Defauts induits par implantation de néon dans le silicium PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Defauts induits par implantation de néon dans le silicium PDF full book. Access full book title Defauts induits par implantation de néon dans le silicium by Suzana Bottega Peripolli. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Suzana Bottega Peripolli
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : pt-BR
Pages : 145
Get Book Here
Book Description
Ce travail porte sur les modifications structurales induites par implantation (conventionnelle et plasma immersion) de néon dans le silicium. La formation des bulles et des défauts associés ont été étudiés en fonction de différents paramètres tels que : la fluence, la température d'implantation et le recuit thermique. Les techniques de caractérisation mises en oeuvre sont la RBS, la MET, le GISAXS, l'ERD et le WDS. Les implantations réalisées à RT à hautes fluences conduisent à l'amorphisation du silicium, un modèle de recristallisation rendant compte de la morphologie observée après recuit thermique a été proposé. Pour des températures d'implantation de 250°C une fluence seuil de 5 x 10[puissance 15] est nécessaire pour la formation de bulles. Pour la fluence de 5 x 10[puissance 16] Ne+/cm2, l'association des différentes technique d'analyse a mis en évidence la présence de bulles tout le long du parcours des ions ainsi que la rétention du néon quelle que soit la température d'implantation (250°C-900°C). Le facétage des bulles n'apparaît que pour les températures d'implantation élevées, ainsi il semblerait que la présence du gaz ralentisse fortement ce mécanisme. Enfin une approche thermodynamique (équations d'état pour les gaz réels) a été réalisée dans le but de déterminer la proportion de gaz présent dans les bulles. Les valeurs obtenues ne sont toutefois pas en accord avec la fluence implantée. plusieurs hypothèses ont été formulées pour rendre compte de ce phénomène. Les differents résultats ont été comparés au cas de l'implantation d'hélium dans le silicium.
Author: Suzana Bottega Peripolli
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : pt-BR
Pages : 145
Get Book Here
Book Description
Ce travail porte sur les modifications structurales induites par implantation (conventionnelle et plasma immersion) de néon dans le silicium. La formation des bulles et des défauts associés ont été étudiés en fonction de différents paramètres tels que : la fluence, la température d'implantation et le recuit thermique. Les techniques de caractérisation mises en oeuvre sont la RBS, la MET, le GISAXS, l'ERD et le WDS. Les implantations réalisées à RT à hautes fluences conduisent à l'amorphisation du silicium, un modèle de recristallisation rendant compte de la morphologie observée après recuit thermique a été proposé. Pour des températures d'implantation de 250°C une fluence seuil de 5 x 10[puissance 15] est nécessaire pour la formation de bulles. Pour la fluence de 5 x 10[puissance 16] Ne+/cm2, l'association des différentes technique d'analyse a mis en évidence la présence de bulles tout le long du parcours des ions ainsi que la rétention du néon quelle que soit la température d'implantation (250°C-900°C). Le facétage des bulles n'apparaît que pour les températures d'implantation élevées, ainsi il semblerait que la présence du gaz ralentisse fortement ce mécanisme. Enfin une approche thermodynamique (équations d'état pour les gaz réels) a été réalisée dans le but de déterminer la proportion de gaz présent dans les bulles. Les valeurs obtenues ne sont toutefois pas en accord avec la fluence implantée. plusieurs hypothèses ont été formulées pour rendre compte de ce phénomène. Les differents résultats ont été comparés au cas de l'implantation d'hélium dans le silicium.
Author: Marie-Laure David (physicienne).)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 246
Get Book Here
Book Description
L'implantation ionique est couramment utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs aussi bien pour le dopage des matériaux que pour en améliorer la pureté. Les défauts créés par implantation/irradiation peuvent améliorer ou détériorer les performances des dispositifs électroniques. Nous avons étudié par spectroscopie capacitive les défauts électriquement actifs créés par irradiation dans le 4H-SiC. Nous avons caractérisé l'un de ces défauts, le centre S, en déterminant sa signature et ses cinétiques d'apparition et de recuit. Par ailleurs nous avons étudié les défauts créés par implantation d'hélium à forte dose dans le Si principalement par Microscopie Electronique à Transmission. Nous avons montré que la nature des défauts (cavités et défauts de type interstitiel) et leur évolution au cours d'un recuit dépendent fortement de la température d'implantation. Les effets d'implantations multi-énergies à haute température sont aussi présentés.
