JONCTION METAL FERROMAGNETIQUE/SEMI-CONDUCTEUR PDF Download
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Author: ANTOINE.. FILIPE
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Languages : fr
Pages : 138
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L'OBJET DE CE TRAVAIL EST D'EXPLORER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES CONTACTS METALLIQUES FERROMAGNETIQUES SUR SEMI-CONDUCTEURS. DES EXPERIENCES SONT PRESENTEES SUR LE SYSTEME MODELE FE/GAAS ELABORE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. L'ETUDE DE LA PERTE D'AIMANTATION DE FE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE MET EN EVIDENCE LA FORMATION D'UNE COUCHE INTERFACIALE DE REACTION. ELLE A UNE AIMANTATION EGALE A 50% DE CELLE DU FER ET ELLE EST COMPOSEE D'UN MELANGE DE FE#3GA#2#-#XAS#X ET DE FE#2AS. L'EPAISSEUR DE CETTE COUCHE EST DETERMINEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE DEPOT. NOUS MONTRONS QUE CETTE INTERDIFFUSION PEUT ETRE INHIBEE PAR UNE OXYDATION PREALABLE SOUS OZONE DE GAAS. EN ILLUMINANT UNE DIODE SCHOTTKY FE/GAAS PAR DE LA LUMIERE POLARISEE, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE EN SPIN DU PHOTOCOURANT. A PARTIR DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, NOUS DEVELOPPONS UNE MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS CES STRUCTURES UTILISANT LES VITESSES DE RECOMBINAISON ET DE TRANSFERT A L'INTERFACE. NOUS PRESENTONS UN SYSTEME QUI PERMET DE CONTROLER CES PARAMETRES. EN EMPLOYANT COMME SOURCE D'ELECTRONS UNE PHOTOCATHODE DE GAAS, NOUS ETUDIONS L'INJECTION SOUS ULTRAVIDE D'ELECTRONS POLARISES DE SPIN DANS UNE STRUCTURE METAL FERROMAGNETIQUE/SEMI-CONDUCTEUR. LA DEPENDANCE EN SPIN DU COURANT TRANSMIS A TRAVERS LA COUCHE METALLIQUE EST DE L'ORDRE DE 24%. UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE DILUTION DE LA POLARISATION PAR COLLISION INELASTIQUE DANS LA COUCHE DE COUVERTURE NON MAGNETIQUE EXPLIQUE BIEN LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. IL PERMET DE DEDUIRE LA DEPENDANCE EN SPIN DU LIBRE PARCOURS MOYEN DANS FE.
Author: ANTOINE.. FILIPE
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Languages : fr
Pages : 138
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L'OBJET DE CE TRAVAIL EST D'EXPLORER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES CONTACTS METALLIQUES FERROMAGNETIQUES SUR SEMI-CONDUCTEURS. DES EXPERIENCES SONT PRESENTEES SUR LE SYSTEME MODELE FE/GAAS ELABORE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. L'ETUDE DE LA PERTE D'AIMANTATION DE FE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE MET EN EVIDENCE LA FORMATION D'UNE COUCHE INTERFACIALE DE REACTION. ELLE A UNE AIMANTATION EGALE A 50% DE CELLE DU FER ET ELLE EST COMPOSEE D'UN MELANGE DE FE#3GA#2#-#XAS#X ET DE FE#2AS. L'EPAISSEUR DE CETTE COUCHE EST DETERMINEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE DEPOT. NOUS MONTRONS QUE CETTE INTERDIFFUSION PEUT ETRE INHIBEE PAR UNE OXYDATION PREALABLE SOUS OZONE DE GAAS. EN ILLUMINANT UNE DIODE SCHOTTKY FE/GAAS PAR DE LA LUMIERE POLARISEE, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE EN SPIN DU PHOTOCOURANT. A PARTIR DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, NOUS DEVELOPPONS UNE MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS CES STRUCTURES UTILISANT LES VITESSES DE RECOMBINAISON ET DE TRANSFERT A L'INTERFACE. NOUS PRESENTONS UN SYSTEME QUI PERMET DE CONTROLER CES PARAMETRES. EN EMPLOYANT COMME SOURCE D'ELECTRONS UNE PHOTOCATHODE DE GAAS, NOUS ETUDIONS L'INJECTION SOUS ULTRAVIDE D'ELECTRONS POLARISES DE SPIN DANS UNE STRUCTURE METAL FERROMAGNETIQUE/SEMI-CONDUCTEUR. LA DEPENDANCE EN SPIN DU COURANT TRANSMIS A TRAVERS LA COUCHE METALLIQUE EST DE L'ORDRE DE 24%. UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE DILUTION DE LA POLARISATION PAR COLLISION INELASTIQUE DANS LA COUCHE DE COUVERTURE NON MAGNETIQUE EXPLIQUE BIEN LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. IL PERMET DE DEDUIRE LA DEPENDANCE EN SPIN DU LIBRE PARCOURS MOYEN DANS FE.
