Modélisation d'un laser à semiconducteur par un système à deux niveaux PDF Download
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Author: Bruno Thédrez
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Languages : fr
Pages : 178
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Book Description
LA POLARISATION OPTIQUE DU MILIEU DANS UN LASER A SEMICONDUCTEUR EST ETUDIEE DE FACON THEORIQUE A L'AIDE DU FORMALISME DE LQ MQTRICE DENSITE. UNE EQUIVALENCE AVEC LA POLARISATION D'UN ENSEMBLE DE SYSTEMES A DEUX NIVEAUX EN EST DEDUITE. UNE COMPARAISON AVEC LES EQUATIONS D'EVOLUTION A PERMIS D'EXPRIMER LES CONSTANTES PHENOMENOLOGIQUES DE CES DERNIERES EN FONCTION DES PARAMETRES MICROSCOPIQUES. D'AUTRE PART, L'INFLUENCE DE LA CAVITE EST PRISE EN COMPTE POUR MODELISER L'ENSEMBLE "SYSTEME A DEUX NIVEAUX AMPLIFICATEUR - CAVITE LASER" PAR UN NOUVEAU SYSTEME A DEUX NIVEAUX. L'EXISTENCE DE RESONANCES DANS LE SPECTRE DU LASER A SEMICONDUCTEUR, A PU ETRE AISEMENT EXPLIQUE EN TERME D'EFFET STARK DYNAMIQUE A L'INTERIEUR DU SYSTEME EQUIVALENT A DEUX NIVEAUX. CES RESONANCES QUI PEUVENT DONNER LIEU A UNE MODULATION DU FAISCEAU A LA FREQUENCE DE RABI GENERALISEE F SONT INTERPRETEES EN TERME DE FREQUENCE DE RELAXATION. L'EMERGENCE DU DOUBLEMENT DE PERIODE EST ETUDIEE DANS LE DOMAINE DES FREQUENCES A PARTIR DE LA POLARISATION NON LINEAIRE. UNE ETUDE EXPERIMENTALE A PERMIS DE CONFIRMER L'APPARITION DE NOUVELLES ONDES PAR MELANGE A QUATRE PHOTONS PLUSIEURS FOIS RESONANT ET DE MONTRER L'EXISTENCE D'UN POINT SINGULIER.
Author: Bruno Thédrez
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Pages : 178
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LA POLARISATION OPTIQUE DU MILIEU DANS UN LASER A SEMICONDUCTEUR EST ETUDIEE DE FACON THEORIQUE A L'AIDE DU FORMALISME DE LQ MQTRICE DENSITE. UNE EQUIVALENCE AVEC LA POLARISATION D'UN ENSEMBLE DE SYSTEMES A DEUX NIVEAUX EN EST DEDUITE. UNE COMPARAISON AVEC LES EQUATIONS D'EVOLUTION A PERMIS D'EXPRIMER LES CONSTANTES PHENOMENOLOGIQUES DE CES DERNIERES EN FONCTION DES PARAMETRES MICROSCOPIQUES. D'AUTRE PART, L'INFLUENCE DE LA CAVITE EST PRISE EN COMPTE POUR MODELISER L'ENSEMBLE "SYSTEME A DEUX NIVEAUX AMPLIFICATEUR - CAVITE LASER" PAR UN NOUVEAU SYSTEME A DEUX NIVEAUX. L'EXISTENCE DE RESONANCES DANS LE SPECTRE DU LASER A SEMICONDUCTEUR, A PU ETRE AISEMENT EXPLIQUE EN TERME D'EFFET STARK DYNAMIQUE A L'INTERIEUR DU SYSTEME EQUIVALENT A DEUX NIVEAUX. CES RESONANCES QUI PEUVENT DONNER LIEU A UNE MODULATION DU FAISCEAU A LA FREQUENCE DE RABI GENERALISEE F SONT INTERPRETEES EN TERME DE FREQUENCE DE RELAXATION. L'EMERGENCE DU DOUBLEMENT DE PERIODE EST ETUDIEE DANS LE DOMAINE DES FREQUENCES A PARTIR DE LA POLARISATION NON LINEAIRE. UNE ETUDE EXPERIMENTALE A PERMIS DE CONFIRMER L'APPARITION DE NOUVELLES ONDES PAR MELANGE A QUATRE PHOTONS PLUSIEURS FOIS RESONANT ET DE MONTRER L'EXISTENCE D'UN POINT SINGULIER.
