Transistor SOI à quatre grilles PDF Download

Author: Kerem Akarvardar
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162

Get Book Here

Book Description
Dans ce travail, nous présentons une étude approfondie du transistor SOI à quatre grilles, le G4-FET. Le G4-FET dispose de quatre grilles indépendantes qui maximisent la fonctionnalité en combinant les effets MaS et JFET simultanément, dans une même région du semiconducteur (le "body"). Notre analyse repose sur la distinction entre les modes de conduction surfacique et volumique du G4-FET et comporte trois parties: caractérisation, modélisation et applications. Dans la première partie, nous introduisons les caractéristiques statiques, les mesures de bruit basse fréquence, d'irradiation et de basse température. A partir des résultats expérimentaux, nous démontrons qu'en mode volumique, le G4-FET présente un potentiel considérable pour les applications analogiques, notamment à faible bruit. Ensuite, la comparaison in situ des caractéristiques de bruit pour différents modes de conduction nous permet de contribuer au "débat éternel" sur l'origine du bruit en 1/f. Finalement, à partir des caractéristiques d'irradiation du G4-FET nous mettons en évidence, pour la première fois, la neutralisation des accepteurs induite par l'irradiation dans les transistors MaS SOI à canal n partiellement désertés. Dans la deuxième partie, nous modélisons la distribution de potentiel 2-D du body, qui constituera la base pour nos modèles de tension de seuil, pente sous le seuil et courant de drain. Le modèle de potentiel et les équations de couplage qui en résultent sont applicables aux transistors MaS SOI complètement désertés à canal court et aux transistors à triple-grille. La troisième partie est consacrée aux circuits analogiques et numériques innovants à base de G4-FETs : multiplieur analogique, dispositif à résistance différentielle négative commandé en tension, oscillateur LC, trigger de Schmitt, inverseur G4-FET, porte logique reconfigurable et cellule à gain DRAM.