Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques PDF Download
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Author: Xavier Marchal
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276
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Book Description
L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.
Author: Xavier Marchal
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L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.
Author: Xavier Marchal
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Pages : 276
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L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.
Author: Michel Girard
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ISBN: 9782704212224
Category :
Languages : fr
Pages : 524
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Book Description
D'après l'avant-propos : " Le chapitre 4 présente le transistor à effet de champ à jonction JFET et à grille isolée MOSFET. On trouve dans le chapitre 5 les principes de la commutation faible puissance et forte puissance. Le chapitre 6 présente la technologie des circuits intégrés analogiques bipolaires, BIFET, BIMOS, MOS et CMOS pour des fonctions classiques comme les amplificateurs opérationnels, les commutateurs analogiques, et moins classiques comme les circuits à capacités commutées. Le chapitre 7 présente les différentes technologies numériques (TTL, ECL, MOS, NMOS, CMOS, etc.) pour des fonctions à faible et forte intégration. Le chapitre 8 représente le sommet de la technologie intégrée avec l'apparition des ASIC pour différents degrés d'intégration à la demande, depuis les réseaux logiques programmables, jusqu'aux circuits spécifiques.Au chapitre 9, quelques éléments de CAO sont indiqués en simulation analogique avec des composants discrets classiques puis avec des composants intégrables dont les caractéristiques sont fournies par les fondeurs"
Author: Hervé Mathias
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 140
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Book Description
La cr2ation d'outils CAO specifiques pour l'automatisation du dessin des masques de circuits integres analogiques est devenue un enjeu important, particulierement dans le domaine des telecommunications, afin de pouvoir realiser rapidement des circuits mixtes comportant a la fois des parties logiques et analogiques. Ces outils specifiques doivent minimiser la surface totale occupee tout en assurant le bon fonctionnement final du circuit. Cette these presente donc deux logiciels originaux qui sont partie integrante d'un systeme complet de dessin des masques automatique pour les circuits integres analogiques. Le premier permet de dessiner des transistors mos dont la forme globale peut etre definie par l'utilisateur de maniere a ce qu'ils s'inserent mieux dans l'ensemble du circuit. Le second est un routeur analogique qui permet de realiser les interconnexions entre tous les composants du circuit tout en prenant en compte de maniere globale tous les elements parasites introduits (capacites et resistances). Ces deux outils ont permis l'introduction de nouvelles methodes de dessin des masques et ont ete completement integres dans un environnement de cao afin de donner un maximum de controle a l'utilisateur.
Author: Ali Mahdoum
Publisher: ISTE Group
ISBN: 1784057134
Category : Computers
Languages : fr
Pages : 274
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Book Description
CAO de circuits et de systèmes intégrés présente des techniques de développement d’algorithmes à base d’heuristiques ou de métaheuristiques qui permettent de répondre à des problèmes concrets d’aide à la conception de circuits et de systèmes intégrés. Il étudie d’abord la notion de complexité algorithmique qui permet de différencier les problèmes polynomiaux des problèmes non polynomiaux. Il analyse également les notions fondamentales sur la conception de circuits et de systèmes intégrés en se basant sur le flot de conception standard (flot en Y, diagramme de Gajski) permettant de représenter une entité donnée du point de vue comportemental, structurel et physique, à chaque niveau d’abstraction. Il traite enfin du compromis temps CPU/qualité de la solution, grâce à des techniques de réduction de l’espace des solutions, ainsi que des problèmes d’optimisation de temps sous la contrainte de la consommation d’énergie et d’optimisation de la consommation d’énergie sous la contrainte de temps.
