CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS PDF Author: FRANCINE.. JEREMIE
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Languages : fr
Pages : 170

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DANS LA PLUPART DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS PAR FIBRE OPTIQUE ACTUELS, LES PERFORMANCES DE DETECTION SONT UNIQUEMENT LIMITEES PAR LE BRUIT QUANTIQUE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION D'ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE QUI OFFRENT LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN FAISCEAU LASER DONT LE BRUIT QUANTIQUE EST INFERIEUR AU BRUIT DE GRENAILLE PERMET DONC D'ENVISAGER, A LONG TERME, LE DEVELOPPEMENT D'UNE INSTRUMENTATION PLUS PERFORMANTE ET SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX EXIGENCES DE NOUVEAUX PROTOCOLES DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. C'EST DANS CE CONTEXTE QUE S'INSCRIT CETTE THESE, ET ELLE CONTRIBUE A L'EFFORT ACTUEL VISANT A GENERER DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE AVEC DES LASERS SEMI-CONDUCTEURS COURAMMENT UTILISES DANS LES TELECOMMUNICATIONS. LES FLUCTUATIONS DE L'ENERGIE ET DE LA PUISSANCE EMISE PAR UNE DIODE LASER ONT ETE DETERMINEES PAR UN NOUVEAU FORMALISME CORPUSCULAIRE OPTIQUE. CERTAINS PARAMETRES LIMITANT LES CAPACITES DE COMPRESSION DES DIODES ONT ETE MIS EN EVIDENCE ; LES PERTES INTERNES IMPORTANTES DANS LES LASERS 1550 NM, UN ELARGISSEMENT DE GAIN FAIBLEMENT INHOMOGENE ASSOCIE A UN TAUX DE SUPPRESSION DES MODES SECONDAIRES INSUFFISANTS SONT AUTANT DE FACTEURS DEGRADANT LA COMPRESSION DU BRUIT D'AMPLITUDE. DE MEME LA SUPPRESSION DE GAIN NON NEGLIGEABLE DANS LES NOUVEAUX LASERS A PUITS QUANTIQUES APPARAIT NEFASTE A L'UTILISATION D'UNE SOURCE CALME. DES RECHERCHES EXPERIMENTALES MENEES SUR PLUSIEURS LASERS DFB 1550 NM ONT DEMONTRE QUE L'EXISTENCE DE BRUIT D'EXCES MASQUAIENT LA COMPRESSION. LE BRUIT D'EXCES D'ORIGINE MODALE A ETE REDUIT PAR L'UTILISATION D'UNE CAVITE ETENDUE. 0.7 DB DE COMPRESSION ONT AINSI PU ETRE OBTENU SUR UN PREMIER LASER. L'ASPECT DISPERSIF DE LA CONTRE-REACTION A ENSUITE ETE EXPLOITE AFIN DE REDUIRE PAR DECORRELATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE LE BRUIT D'EXCES D'UN SECOND LASER. 1,6 DB DE COMPRESSION ONT ALORS ETE REALISE.

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA GENERATION DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE PAR LES LASERS SEMI-CONDUCTEURS PDF Author: FRANCINE.. JEREMIE
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Languages : fr
Pages : 170

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DANS LA PLUPART DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS PAR FIBRE OPTIQUE ACTUELS, LES PERFORMANCES DE DETECTION SONT UNIQUEMENT LIMITEES PAR LE BRUIT QUANTIQUE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION D'ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE QUI OFFRENT LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN FAISCEAU LASER DONT LE BRUIT QUANTIQUE EST INFERIEUR AU BRUIT DE GRENAILLE PERMET DONC D'ENVISAGER, A LONG TERME, LE DEVELOPPEMENT D'UNE INSTRUMENTATION PLUS PERFORMANTE ET SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX EXIGENCES DE NOUVEAUX PROTOCOLES DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. C'EST DANS CE CONTEXTE QUE S'INSCRIT CETTE THESE, ET ELLE CONTRIBUE A L'EFFORT ACTUEL VISANT A GENERER DES ETATS COMPRIMES DE LA LUMIERE AVEC DES LASERS SEMI-CONDUCTEURS COURAMMENT UTILISES DANS LES TELECOMMUNICATIONS. LES FLUCTUATIONS DE L'ENERGIE ET DE LA PUISSANCE EMISE PAR UNE DIODE LASER ONT ETE DETERMINEES PAR UN NOUVEAU FORMALISME CORPUSCULAIRE OPTIQUE. CERTAINS PARAMETRES LIMITANT LES CAPACITES DE COMPRESSION DES DIODES ONT ETE MIS EN EVIDENCE ; LES PERTES INTERNES IMPORTANTES DANS LES LASERS 1550 NM, UN ELARGISSEMENT DE GAIN FAIBLEMENT INHOMOGENE ASSOCIE A UN TAUX DE SUPPRESSION DES MODES SECONDAIRES INSUFFISANTS SONT AUTANT DE FACTEURS DEGRADANT LA COMPRESSION DU BRUIT D'AMPLITUDE. DE MEME LA SUPPRESSION DE GAIN NON NEGLIGEABLE DANS LES NOUVEAUX LASERS A PUITS QUANTIQUES APPARAIT NEFASTE A L'UTILISATION D'UNE SOURCE CALME. DES RECHERCHES EXPERIMENTALES MENEES SUR PLUSIEURS LASERS DFB 1550 NM ONT DEMONTRE QUE L'EXISTENCE DE BRUIT D'EXCES MASQUAIENT LA COMPRESSION. LE BRUIT D'EXCES D'ORIGINE MODALE A ETE REDUIT PAR L'UTILISATION D'UNE CAVITE ETENDUE. 0.7 DB DE COMPRESSION ONT AINSI PU ETRE OBTENU SUR UN PREMIER LASER. L'ASPECT DISPERSIF DE LA CONTRE-REACTION A ENSUITE ETE EXPLOITE AFIN DE REDUIRE PAR DECORRELATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE LE BRUIT D'EXCES D'UN SECOND LASER. 1,6 DB DE COMPRESSION ONT ALORS ETE REALISE.

