONDITIONS D'EXCITATION D'UNE ONDE DANS LE GUIDE ET LEUR INFLUENCE SUR L'EVOLUTION TEMPORELLE DES INTENSITES GUIDEE, TRANSMISE ET REFLECHIE PAR LE DISPOSITIF SONT ETUDIEES. EN VUE D'UTILISER CES DISPOSITIFS EN PORTES LOGIQUES, ON A EXAMINE COMMENT VARIENT SPATIALEMENT LES DIVERSES INTENSITES DE SORTIE SUR L'ETENDUE DE LA ZONE ECLAIREE. CETTE ETUDE PERMET DE DETERMINER LA ZONE OU LE SIGNAL DE SORTIE EST LE PLUS EXPLOITABLE
Author: Laurence Thery
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Languages : fr
Pages : 546
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LA THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA MODULATION DE PHASE DANS LE SYSTEME DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III-V INP/GAINASP, POUR DES APPLICATIONS EN OPTIQUE INTEGREE, EN PARTICULIER POUR LA COMMUTATION OPTIQUE. LA MODULATION DE LA PHASE D'UNE ONDE SE PROPAGEANT DANS UN GUIDE SEMICONDUCTEUR RESULTE DE LA MODIFICATION DES CONDITIONS DE PROPAGATION DUE A LA VARIATION D'INDICE DE REFRACTION, QUI PEUT ETRE OBTENUE DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V PAR L'APPLICATION D'UN CHAMP ELECTRIQUE OU PAR VARIATION DU NOMBRE DE PORTEURS (ELECTRONS OU TROUS) LIBRES. LE BUT EST D'EXPLOITER AU MIEUX TOUS CES EFFETS POUR OBTENIR UNE BONNE EFFICACITE DE MODULATION DE PHASE, TOUT EN GARDANT UN NIVEAU DE PERTES OPTIQUES FAIBLES, AUTANT DANS LES PARTIES DE GUIDAGE PASSIF, NECESSAIRES A L'INTERCONNEXION DES DISPOSITIFS, QUE DANS LES ZONES ACTIVES DE MODULATION. NOUS MODELISONS DANS UN PREMIER TEMPS LES EFFETS ELECTROOPTIQUES ET DE PORTEURS, DONNANT LIEU UNE VARIATION D'INDICE ET CALCULONS LE COEFFICIENT D'ABSORPTION AUTOUR DE 1,55 M, LA LONGUEUR D'ONDE DES TELECOMMUNICATIONS LONGUES DISTANCES. LES EFFETS POCKELS, KERR ET PLASMA ETANT BIEN CONNUS, NOUS ETUDIONS EN DETAIL L'INFLUENCE DES PORTEURS LIBRES SUR LE BORD D'ABSORPTION FONDAMENTALE ET DONNONS LES LIMITES DE L'APPROCHE THEORIQUE. NOUS COMPLETONS LA MODELISATION PAR UNE SERIE DE MESURES DE LA MODULATION DE PHASE EN FONCTION DE LA LONGUEUR D'ONDE, LA POLARISATION ET L'ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE, CE QUI PERMET DE DETERMINER L'AMPLITUDE DE CHACUN DES EFFETS ET DE COMPARER LA THEORIE A L'EXPERIENCE. NOUS EXPLOITONS ENFIN LE MODELE RESULTANT DE CETTE CONFRONTATION, POUR DEFINIR DES STRUCTURES OPTIMISEES DE MODULATEUR DE PHASE DEDIES A LA COMMUTATION OPTIQUE, EN FONCTION DE SPECIFICATIONS PROPRES A L'OPTIQUE INTEGREE
Author: Michel Carton
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Languages : fr
Pages : 246
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Cette thèse présente l’étude et la réalisation d’un commutateur optoélectronique à seuil de puissance qui permet d'obtenir sous l'effet d'un faisceau lumineux impulsionnel des commutations électriques plus franches et mieux définies dans le temps qu'avec un commutateur optoélectronique classique. Le fonctionnement de ce dispositif est basé sur l’excitation optique (à 1.064 micron) en régime non linéaire, à l'aide d'un réseau, d'un mode guidé dans un film de silicium épitaxié sur un substrat de saphir.On décrit le principe de fonctionnement des commutateurs optoélectroniques classiques et les avantages du présent commutateur. On présente les propriétés du silicium sur saphir, notamment les origines de non-linéarité optique de ce matériau.On fait une étude théorique des guides d'ondes optiques plans présentant une faible absorption et des guides pour lesquels le couplage est réalisé par un prisme ou un réseau. Cette étude permet de définir les conditions d'excitation d'un mode guidé.On décrit la réalisation du commutateur que l'on cherche à mettre au point : gravure d'un réseau diffraction de pas submicronique (0,33 micron) à la surface du silicium, traitement pour augmenter la durée de vie des porteurs, dépôt des électrodes, mais aussi les étapes de contrôle : mesures de l’épaisseur des couches minces par ellipsométrie, mesures de durée de vie des porteurs libres dans les échantillons, observation au microscope électronique des profils des réseaux.L'étude expérimentale du commutateur a été réalisée sur le mode guidé TEo.En régime linéaire, on détermine les caractéristiques électriques et optiques du dispositif ; l’étude est ensuite poursuivie en régime non-linéaire avec des impulsions lumineuses de 20 ns de durée, issues d'un laser déclenché Nd : YAG, qui ont permis de produire des commutations montante et descendante sur le signal électrique.Ces commutations montrent la possibilité de mieux définir le front montant électrique issu d’un commutateur optoélectronique.
