PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D'ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE. ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES, ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C(V) PDF Download
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Author: Christine Robert-Pierrisnard
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Languages : fr
Pages : 202
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Book Description
DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Author: Christine Robert-Pierrisnard
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Languages : fr
Pages : 202
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DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Ouafa Saadane
Publisher:
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Languages : en
Pages : 166
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The work presented in this thesis is devoted to the study of the metastability in the hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H). The pm-Si:H films deposited in a plasma regime close to the powder formation, which promoted the incorporation of nanocrystallites and/or clusters in amorphous matrix of the layers. Previous results have shown the promising potentiality of the pm-Si:H for photovoltaic conversion. The aim of this study is to bring a better comprehension between the structural and optoelectronic properties of pm-Si:H films prepared under different deposition conditions. We used various methods of characterizations, and in particular some electrical techniques of characterizations: measurements of conductivity and photoconductivity (constant photocourant method, modulated photocurrent, steady state photocarrier gratings)), which we coupled with methods of structural characterizations (Fourier transform infrared spectroscopy and hydrogen effusion experiments). We particularly studied the metastability of the pm-Si:H. After a systematic study of a large number of pm-Si:H films, we highlighted the deposition conditions which lead to films with good properties transport (high deposition rate, high and excellent stability of the ambipolar diffusion length of the minority carriers, better efficiency of the solar cells). A link between hydrogen bonding and transport properties is made that shows that to exhibit good transport properties the material has to present a peculiar microstructure revealed by the hydrogen bonding. However, the hydrogen bonding and/or content in this structure has to be adjusted via the deposition conditions to reach an optimum hydrogen incorporation leading to the best layers and the best solar cell devices.
Author: Dorra Abidi
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 178
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La grande surface développée du silicium poreux favorise l'incorporation de molécules organiques. Des nanocomposites hybrides à base de molécules conjuguées luminescentes pourraient se prêter à des applications en optoélectronique. L’étude comprend deux parties essentielles : la première partie est consacrée à l’étude morphologique et optique des couches minces et des membranes auto-supportées de silicium poreux fabriquées au laboratoire, en utilisant la microscopie électronique, l’ellipsométrie spectroscopique et l’absorption. L'analyse microstructurale des couches poreuses par diffusion Raman permet d’estimer la distribution de tailles des nanocristallites via le modèle de confinement des phonons et aussi de confirmer l’absence de porteurs de charges libres. Une étude par Raman polarisé sur des membranes poreuses libres est révélatrice de l’inhomogénéité de la propagation de la lumière dans ce matériau. La deuxième partie est dédiée à l'étude des nanocomposites hybrides préparés avec des colorants laser et des polymères conjugués. L’étude est réalisée par photoluminescence, photoluminescence résolue en temps et diffusion Raman.
Author: Karim Lefki
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Languages : en
Pages : 173
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LE DISILICIURE DE FER DANS SA PHASE BETA EST UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR. NOUS AVONS ETUDIE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DE DIVERS ECHANTILLONS, GENERALEMENT EN COUCHES MINCES. LES MESURES ELECTRIQUES EFFECTUES SUR DES ECHANTILLONS DEPOSES SUR SILICIUM MONTRENT QUE CE SILICIURE EST UN SEMICONDUCTEUR DE TYPE P. ELLES METTENT EGALEMENT EN EVIDENCE LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LA STRUCTURE METAL/SILICIURE/SILICIUM. LA BANDE INTERDITE DE CE MATERIAU EST OBTENUE PAR MESURE DE REFLEXION-TRANSMISSION D'UN BICOUCHE SILICIURE-SILICIUM. CETTE BANDE INTERDITE EST DIRECTE, DE VALEUR 0.89 EV. LES SPECTROSCOPIES INFRAROUGES ET RAMAN ONT DONNE ACCES AUX VIBRATIONS DU RESEAU. CES RESULTATS ONT PU ETRE CORRELES A LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE DE CE MATERIAU. EN COMPARANT PLUSIEURS ECHANTILLONS PREPARES DIFFEREMMENT, UN DECALAGE DES RAIES INFRAROUGES ET RAMAN A EGALEMENT ETE MIS EN EVIDENCE. LE DURCISSEMENT DES MODES DE VIBRATION VA DE PAIR AVEC L'AUGMENTATION DES PARAMETRES DE RESEAU, CE QUI EST INTERPRETE PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS DE STCHIOMETRIE DIFFERENTS SUIVANT LES ECHANTILLONS ET CORRELE AVEC LA NATURE DU SUBSTRATS. DES MESURES DE PHOTOEMISSION INTERNE ONT MONTRE L'EXISTENCE DE TRANSITIONS D'ENERGIES INFERIEURES A LA BANDE INTERDITE. LA VARIATION DU SEUIL DE PHOTOEMISSION EN FONCTION DE LA TEMPERATURE NOUS PERMET DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR EN ACCORD AVEC D'AUTRES AUTEURS. LA SYNTHESE DE L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS EXPERIMENTAUX PERMET DE PROPOSER UN DIAGRAMME D'ENERGIE DE L'HETEROJONCTION SILICIURE-SILICIUM
Author: Lyad Ali
Publisher:
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Languages : fr
Pages :
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Author: KHALID.. CHAFIK
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 188
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LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE
Author: Ingrid Stenger
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 180
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Le but de ce travail est d’étudier les propriétés optiques et morphostructurales de nanoparticules de silicium (np-Si) dans des couches minces de silice, obtenues par recuit thermique de silices sous-stœchiométriques (SiOx 1
Author: Bécharia Nadji
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 148
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DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
Author: ETIENNE.. BUSTARRET
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 246
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Book Description
ETUDE DU SYSTEME HYDROGENE-SILICIUM SUIVANT LES CONDITIONS DE PREPARATION PAR CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOCONDUCTIVITE, DIFFUSION RAMAN, RPE, TRANSMISSION DANS L'IR. ANALYSE DE LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL, CONDITIONS DE PREPARATION DE COUCHES MICROCRISTALLINES POUR UNE OBTENTION A BASSE TEMPERATURE