Etude des états comprimés de la lumière générés par des lasers à semi-conducteurs

Etude des états comprimés de la lumière générés par des lasers à semi-conducteurs PDF Author: Jean-Luc Vey
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Pages : 208

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Etudes des etats comprimes de la lumiere generes par des lasers a semi-conducteurs : applications aux telecommunications

Etudes des etats comprimes de la lumiere generes par des lasers a semi-conducteurs : applications aux telecommunications PDF Author: Jean-Luc Vey
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Contribution à l'étude des propriétés spectrales et spatiales des lasers à semi-conducteurs en cavité externe [microforme]

Contribution à l'étude des propriétés spectrales et spatiales des lasers à semi-conducteurs en cavité externe [microforme] PDF Author: Sylvain Mailhot
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612174566
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Languages : fr
Pages : 450

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CONTRIBUTION A L'ETUDE D'UN LASER FABRY-PEROT A SEMI-CONDUCTEUR SOUS INJECTION OPTIQUE EN VUE D'APPLICATIONS EN TELECOMMUNICATIONS

CONTRIBUTION A L'ETUDE D'UN LASER FABRY-PEROT A SEMI-CONDUCTEUR SOUS INJECTION OPTIQUE EN VUE D'APPLICATIONS EN TELECOMMUNICATIONS PDF Author: FABRICE.. MARCHESE
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Languages : fr
Pages : 145

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CETTE ETUDE PORTE SUR LA REPONSE D'UN LASER FABRY-PEROT A SEMI-CONDUCTEUR A L'INJECTION DE PUISSANCE OPTIQUE. NOUS NOUS ATTACHONS A EN MONTRER LES POTENTIALITES ET A FAIRE RESSORTIR CERTAINES APPLICATIONS SUSCEPTIBLES D'ETRE UTILISEES DANS LES TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. L'ETUDE COMMENCE PAR UN RAPPEL DES NOTIONS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS NECESSAIRES A UNE MODELISATION DU COMPORTEMENT DE CE COMPOSANT. NOUS EN PRESENTONS ENSUITE UNE CARACTERISATION EXPERIMENTALE COMPAREE AVEC LA THEORIE. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DU PHENOMENE DE VERROUILLAGE ABOUTISSANT A UNE CARACTERISTIQUE ENTREE/SORTIE A DEUX ETATS. LE LASER PEUT DONC ETRE UTILISE EN COMPARATEUR DONT UNE DES FONCTIONS POSSIBLES EST LA REGENERATION DE SIGNAUX LUMINEUX INCIDENTS. DE PLUS, NOUS PRESENTONS UN MODELE THEORIQUE PERMETTANT DE CALCULER LES PLAGES DE VERROUILLAGE. EN TROISIEME LIEU NOUS ETUDIONS L'INJECTION DE DEUX FAISCEAUX OPTIQUES DE LONGUEURS D'ONDE DISTINCTES, SITUEES DANS LE SPECTRE DE GAIN DU LASER. LE COMPORTEMENT RESULTANT PERMET DE REALISER DES TRANSPOSITIONS DE LONGUEURS D'ONDE DE SIGNAUX BINAIRES A HAUTS DEBITS. ENFIN NOUS NOUS INTERESSONS AUX PHENOMENES D'INSTABILITE DU VERROUILLAGE DANS LE BUT DE GENERER DES SIGNAUX HYPERFREQUENCE. LES FREQUENCES PRODUITES VARIENT ENTRE 4 ET 8 GHZ.