Author: MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 120
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR DE GRANDES PROFONDEURS DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. TROIS TYPES D'ECHANTILLONS ONT ETE ANALYSES. LE PREMIER ET LE SECOND AYANT RESPECTIVEMENT COMME PLAN DE SURFACE (111) ET (001), PRESENTENT UNE COUCHE IMPLANTEE SITUEE ENTRE 20 M ET 50 M DE LA SURFACE. LE TROISIEME, DE PLAN DE SURFACE (111) EST IMPLANTE DEPUIS LA SURFACE JUSQU'A 50 M. CES DIFFERENTS ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES A LA SUITE DE RECUITS THERMIQUES DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE L'AMBIANTE JUSQU'A 1100#OC. PAR DIFFUSION DIFFUSE DES RX, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE D'AMAS DE DEFAUTS PONCTUELS (BOUCLES D'INTERSTITIELS 15 ATOMES) DONT LA TAILLE RESTE CONSTANTE JUSQU'A 400#OC DANS LA REGION 0-20 M DES ECHANTILLONS 1 ET 3, MONTRANT AINSI QUE L'HYDROGENE NE PERTURBE PAS LA CINETIQUE DE MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS. L'ETUDE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE COUPES PERPENDICULAIRES A LA SURFACE MET EN EVIDENCE DEUX NOUVEAUX TYPES DE DEFAUTS (A ET B) LIES A L'HYDROGENE, REPARTIS DE MANIERE DIFFERENTE SELON L'ECHANTILLON (1, 2 OU 3) POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES OU EGALES A 300#OC. UNE ETUDE APPROFONDIE DE LA STRUCTURE DE CES DEFAUTS NOUS A CONDUIT A MODELISER LEUR FORMATION ET LEUR CROISSANCE DE MANIERE A RENDRE COMPTE DE LEUR MORPHOLOGIE PARTICULIERE
Author: Erwan Oliviero
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 145
Get Book Here
Book Description
Les défauts introduits par l'implantation d'hélium dans le silicium et dans le carbure de silicium ont été étudiés par MET (Microscopie Electronique en Transmission). Des techniques complémentaires comme la desorption d'hélium (THDS) et la DRX (Diffraction des Rayons-X) ont également été utilisées. Nous avons observé que dans le cas d'implantations à forte énergie (MeV), de nombreux défauts étendus de type interstitiel sont crées parallèlement à la formation des bulles. Nous avons montré que la formation des bulles dépend fortement du flux et que le taux de production des lacunes est un paramètre déterminant. Les effets du temps de recuit et de la température d'implantation ont également été étudiés. Dans le carbure de silicium, la formation de bulles se produit dans une zone amorphe et l'évolution en cavités a été étudiée en fonction de divers recuit. Une étude par THDS des précurseurs des bulles est également présentée.
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
Get Book Here
Book Description
This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Don Montague
Publisher: Taylor & Francis
ISBN: 9780419199106
Category : Architecture
Languages : en
Pages : 472
Get Book Here
Book Description
This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Television
Languages : en
Pages : 14
Get Book Here
Book Description
Report to the President on investigation no. 332-95 under section 332 of the Tariff Act of 1930, as amended.
Author: H. J. Delafield
Publisher:
ISBN: 9780705803137
Category : Nuclear engineering
Languages : en
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Electronics
Languages : fr
Pages : 390
Get Book Here
Book Description
Author: David Adler
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 1489922601
Category : Science
Languages : en
Pages : 448
Get Book Here
Book Description
The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.
