Author: Sophie PoulatPublisher:
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Book Description
L'objectif principal de ce travail est l'etude par microscopie electronique en transmission conventionnelle (associee a la technique du champ faible) et par microscopie electronique in situ, sous recuit, des mecanismes d'accommodation de dislocations extrinseques dans des joints de grains s'ecartant de la singularite. Ces processus jouent un role important dans la deformation a chaud des materiaux. Les experiences ont ete realisees sur des joints provenant de bicristaux 3 111, 11 311 et 11 332 de nickel elabores par solidification progressive. L'etude des processus d'accommodation necessite la connaissance prealable de la structure d'equilibre du joint de grains. Cette structure est connue pour les joints 3 111 et 11 311 mais pas pour le joint 11 332. Une premiere etape de ce travail a donc ete d'etudier par microscopie electronique a haute resolution la structure atomique du joint 11 332. Les resultats montrent que : - la structure theorique du joint 11 332 n'a ete observee que dans un echantillon proche du germe bicristallin. - dans la plupart des cas, le joint de grains se met parallele a des facettes asymetriques. - en general, le joint 11 332 ne presente pas d'ordre a longue distance mais un ordre a courte distance permettant de detecter des dislocations extrinseques discretes. Les observations en microscopie in situ sous recuit montrent, dans les joints 3 111 et 11 311, l'incorporation dans la structure d'equilibre du joint de dislocations extrinseques inclinees par rapport au reseau intrinseques. Dans les joints proches de 11 332, l'etalement du contraste des dislocations extrinseques, observe en champ faible, semble plus correspondre a une delocalisation du cur de la dislocation qu'a une decomposition en un grand nombre de dislocations de petits vecteurs de burgers. Ces resultats posent le probleme de la distinction entre un joint de caractere vraiment general en fonction de tous les degres de liberte geometriques et un joint qui conserve un singularite meme s'il presente un degre de coincidence eleve