Author: Corinne Daujan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 158
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Book Description
LE DEVELOPPEMENT DE LA MICROELECTRONIQUE A ETE CONSIDERABLE DEPUIS CES DIX DERNIERES ANNEES. IL SE TRADUIT PAR DES TAILLES DE COMPOSANTS EN CONSTANTE DIMINUTION OFFRANT DES POSSIBILITES D'INTEGRATION, POUR LES CIRCUITS INTEGRES, A TRES GRANDE ECHELLE. CETTE EVOLUTION A EU LIEU CONJOINTEMENT AVEC, ENTRE AUTRE, LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX LOGICIELS DE CAO, ET DE METHODES DE SIMULATION DE FAUTES DESTINEES A ANTICIPER LES CONSEQUENCES DES DEFAUTS DE PROCESS ET FACILITER AINSI L'INTERPRETATION DE CERTAINS RESULTATS DANS LA PHASE DE TEST DU CIRCUIT. CES METHODES, TRES AU POINT DANS LE DOMAINE DIGITAL, ONT PRIS UN CERTAIN RETARD DANS LE DOMAINE DE L'ANALOGIQUE DU A LA COMPLEXITE DE CELUI-CI. CE MANUSCRIT A POUR BUT DE PROPOSER UNE METHODE DE SIMULATION DE FAUTES ET D'ISOLATION DE FAUTES POUR LES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES, BASES SUR LA TECHNIQUE DU DICTIONNAIRE DE FAUTES. ELLE EST ENTIEREMENT AUTOMATISABLE CAR NOUS AVONS CHOISI DE TRAITER LES DONNEES DE FACON BINAIRE. SON APPLICATION SUR DES CIRCUITS CONCRETS, PREALABLEMENT CONCUS POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES, A PERMIS DE DETERMINER LES AVANTAGES AINSI QUE LES LIMITES DE CETTE METHODE.
Author: Luc Hebrard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 290
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Book Description
LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES (CIS) ANALOGIQUES SOUFFRE D'UN MANQUE CRUCIAL D'OUTILS CAO QUI PERMETTRAIENT DES TEMPS DE DEVELOPPEMENT ACCEPTABLES, COMPARABLES A CEUX DES CIRCUITS DIGITAUX DE MEME COMPLEXITE, ET UNE AMELIORATION DE LA QUALITE. UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES CIS ANALOGIQUES EST TOUT D'ABORD PRESENTEE. ELLE FAIT RESSORTIR L'IMPORTANCE DE LA HIERARCHISATION DES ETAPES DE CONCEPTION ET CELLE D'OUTILS SPECIFIQUES DE PRISE EN COMPTE DES PHENOMENES PARASITES (COUPLAGES CAPACITIFS, COURANTS DE FUITE, INTERACTIONS ELECTROTHERMIQUES,...), PHENOMENES PARTICULIEREMENT PERTURBATEURS POUR LE FONCTIONNEMENT DES CIRCUITS ANALOGIQUES. PARMI LA MYRIADE DES PHENOMENES PARASITES A ETUDIER, NOUS NOUS SOMMES OCCUPES DE L'EVALUATION DES INTERACTIONS ELECTROTHERMIQUES, NOTAMMENT RENCONTREES DANS LES CIS ANALOGIQUES OU MIXTES DE PUISSANCE (CONCEPT SMART POWER). NOUS AVONS DEVELOPPE UN SIMULATEUR THERMIQUE TRIDIMENSIONNEL, NOMME PICMOST, QUI, COUPLE A UN SIMULATEUR ELECTRIQUE DU MARCHE (EX. : SPICE3, HSPICE, ELDO,...), CONSTITUE LE SIMULATEUR ELECTROTHERMIQUE SETIPIC. PARALLELEMENT, UN BANC DE MESURES THERMIQUES PAR INFRAROUGE A ETE MIS AU POINT, EN COLLABORATION AVEC L'EQUIPE DE PHOTOLUMINESCENCE DU LABORATOIRE, POUR VALIDER SETIPIC. LA VALIDATION A PORTE SUR UN CI DE LA SOCIETE MOTOROLA ET LES RESULTATS OBTENUS SONT TRES SATISFAISANTS (UN ECART DE MOINS DE 5 % EST OBSERVE ENTRE LA DISTRIBUTION THERMIQUE MESUREE EN SURFACE DE LA PUCE DE SILICIUM ET CELLE OBTENUE APRES SIMULATION ELECTROTHERMIQUE DU CIRCUIT). LES PHENOMENES ELECTROTHERMIQUES SONT PARTICULIEREMENT LIES A LA TOPOLOGIE DU DESSIN DES MASQUES DU CI. NOUS AVONS FINALEMENT DEFINI LES PRINCIPES, DANS LE CADRE D'UN PROJET SUR L'AUTOMATISATION DU LAYOUT EN ANALOGIQUE, D'UN PLACEUR DE CELLULES ELEMENTAIRES TRAVAILLANT PAR RECUIT SIMULE ET PRENANT EN COMPTE TOUT PARTICULIEREMENT LES PHENOMENES THERMIQUES
Author: Noe͏̈lle Milet-Lewis