Author: Julien Bernos
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail porte sur la précession du spin d'électrons chauds polarisés en spin. Celle-ci est induite par le champ d'échange d'une couche mince ferromagnétique dans une structure multicouche lors de sa traversée. Deux approches ont été testées. La première nécessite des jonctions tunnel magnétiques (JTM) doubles à forte magnéto-résistance tunnel (TMR). Nous avons obtenu des JTM CoFeB/MgO/CoFeB à aimantations planaires avec 140 % de TMR. Une étude du transport tunnel dans ces systèmes a mis en évidence l'impact du désordre structurel des interfaces électrode/barrière sur le transport des électrons. Un travail sur les couches minces d'alliages de TbCo a permis d'élaborer des JTM (i) à anisotropies magnétiques perpendiculaires au plan de la couche et (ii) à anisotropies croisées. Toutes deux présentent une TMR de l?ordre de 60 %. Dans les cas des jonctions à aimantations perpendiculaires, cette TMR est limitée par la non-continuité de la couche de CoFeB supérieure. La seconde approche nécessite d'élaborer des multicouches magnétiques (filtre à spin, vannes de spin) sur des jonctions métal/oxyde/semi-conducteur, en vue de mesures de transmission d'électrons chauds. La méthode de dépôt mise au point a permis d'élaborer des structures combinant les propriétés magnétiques, structurelles et électriques nécessaires pour l'étude. Des mesures préliminaires ont mis en évidence un effet de filtre à spin sur une jonction n-Si/MgO/Co.
Author: Laure Carbonell
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Languages : fr
Pages : 434
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Author: Nicolas Tournerie
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Languages : fr
Pages : 214
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L'intégration d'hétérostructures magnétiques dans les dispositifs électroniques a permis de tirer profit du spin de l'électron pour aboutir à des progrès importants dans le domaine du stockage magnétique d'information. L'association de ces structures et des semiconducteurs constitue une perspective prometteuse en termes d'applications. Le principal prérequis à cette intégration est la maîtrise du transfert d'électrons polarisés en spin entre métal ferromagnétique et semiconducteur, fortement conditionné par les interfaces entre ces matériaux. Cette étude porte sur les propriétés de l'interface Fe/Al0,48In0,52As(001). Elle s'attache à analyser les caractéristiques structurales, magnétiques et électroniques en lien avec le transport d'électrons polarisés en spin. Les caractérisations de jonctions métal-barrière tunnel-semiconducteur ont permis de mettre en évidence l'influence déterminante de la physico-chimie d'interface sur le magnétisme et le transport électronique dans ces structures.
