Modélisation de la densité de courant de saturation base-émetteur d'un transistor bipolaire de puissance PDF Download
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Author: Salima Lassoued
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Languages : fr
Pages : 143
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Book Description
L'OBJET DE CETTE THESE EST D'EXAMINER LES PRINCIPAUX PARAMETRES AGISSANT SUR LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA TENSION ET DU NIVEAU D'INJECTION. ON ESSAYERA EN PARTICULIER DE VALIDER LA VALEUR DE LA DENSITE DE COURANT BASE DE SATURATION EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PASSONS EN REVUE LES STRUCTURES ET LES PRINCIPALES ETAPES DE FABRICATION DU TRANSISTOR DE PUISSANCE. LA DEUXIEME PARTIE SERA CONSACREE A EXPLIQUER SUCCINCTEMENT SES PARTICULARITES ET SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. TIRANT PROFIT DE L'ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE FAITE, NOUS PRESENTONS A LA FIN LE MODELE UTILISE DANS NOTRE PROGRAMME DE SIMULATION QUI NOUS PARAIT REPRESENTER A L'ETAT ACTUEL DES CONNAISSANCES UN BON COMPROMIS SIMPLICITE ET PRECISION, EN DETAILLANT LES POINTS PARTICULIERS ET HYPOTHESES QUI RENDENT NOTRE APPROCHE ORIGINALE. DANS LE CADRE D'UNE ANALYSE UNIDIMENSIONNELLE, UNE RESOLUTION D'UN COUPLE D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES PERMET D'ABOUTIR A LA VALEUR DE J#S#B#E: DENSITE DE COURANT DE SATURATION. LES PHENOMENES DE FORT DOPAGE, LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE, LES PHENOMENES DE RECOMBINAISONS AUGER, RECOMBINAISONS SHOCKLEY-READ ET HALL, LA DIMINUTION DE LA MOBILITE DES PORTEURS MINORITAIRES FONCTION DU DOPAGE ET LES VITESSES DE RECOMBINAISONS EN SURFACE ET EN VOLUME SONT INCLUS DANS NOTRE TRAVAIL. LES PROFILS DE DOPAGES CONSIDERES SONT CONSIDERES COMME DE TYPE GAUSSIEN. POUR VALIDER NOTRE TRAVAIL UNE COMPARAISON DE NOS RESULTATS A ETE FAITE AVEC: DES RESULTATS OBTENUS A L'AIDE DU LOGICIEL MEDUSA UTILISE PAR MOTOROLA, DES RESULTATS EXPERIMENTAUX MESURES SUR DES TRANSISTORS MOTOROLA
Author: Salima Lassoued
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Languages : fr
Pages : 143
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L'OBJET DE CETTE THESE EST D'EXAMINER LES PRINCIPAUX PARAMETRES AGISSANT SUR LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA TENSION ET DU NIVEAU D'INJECTION. ON ESSAYERA EN PARTICULIER DE VALIDER LA VALEUR DE LA DENSITE DE COURANT BASE DE SATURATION EN FONCTION DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PASSONS EN REVUE LES STRUCTURES ET LES PRINCIPALES ETAPES DE FABRICATION DU TRANSISTOR DE PUISSANCE. LA DEUXIEME PARTIE SERA CONSACREE A EXPLIQUER SUCCINCTEMENT SES PARTICULARITES ET SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. TIRANT PROFIT DE L'ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE FAITE, NOUS PRESENTONS A LA FIN LE MODELE UTILISE DANS NOTRE PROGRAMME DE SIMULATION QUI NOUS PARAIT REPRESENTER A L'ETAT ACTUEL DES CONNAISSANCES UN BON COMPROMIS SIMPLICITE ET PRECISION, EN DETAILLANT LES POINTS PARTICULIERS ET HYPOTHESES QUI RENDENT NOTRE APPROCHE ORIGINALE. DANS LE CADRE D'UNE ANALYSE UNIDIMENSIONNELLE, UNE RESOLUTION D'UN COUPLE D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES PERMET D'ABOUTIR A LA VALEUR DE J#S#B#E: DENSITE DE COURANT DE SATURATION. LES PHENOMENES DE FORT DOPAGE, LA REDUCTION DE LA BANDE INTERDITE, LES PHENOMENES DE RECOMBINAISONS AUGER, RECOMBINAISONS SHOCKLEY-READ ET HALL, LA DIMINUTION DE LA MOBILITE DES PORTEURS MINORITAIRES FONCTION DU DOPAGE ET LES VITESSES DE RECOMBINAISONS EN SURFACE ET EN VOLUME SONT INCLUS DANS NOTRE TRAVAIL. LES PROFILS DE DOPAGES CONSIDERES SONT CONSIDERES COMME DE TYPE GAUSSIEN. POUR VALIDER NOTRE TRAVAIL UNE COMPARAISON DE NOS RESULTATS A ETE FAITE AVEC: DES RESULTATS OBTENUS A L'AIDE DU LOGICIEL MEDUSA UTILISE PAR MOTOROLA, DES RESULTATS EXPERIMENTAUX MESURES SUR DES TRANSISTORS MOTOROLA
Author: Salima Lassoued
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Languages : fr
Pages : 0
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Category : Integrated circuits
Languages : en
Pages : 536
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Author: Abassia Naimi
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Languages : fr
Pages : 192
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Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.