Contribution à l'étude des phénomènes non-linéaires dans les lasers à semi-conducteurs

Contribution à l'étude des phénomènes non-linéaires dans les lasers à semi-conducteurs PDF Author: François Girardin (électronique et communication).)
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CE TRAVAIL PORTE PRINCIPALEMENT SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE DU COMPORTEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS. IL A ETE INITIALEMENT MOTIVE PAR LA VOLONTE D'OPTIMISER ET DE CARACTERISER UNE NOUVELLE STRUCTURE DE LASERS DE TYPE DFB, LES LASERS A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE, DEVELOPPES DANS LE BUT D'OBTENIR DES LASERS MONOMODES EMETTANT DE FORTES PUISSANCES. LA CONNAISSANCE ET LA MAITRISE DES EFFETS PHYSIQUES IMPLIQUES DANS LE FONCTIONNEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS PASSE PAR UNE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES COMPOSANTS. CELLE-CI PEUT ETRE REALISEE SUR LES CARACTERISTIQUES EXTERNES OU PAR UNE OBSERVATION INTERNE, ET DONC PLUS DIRECTE, DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT. EN PARTICULIER, LA MESURE DE LA DENSITE DE PORTEURS LOCALE NOUS A PERMIS DE QUANTIFIER LES NON-UNIFORMITES PRESENTES DANS LES LASERS DFB A SAUT DE PHASE. D'AUTRE PART, L'ETUDE DU SPECTRE DE L'EMISSION SPONTANEE DONNE DES INFORMATIONS SUR LES ORIGINES DE LA SUPPRESSION DE GAIN. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'UN ECHAUFFEMENT DES PORTEURS IMPORTANT DANS DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS PAR CETTE METHODE. PARALLELEMENT, LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE DE LASERS DFB A ETE POURSUIVI. CELUI-CI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU RESEAU A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE SUR LA VARIATION DE L'INDICE EFFECTIF DU MODE OPTIQUE. LE FONCTIONNEMENT DU LASER EST FORTEMENT PERTURBE PAR CETTE VARIATION. LES DISTRIBUTIONS DE PORTEURS ET DE PUISSANCE OPTIQUE SONT EGALEMENT CALCULEES ET COMPAREES AUX MESURES.

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite PDF Author: Claude Roussel
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Languages : fr
Pages : 272

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PAR POMPAGE OPTIQUE ET SURTOUT BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE PULSE A PARTIR D'UNE INSTALLATION TRES SPECIFIQUE NOUS METTONS EN EVIDENCE, ANALYSONS ET CARACTERISONS L'EMISSION LASER DE ZNTE ET MGZNTE DE 4K A 300K SUR DES CAVITES FABRY-PEROT CLIVEES OU DISTRIBUEES PAR ELABORATION DE RESEAUX A PAS TRES FINS. NOUS MESURONS LE GAIN OPTIQUE ET OBTENONS DES SEUILS LASER TRES BAS SUR DES CAVITES DE BONNE QUALITE CRISTALLINE. NOUS MONTRONS QUE LA CINETIQUE DE L'EMISSION LASER DEPEND DU TAUX DE DEPASSEMENT PAR RAPPORT AU SEUIL; SUR UN MODELE CLASSIQUE, UNE ANALYSE THERMOCINETIQUE REND ALORS BIEN COMPTE DES DIFFERENTES FORMES COMPLEXES DE SPECTRES. SUR DES CRISTAUX DE HAUTE PURETE (10**(13)-10**(14) CM-**(3)) NOUS PRECISONS A FAIBLE NIVEAU D'EXCITATION (PAR PHOTOLUMINESCENCE) LA NATURE EXCITONIQUE DES DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION JUSQU'A L'AMBIANTE ET, CONFORMEMENT AUX MODELES QUANTIQUES, ATTRIBUONS L'EMISSION SOUS FORTE INJECTION (ELECTRONIQUE) A DES PROCESSUS DE COLLISIONS INELASTIQUES: EXCITONS-EXCITONS (POUR T60K) ET EXCITONS-PORTEURS LIBRES (POUR T60K)

Contribution à l'étude de la génération d'impulsions hyperfréquences de grandes puissances par photoconducteurs activés par laser

Contribution à l'étude de la génération d'impulsions hyperfréquences de grandes puissances par photoconducteurs activés par laser PDF Author: Franck Lacassie
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Languages : fr
Pages : 304