Author: Pierre De person
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Languages : fr
Pages : 0
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Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte anisotropie permettant de stabiliser l'information magnétique. Dans le cas des jonctions tunnel magnétiques, une singularisation des propriétés magnétiques de chacune des électrodes a été mise en évidence. Des caractérisations structurales du système en cours de croissance ont permis de relier ce phénomène aux contraintes épitaxiales des films minces. De façon apparemment surprenante, le découplage magnétique du dispositif n'est pas assuré dans le cas général, la forte aimantation des électrodes étant à l'origine d'un champ de fuite très important lors des renversements d'aimantation. Nous avons mis en évidence (expérimentalement et analytiquement) un effet d'épaisseur des couches influant sur le comportement magnétique général du système. Des mesures de dynamique de renversement d'aimantation ont souligné le rôle prépondérant du piégeage des parois de domaine lors des renversements d'aimantation. Les systèmes hybrides FePt/MgO/GaAs ont été élaborés en tout-épitaxie en combinant différents bâtis de dépôt. Nous avons montré la faisabilité d'un système présentant de très bonnes propriétés structurales et magnétiques.
Author: Pierre De person
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Pages : 177
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Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte anisotropie permettant de stabiliser l'information magnétique. Dans le cas des jonctions tunnel magnétiques, une singularisation des propriétés magnétiques de chacune des électrodes a été mise en évidence. Des caractérisations structurales du système en cours de croissance ont permis de relier ce phénomène aux contraintes épitaxiales des films minces. De façon apparemment surprenante, le découplage magnétique du dispositif n'est pas assuré dans le cas général, la forte aimantation des électrodes étant à l'origine d'un champ de fuite très important lors des renversements d'aimantation. Nous avons mis en évidence (expérimentalement et analytiquement) un effet d'épaisseur des couches influant sur le comportement magnétique général du système. Des mesures de dynamique de renversement d'aimantation ont souligné le rôle prépondérant du piégeage des parois de domaine lors des renversements d'aimantation. Les systèmes hybrides FePt/MgO/GaAs ont été élaborés en tout-épitaxie en combinant différents bâtis de dépôt. Nous avons montré la faisabilité d'un système présentant de très bonnes propriétés structurales et magnétiques
Author: Christophe Bourgognon
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Languages : fr
Pages : 204
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L'association du magnétisme et des semiconducteurs est un thème de recherche très actif depuis quelques années. Les recherches portent d'une part sur l'étude de la phase ferromagnétique dans les semiconducteurs magnétiques dilués où des ions magnétiques sont incorporés dans le semiconducteur lors de sa croissance, et d'autre part sur celles des structures dites hybrides, où des couches métalliques ferromagnétiques sont déposées après la croissance du semiconducteur. Des applications intéressantes sont les mémoires magnétiques, les transistors dits de spin, ou encore l'ordinateur quantique. La première partie concerne la caractérisation structurale (spectroscopie d'électrons et microscopies) et magnétique de couches de Fe(001), épitaxiées sur des couches fines de ZnSe(001). D'une part, nous avons étudié en détail les modes de croissance du Fe et d'autre part nous avons démontré le lien entre les symétries structurales et magnétiques. La seconde partie de l'étude porte sur la croissance de systèmes magnétiques à aimantation perpendiculaire (alliage ordonné FePd(001), ou multicouches Cu/Ni(001) et Co/Pt) sur une hétérostructure contenant un puits semimagnétique de CdMnTe(001) dans des barrières de CdZnMgTe(001). Ces structures ont été élaborées avec succès et les couches métalliques présentent de fortes amisotropie magnétiques perpendiculaires. De plus, l'effet de la ségrégation de l'anion du semiconducteur sur la mise en ordre chimique du FePd a été démontrée. Le champ magnétique périodique rayonné par le métal pourra permettre l'apparition de nouveaux et intéressants effets sur les propriétés optiques du puits quantique semiconducteur, telle qu'une localisation des porteurs ou une modification de la phase ferromagnétique du puits semimagnétique.
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Languages : en
Pages : 616
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Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development
Publisher:
ISBN: 9789283600046
Category : Aeronautics
Languages : en
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