Author: MUSTAPHA.. SAHNOUNE
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Languages : fr
Pages : 138
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L'OBJET DE CETTE THESE EST L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE ET LA MODELISATION DU COURANT BASE D'UNE TELLE STRUCTURE. AYANT ANALYSE ET REUSSI A DISCRIMINER LES POINTS TECHNOLOGIQUES IMPORTANTS INFLUENCANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE, EN PARTICULIER LA QUALITE DES OXYDES D'ISOLATION ET DE LA BASE MONOCRISTALLINE AVANT DEPOT ET LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H, NOUS AVONS PU AMELIORER LE PROCEDE DE REALISATION. AINSI NOUS AVONS OBTENU DE MEILLEURES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS, TOUT PARTICULIEREMENT UN GAIN EN COURANT DE L'ORDRE DE 1400 POUR UN NOMBRE DE GUMMEL DANS LA BASE DE 2,4.10#1#1 S.CM##4 ET UN COEFFICIENT D'IDEALITE DE L'ORDRE DE 1,5 POUR LE COURANT BASE DE L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE. POUR CE FAIRE, NOUS AVONS FAIT APPEL A UN MODELE SEMI-ANALYTIQUE DU COURANT BASE DU TRANSISTOR QUI A PERMIS D'OBTENIR UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURANTS SIMULES ET EXPERIMENTAUX. L'ANALYSE DES EFFETS DES ETATS D'INTERFACES A L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE SUR LE COURANT I#B, ET DONC SUR LE FACTEUR D'IDEALITE, A PERMIS DE CONFIRMER UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS ELECTRIQUES ET DONC D'ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES SUR LES PERFORMANCES DU COMPOSANT
Author: Olivier Bonnaud
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Languages : fr
Pages : 245
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ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA NATURE DES EMETTEURS SUR LE GAIN DES TRANSISTORS BIPOLAIRES REALISES EN TECHNOLOGIE SILICIUM. DEUX TECHNIQUES ORIGINALES DE MESURE DU GAIN INTERNE OU LOCAL D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ONT ETE CONCUES ET MISES AU POINT, LA PREMIERE UTILISANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE EN FAIBLE MULTIPLICATION DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, LA DEUXIEME BASEE SUR LA POLARISATION LOCALE D'UNE STRUCTURE PAR EXCITATION OPTIQUE. CES TECHNIQUES APPLICABLES A DES COMPOSANTS INTEGRES A TRES GRANDE ECHELLE (VLSI) ONT PERMIS D'ETUDIER LE ROLE DES EMETTEURS CONSTITUES EN SILICIUM MONOCRISTALLIN OU POLYCRISTALLIN. LE GAIN DE CES STRUCTURES EST MODELISE EN TENANT COMPTE DES CONNAISSANCES ACTUELLES DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DES MATERIAUX QUI LES CONSTITUENT (EFFETS DE FORTS DOPAGES)
Author: ABDELJALIL.. SOLHI
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Languages : fr
Pages : 296
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L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DONT L'EMETTEUR EST CONSTITUE D'UN MATERIAU EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) MONTRE QUE LE FACTEUR D'IDEALITE DU COURANT DE BASE I#B EST LIE EN GRANDE PARTIE AUX ETATS D'INTERFACE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE. LA QUALITE DE CELLE-CI DETERMINE LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR. POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION MIS EN JEUX DANS CES STRUCTURES, NOUS AVONS D'ABORD DEVELOPPE UN MODELE SEMI-NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE RETROUVER LES CARACTERISTIQUES I#B(V#B#E) ET D'ANALYSER L'EFFET D'UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS REALISES. AFIN D'EVITER LES APPROXIMATIONS QUI ETAIENT A L'ORIGINE DE DISCORDES ENTRE LES COURBES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES A FORTS NIVEAUX D'INJECTION, POUR TENIR COMPTE DE TOUS LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU A-SI:H ET POUR BATIR UN MODELE PLUS GENERAL ET APPLICABLE A D'AUTRES STRUCTURES, NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE ENTIEREMENT NUMERIQUE DE LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE A-SI:H ET DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS REALISES. A PARTIR DE L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES CE MODELE NOUS A PERMIS DE TROUVER UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURBES SIMULEES ET EXPERIMENTALES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DES LIAISONS PENDANTES DANS LES MECANISMES DE CONDUCTION DANS LE A-SI:H AINSI QUE LE ROLE NEFASTE JOUE PAR LES ETATS D'INTERFACE SUR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS
Author: RAMZI.. BOURGUIGA
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Languages : fr
Pages : 297