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 155
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Book Description
LES PROGRES DES DERNIERES DECENNIES DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE S'EXPLIQUENT NON SEULEMENT PAR LE PERFECTIONNEMENT DES PROCEDES DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES, MAIS AUSSI PAR L'INTERVENTION DE L'INFORMATIQUE A TRAVERS LA CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR. L'ETAPE PRELIMINAIRE DE SIMULATION DU CIRCUIT S'AVERE DESORMAIS INDISPENSABLE, ELLE PERMET DE VERIFIER A PRIORI SON BON FONCTIONNEMENT. LA COMPLEXITE CROISSANTE DES FONCTIONS INTEGREES SUR UNE SEULE PUCE ENTRAINE DES DUREES DE SIMULATION INACCEPTABLES. LA MODELISATION COMPORTEMENTALE DE SOUS-CIRCUITS APPORTE UNE REPONSE A CE PROBLEME, ELLE INTERVIENT A CHAQUE NIVEAU DE LA CONCEPTION HIERARCHIQUE D'UN CIRCUIT, DE LA FONCTION AU TRANSISTOR, ET PERMET D'OPTIMISER L'ETAPE DE SIMULATION. LE CONTEXTE ACTUEL DES CIRCUITS MIXTES EST PRIS EN CONSIDERATION A TRAVERS L'EXPOSE D'UNE STRATEGIE DE SIMULATION ADEQUATE PUIS LA MODELISATION COMPORTEMENTALE EST ABORDEE EN TERMES DE METHODES ET D'OUTILS D'AIDE A LA CONCEPTION. CES TRAVAUX PRESENTENT EN PARTICULIER UN MACROMODELE MODULAIRE D'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL, DE PRECISION AJUSTABLE ET GENERE AUTOMATIQUEMENT, AINSI QU'UNE BIBLIOTHEQUE DE MODELES DECRITS EN LANGAGE HDL-A, DESTINES A ASSISTER LA CONCEPTION D'UN SYSTEME ANALOGIQUE COMPLEXE SIMULANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE D'UN NEURONE BIOLOGIQUE.
Author: Faouzi Chaahoub
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
La realisation des circuits integres analogiques a hautes performances souffre de difficultes principalement dues a la reduction de la tension d'alimentation et a la reduction de la consommation, qui sont conduites par la proliferation des systemes portables alimentes par des batteries, mais patit aussi du manque d'outils de c.a.o permettant d'automatiser la phase de layout qui est assez laborieuse et prend beaucoup de temps. Cette these se situe dans ce contexte. Elle traite de deux domaines assez distincts mais complementaires, a savoir la conception de circuits integres analogiques a faible tension d'alimentation, et la generation automatique (ou assistee) du layout de ces circuits a l'aide d'algorithmes et de logiciels appropries. L'aboutissement de cette these est, premierement, la creation d'une nouvelle methode de conception des circuits integres analogiques, plus precisement la generation d'une technique de conception de nouvelle structure, plus adaptee aux basses tensions d'alimentation et aux faibles consommations, deuxiemement, notre contribution a l'automatisation de la phase du layout des circuits integres analogiques, a savoir l'etude detaillee des contraintes analogiques a prendre en compte dans tout outil d'automatisation du layout (generateur, placeur, routeur, compacteur), ainsi que notre participation au developpement de chrvan (outils d'automatisation des masques des circuits integres analogiques et mixtes, developpes au cnet grenoble) en aidant a sa mise au point, en l'utilisant, en proposant des ameliorations, et surtout en consacrant tous nos efforts a developpe un algorithme de placement des cellules analogiques qui prend en compte toutes ces contraintes analogiques.
Author:
Publisher: Ed. Techniques Ingénieur
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 24
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