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Nous étudions un commutateur rapide à photoconducteur en arséniure de gallium, déclenché par un laser Nd: Yag picoseconde. Les limitations en courant du commutateur sont mises en évidence. Les résultats expertement sont présentés en deux parties. La première partie traite du courant instantané mesuré juste après l'application du laser. La seconde partie concerne l'étude de la décroissance du courant. L’étude du courant instantané nous a permis d'observer des régimes de conduction non ohmiques, liés à des répartitions inhomogène de champ électrique. Nous montrons qu'il est possible d'utiliser le régime ohmique en appliquant au photoconducteur une impulsion de tension dont la largeur temporelle est courte devant le temps de relaxation diélectrique. D’autre part, nous avons fait des mesures comparées de photoconduction et d'absorption optique. Un rendement quantique de photoconduction de 0.2 a été déduit. Nous avons montré pour la première fois une commutation par photoconduction utilisant le processus d'absorption à deux photons. Nous avons également étudié le comportement de divers types de contacts injectant et mis en évidence des effets de charge d'espace. L’étude de la croissance du courant met en évidence 4 mécanismes de capture distincts qui interviennent selon les valeurs de champ électrique et d'énergie optique. Le piégeage des électrons par un centre peu profond, la recombinaison sur des centres profonds libres d'électrons dans l'obscurité, la recombinaison sur des centres profonds vides par la lumière, et un mécanisme à long temps caractéristique attribuable à la capture des trous. Enfin, nous avons réalisé un essai de commutation utilisant une impulsion laser de largeur temporelle 30 picosecondes, et un commutateur stressé par une impulsion de tension de 12 kilovolts et de dure 10 nanosecondes.

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS MULTISECTIONS EMETTANT A 1-5 MICRON ACCORDABLES EN LONGUEUR D'ONDE

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS MULTISECTIONS EMETTANT A 1-5 MICRON ACCORDABLES EN LONGUEUR D'ONDE PDF Author: JOEL.. JACQUET
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Languages : fr
Pages : 253

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LES PROGRES TECHNOLOGIQUES SPECTACULAIRES, POUR LA REALISATION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS EMETTANT A 1.5 M, ONT DONNE LIEU A UNE EVOLUTION CONSIDERABLE DES SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUE. LA HAUTE PURETE SPECTRALE DES SOURCES, L'ACCOUDABILITE EN LONGUEUR D'ONDE ET LA MODULATION DE FREQUENCE PAR LE COURANT D'INJECTION DES LASERS SONT A LA BASE DE SYSTEMES DE TRANSMISSION EN MODULATION FSK UTILISANT LE MULTIPLEXAGE FREQUENTIEL ET, A LA RECEPTION, LA DETECTION HETERODYNE (DITE COHERENTE). NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE L'ETUDE DE LASERS MULTISECTIONS REPONDANT A CES CRITERES. UN MODELE SIMPLE, BASE SUR LA THEORIE DES MODES COUPLES, EST UTILISE POUR CALCULER LES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DES LASERS (COURANT DE SEUIL, RENDEMENT, LARGEUR DE RAIE, SELECTIVITE MODALE, ACCORDABILITE). CE MODELE, VALIDE POUR DES LASERS DFB, A PERMIS DE CONCEVOIR DES STRUCTURES DBR A 3 ELECTRODES. LES DBR REALISES ONT MONTRE UNE ACCORDABILITE SUPERIEURE A 4 NM ET UNE LARGEUR DE RAIE INFERIEURE A 10 MHZ SUR UNE PLAGE DE LONGUEUR D'ONDE DE 3 MM. AVEC DE TELLES PERFORMANCES, CE COMPOSANT PEUT-ETRE UTILISE COMME OSCILLATEUR LOCAL DANS UNE ARCHITECTURE RESEAU COMPORTANT PLUS DE 60 CANAUX, SEPARES DE 6 GHZ, EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S. POUR UN TEL SYSTEME, LA SOURCE EMETTRICE DOIT PRESENTER UNE REPONSE EN MODULATION DE FREQUENCE AVEC UNE GRANDE BANDE PASSANTE ET UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE AVEC LA FREQUENCE. UNE MODELISATION DE STRUCTURES A PLUSIEURS SECTIONS ACTIVES, BASEE SUR LA RESOLUTION DES EQUATIONS DE CONTINUITE ET TENANT COMPTE DE LA DISTRIBUTION DE PHOTON, MONTRE QUE CES PERFORMANCES PEUVENT ETRE ATTEINTES MOYENNANT UNE OPTIMISATION DES LONGUEURS ET DES COURANTS D'INJECTION DE CHAQUE SECTION. ON A AINSI REALISE DES LASERS DBR A 4 ELECTRODES ET DES DFB A ZONE DE PHASE MODULABLE PRESENTANT UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE JUSQU'A 1 GHZ. UN RESEAU DE DISTRIBUTION DE 8 CANAUX EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S ET DETECTION COHERENTE A ETE REALISE AVEC CES COMPOSANTS.

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe PDF Author: Claude Roussel (prom. 1984.)
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Pages : 272

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