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Languages : fr
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Author: Christelle Birocheau
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Category :
Languages : fr
Pages : 498
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Cette thèse apporte une contribution à l'étude expérimentale approfondie et la modélisation du comportement spectral des lasers a semi-conducteurs, dans deux domaines particuliers de fonctionnement: au passage au seuil, et en présence de rétroaction optique, dans le régime de perte de cohérence. Nous exploitons nos résultats asymptotiques de largeur spectrale et puissance en fonction du courant d'injection, de part et d'autre du seuil, en proposant une détermination de quatre paramètres intrinsèques au laser: le facteur de couplage phase-amplitude (), le taux d'émission spontanée (r), le nombre de photons à saturation (s#s), et le temps de vie des porteurs (#p). Nous donnons leurs expressions analytiques en fonction de grandeurs directement mesurables, ceci ne dépendant pas de la structure du laser à semi-conducteur. Nous adaptons deux modèles (issus des théories de Landau et Fokker Planck), au cas du laser à semi-conducteur. Ils permettent de décrire continûment la transition qui a lieu au seuil. En présence de rétroaction optique, nous montrons que la transition vers les régimes chaotiques suit une route quasi-périodique et nous mesurons le taux de rétroaction critique correspondant à l'entrée en régime de perte de cohérence. Nos résultats expérimentaux nous permettent de montrer que la densité spectrale du champ optique perd simultanément son caractère lorentzien au profit d'un caractère gaussien. A l'aide du potentiel thermodynamique associé au système, nous interprétons qualitativement le rôle immunisant que joue le courant d'injection contre la rétroaction. Enfin, nous utilisons le régime de perte de cohérence pour déterminer la fréquence de relaxation et le gain différentiel du laser
Author: ALEXEI.. TCHELNOKOU
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Languages : fr
Pages : 132
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LA PREMIERE PARTIE: NOUS DECRIVONS LES EXPERIENCES QUE NOUS AVONS REALISEES POUR LA GENERATION D'IMPULSIONS COURTES (QUELQUES PICOSECONDES) A PARTIR DE RESEAUX DE DIODES (CHAPITRE II). LE REGIME DE BLOCAGE DE MODES EST OBTENU AUSSI BIEN EN CAVITE INTRINSEQUE QU'AVEC UNE CAVITE EXTERNE SPATIALEMENT SELECTIVE. DANS LE DERNIER CAS, IL EST POSSIBLE D'OBTENIR UN CONTROLE DE LA STRUCTURE DU CHAMP EMIS PAR LE RESEAU DE DIODES, LA LARGEUR DU FAISCEAU D'EMISSION CORRESPONDANT A LA LIMITE DE DIFFRACTION. LE MODELE NUMERIQUE ORIGINAL QUE NOUS AVONS DEVELOPPE EST ADAPTE A L'ANALYSE DE LA DYNAMIQUE (SUB)PICOSECONDE D'UN SYSTEME SEMICONDUCTEUR PLANAIRE AVEC UNE DESCRIPTION SIMULTANEE DES COMPORTEMENTS SPATIAUX ET SPECTRAUX EN DEUX DIMENSIONS. LE MODELE TIENT COMPTE DES INHOMOGENEITES SPATIALES 2-D, DE LA NON-LINEARITE DU GAIN, DE LA LARGEUR SPECTRALE FINIE DU GAIN, DE LA PRESENCE DE RESEAUX DE DIFFRACTION, ET DES VARIATIONS DE L'INDICE OPTIQUE AVEC LA CONCENTRATION DE PORTEURS. LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE DE FAISABILITE D'UN AMPLIFICATEUR OPTIQUE PLANAIRE EN OXYNITRURE DE SILICIUM (SION) DOPE EN ERBIUM ET YTTERBIUM SUR SUBSTRAT DE SILICIUM (CHAPITRE IV). LE DOPAGE A ETE EFFECTUE PAR IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE (2-3 MEV). LES PREMIERS ESSAIS SUR DES GUIDES A RUBAN GRAVE NON-OPTIMISES ONT PERMIS DE COMPENSER LES PERTES D'ABSORPTION DES IONS ERBIUM ET D'ATTEINDRE LE NIVEAU DE TRANSPARENCE DU MATERIAU
Author: Olfa Boukari
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Languages : fr
Pages : 165
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La réflectométrie cohérente dans le domaine fréquentiel C-OFDR est une puissante technique de caractérisation des composants optiques. Elle nécessite une source laser cohérente accordable linéairement. Notre travail consiste à étudier la possibilité d’accorder linéairement les lasers à semiconducteur, en exploitant le chirp induit par la modulation directe en dents de scie et/ou en triangle. Nous avons caractérisé théoriquement et en simulation, la linéarité et l’amplitude de la variation dans le temps du chirp. Les résultats des deux approches sont en bon accord. Comme application nous avons mesuré, en simulation, le temps de retard d'un interféromètre Mach-Zehnder, par C-OFDR en utilisant une source laser DFB sous modulation directe en dents de scie et en triangle. Nous avons calculé théoriquement la densité de puissance du signal de battement C-OFDR en tenant compte des termes de bruits, dans le cas des lasers BH et DFB, déduits de la résolution des équations d'évolution du laser.