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS A FORT DOPAGE DE BASE, AFIN DE DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT ET AMELIORER AINSI LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ETUDE ET LA QUALIFICATION D'UNE STRUCTURE TBH GAINP/GAAS REALISEE EN EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE AVEC UNE BASE FORTEMENT DOPEE AU CARBONE. L'UTILISATION DU MATERIAU GAINP PERMET DE DISPOSER D'UNE GRAVURE SELECTIVE DU MESA D'EMETTEUR ET DE DIMINUER LE COURANT DE RECOMBINAISON DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE. UNE NOUVELLE STRUCTURE TBH AVEC UNE FINE COUCHE DE GAINP INSEREE ENTRE L'EMETTEUR EN GAALAS ET LA BASE EN GAAS A ETE ETUDIEE ET QUALIFIEE. L'EPAISSEUR DE LA COUCHE GAINP A ETE OPTIMISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE TOUT EN CONSERVANT UNE FAIBLE RESISTIVITE DU CONTACT DE TYPE P DEPOSE DIRECTEMENT SUR LA COUCHE DE GAINP DE TYPE N. CETTE COUCHE DE GAINP RECOUVRE LA BASE EXTRINSEQUE ET PERMET D'ELIMINER LES COURANTS DE RECOMBINAISON DE SURFACE. DANS LA PARTIE SUIVANTE, L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DYNAMIQUES SUR LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TBH A ETE ANALYSEE. NOUS AVONS DEMONTREE QUE LE TEMPS DE TRANSIT INTRINSEQUE JOUE UN ROLE PREPONDERANT. POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE, NOUS AVONS OPTIMISE UNE STRUCTURE QUI COMPORTE UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE BASE GRADUELLE EN COMPOSITION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE DES STRUCTURES POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR. L'ANALYSE DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE BASE-COLLECTEUR MONTRE L'INFLUENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR LE TEMPS DE TRANSIT DANS CETTE ZONE. L'UTILISATION D'UN COLLECTEUR DE TYPE P OU DE TYPE P-N PERMET DE CONSERVER LES ELECTRONS EN REGIME DE SURVITESSE SUR UNE DISTANCE PLUS GRANDE DANS LE COLLECTEUR, CE QUI REDUIT LE TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS. POUR VALIDER CETTE ETUDE, NOUS AVONS SPECIFIE DES STRUCTURES EPITAXIALES ET REALISE DES TBH DE PETITE DIMENSION EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA. NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODOLOGIE POUR EXTRAIRE DES MESURES DYNAMIQUES LES DIFFERENTS PARAMETRES. NOUS AVONS DEMONTRE QUE LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE POUR UNE STRUCTURE TBH PRESENTANT UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE GRADUALITE DE COMPOSITION DANS LA BASE EST TRES FAIBLE, DE L'ORDRE DE 0,5 PS. CETTE VALEUR EST 60% PLUS FAIBLE QUE CELLE OBTENUE DANS UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE DE MEME EPAISSEUR (1,3 PS). NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UNE FORTE REDUCTION DU TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR POUR UNE STRUCTURE A COLLECTEUR P-N, 1,5 PS CONTRE 2,6PS POUR UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE, CE QUI CORRESPOND A UNE REDUCTION DE 40%
Author: Bruno Allard
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Languages : fr
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LA CAO EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE EXIGE NOTAMMENT QUE LA SIMULATION D'UN CIRCUIT PREDISE, AVEC PRECISION, LES CONTRAINTES ELECTRIQUES (ET THERMIQUES) ENDUREES PAR LES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR, AU COURS DES COMMUTATIONS. LES MODELES LES PLUS UTILISES ACTUELLEMENT (GUMMEL-POON, SPICE) SE MONTRENT INSUFFISANTS POUR DE TELLES SIMULATIONS, A CAUSE DE LA REPRESENTATION TROP EMPIRIQUE DU PHENOMENE DE SATURATION. LA SATURATION EST LA CONSEQUENCE DE LA PRESENCE D'UNE ZONE NEUTRE EN FORTE INJECTION DANS LE COLLECTEUR. POUR MODELISER CORRECTEMENT CE PHENOMENE, LE TRAVAIL PRESENTE FAIT APPEL A DES TECHNIQUES DE L'ANALYSE FONCTIONNELLE (APPROXIMATION INTERNE), ET DE LA THEORIE DES SYSTEMES (VARIABLES D'ETAT, GRAPHES DE LIENS). LE MODELE OBTENU EST UN GRAPHE DE LIENS SUPERPOSABLE A LA STRUCTURE GEOMETRIQUE DU DISPOSITIF, ET SUIT FIDELEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES INTERNES AU COMPOSANT. EN OUTRE, CONTRAIREMENT AU MODELE DE GUMMEL-POON, LES PARAMETRES SONT PEU NOMBREUX, TOUS SIGNIFICATIFS, ET CORRESPONDENT A LA SEULE DESCRIPTION TECHNOLOGIQUE DU DISPOSITIF. ENFIN, LES RESULTATS DE SIMULATION SONT TRES CONFORMES A L'EXPERIENCE, BIEN MEILLEURS QUE CEUX PRODUITS PAR SPICE DANS LE CADRE DE LA SATURATION, AVEC UN COUT DE CALCUL EQUIVALENT
Author: Pierre Pouvil
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Languages : fr
Pages : 446
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Book Description
SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