Author: HERVE.. SAUER
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CETTE THESE PRESENTE L'ETUDE THEORIQUE DU FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE DE DISPOSITIFS POUR LA COMMUTATION OPTIQUE DANS LE DOMAINE DES IMPULSIONS DE QUELQUES NANOSECONDES A QUELQUES MICROSECONDES. CES DISPOSITIFS CONSISTENT EN UN GUIDE D'ONDE NON LINEAIRE EN SILICIUM SUR SAPHIR AVEC UN COUPLEUR A RESEAU DE DIFFRACTION. APRES QUELQUES RAPPELS THEORIQUES SUR L'OPTIQUE NON LINEAIRE ET SUR LA BISTABILITE OPTIQUE VIA L'EXEMPLE DU FABRY-PEROT NON LINEAIRE, LA STRUCTURE DETAILLEE DES DISPOSITIFS EST PRESENTEE. UNE THEORIE SIMPLIFIEE DE LEUR FONCTIONNEMENT QUASISTATIQUE INTRODUIT LES CONCEPTS DE BASE POUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES PHYSIQUES SE PRODUISANT DANS LA STRUCTURE. UNE METHODE MATRICIELLE DE CALCUL DE LAPROPAGATION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES DANS UN MILIEU STRATIFIE COMPORTANT UNE INTERFACE FAIBLEMENT MODULEE EST DEVELOPPEE AFIN DE DETERMINER LES PROPRIETES OPTIQUES DES DISPOSITIONS EN REGIME LINEAIRE. PUIS LES ORIGINES DES NON-LINEARITES DU SILICIUM (PRINCIPALAMENT ELECTRONIQUE ET THERMIQUE) SONT ETABLIES, AUTORISANT AINSI L'ETUDE DE LEUR DYNAMIQUE ET L'EVALUQTION QUANTITATIVE DE LEUR IMPORTANCE. POUR MENER A BIEN CE TRAVAIL, UNE METHODE ORIGINALE DE CALCUL DE LA DIFFUSION SPATIO-TEMPORELLE DE LA CHALEUR DANS UN MILIEU STRATIFIE A ETE MISE AU POINT. LA SYNTHESE DES ETUDES PRECEDENTES PERMET ALORS DE DISPOSER D'UNE MODELISATION APPROCHEE DU FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE GLOBAL DES DISPOSITIFS. LES SIMULATIONS DU FONCTIONNEMENT DES DISPOSITIFS, ISSUES DE LA PRECEDENTE MODELISATION, ET PAR AILLEURS EN BON ACCORD AVEC LES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES, METTENT EN EVIDENCE LE ROLE FONDAMENTAL DE LA COMPETITION ENTRE LES NON-LINEARITES D'ORIGINES THERMIQUE ET ELECTRONIQUE QUI ONT DES EFFETS ANTAGONISTES; ELLES PERMETTENT D'EXPLIQUER L'EXISTENCE DE COMMUTATIONS (SUB-)NANOSECONDES SUR LES INTENSITES LUMINEUSES REFLECHIE OU TRANSMISE PAR LES DISPOSITIFS, ET DE COMPARER LES COMPORTEMENTS OBSERVES AVEC UN FONCT
Author: Hatem Chelli
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Languages : fr
Pages : 178
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DISPOSITIF BASE SUR L'EXISTENCE D'EFFETS NON LINEAIRES LORS DE LA PROPAGATION D'UN GUIDE MINCE ENTRE DEUX MILIEUX SEMI-INFINIS. ETUDE EXPERIMENTALE EN REGIME LINEAIRE ET NON LINEAIRE DES MODES GUIDES PAR UNE STRUCTURE DONT LE FILM EST NON LINEAIRE ET CONSTITUE DE SILICIUM EPITAXE SUR SAPHIR
Author: DOMINIQUE.. DELACOURT
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Languages : fr
Pages : 388
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ETUDE THEORIQUE DES PROBLEMES POSES PAR LE GUIDAGE OPTIQUE DANS DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS TELS QUE LES COMPOSES DU GROUPE III-V ET MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DU MODULATEUR DE PHASE. RESULTATS EXPERIMENTAUX DES PERTES DE PROPAGATION