Author: PASCAL.. CORREC
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Languages : fr
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L'OBJET DE CETTE THESE EST LA MODELISATION ET LA CARACTERISTION DE LASERS A SEMICONDUCTEURS MONOFREQUENCES CONTINUMENT ACCORDABLES EN LONGUEUR D'ONDE. DE TELS LASERS SONT INDISPENSABLES AU DEVELOPPEMENT DES SYSTEMES DE TRANSMISSION COHERENTS. APRES AVOIR RAPPELE LE FONCTIONNEMENT D'UN LASER SEMICONDUCTEUR ET LE PRINCIPE DU LASER A CONTRE-REACTION DISTRIBUEE (DFB), NOUS ETABLISSONS LES EQUATIONS DES MODES COUPLES QUI TIENNENT COMPTE DE LA POSITION DES FACES PAR RAPPORT AU RESEAU ET DONNENT L'EXPRESSION DU COEFFICIENT DE COUPLAGE K. NOUS UTILISONS UNE METHODE MATRICIELLE POUR LES RESOUDRE ET ETUDIONS SUCCESSIVMEENT LE REFLECTEUR DE BRAGG, LE LASER DFB DROIT ET DES LASERS DEPHASES. NOUS COMPLETONS NOTRE ANALYSE EN Y INCLUANT LE PHENOMENE DE DEPLETION AXIALE DE PORTEURS (HOLE BURNING) ET APPLIQUONS NOTRE MODELE A L'ETUDE DE LA STABILITE DES LASERS DEPHASES MONO-ELECTRODES ET DE L'ACCORDABILITE DES COMPOSANTS MULTI-ELECTRODES: LASER A RESEAU DEPHASE, LASER CNET A DEPHASEUR PASSIF OU ACTIF, LASER DROIT. POUR CHAQUE STRUCTURE, NOUS DETERMINONS LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION ET LA PUISSANCE EMISE EN FONCTION DES COURANTS INJECTES. NOUS AVONS MIS AU POINT LA DECOUPE DE L'ELECTRODE SUPERIEURE EN ASSOCIANT UN USINAGE IONIQUE ET UNE LEGERE ATTAQUE CHIMIQUE ET DEVELOPPE UN BANC DE CARACTERISATION DE LASERS MULTI-ELECTRODES PERMETTANT DE LES EVALUER RAPIDEMENT ET DE FACON CONVIVIALE. NOUS AVONS TESTE DE NOMBREUX COMPOSANTS MONO- ET MULTI-ELECTRODES ET AVONS OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DES COMPORTEMENTS EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS THEORIQUES, TANT POUR LES LASERS DROITS QUE POUR LES LASERS A DEPHASEUR. PLUSIEURS LASERS ONT ETE UTILISES AVEC SUCCES DANS DES LIAISONS EXPERIMENTALES
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Category : Dissertations, Academic
Languages : en
Pages : 692
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Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
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Category : Physics
Languages : fr
Pages : 1008
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Author: Debbie Stokes
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 0470065400
Category : Science
Languages : en
Pages : 247
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Offers a simple starting point to VPSEM, especially for new users, technicians and students containing clear, concise explanations Crucially, the principles and applications outlined in this book are completely generic: i.e. applicable to all types of VPSEM, irrespective of manufacturer. Information presented will enable reader to turn principles into practice Published in association with the Royal Microscopical Society (RMS) -www.rms.org.uk
