Influence du substrat semi-isolant sur les caractéristiques électriques des transistors à effet de champ à l'arséniure de gallium PDF Download
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Author: Henri Tranduc (auteur d'une thèse de sciences.)
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Category :
Languages : fr
Pages : 158
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Author: Henri Tranduc (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 158
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Author: Henri Tranduc
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Languages : fr
Pages : 158
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EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. PROPOSITION D'UNE CONFIGURATION DES BANDES D'ENERGIE A L'INTERFACE SEMIISOLANT-SEMICONDUCTEUR ET DEFINITION DES METHODES DE DETERMINATION DES PARAMETRES PHYSIQUES DE LA STRUCTURE MULTICOUCHE: DOPAGES, MOBILITE, CHARGES D'INTERFACE, EPAISSEUR DE LA COUCHE N. ETUDE DES PHENOMENES DE RELAXATION QUI SE PRODUISENT, EN BASSES FREQUENCES, DANS CES STRUCTURES PLANES SUR SEMI-ISOLANT. EXPLICATION DE L'EXISTENCE DE DIVERSES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION, SITUEES ENTRE 2 LIMITES, ET DE LA FORME CIRCULAIRE DU DIAGRAMME D'ADMITTANCE DE SORTIE EN BASSES FREQUENCES
Author: JEAN-FRANCOIS.. FAUCHEUX
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Languages : fr
Pages : 124
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Author: Pascal Minondo
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Languages : fr
Pages : 171
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ON A MIS EN EVIDENCE DEUX TYPES D'EFFET PARASITE, IMPUTABLES AU SUBSTRAT SEMI-ISOLANT: L'EFFET TRANSCONDUCTIF ET L'EFFET CINETIQUE
Author: CHRISTIAN.. LE MOUELLIC
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Languages : fr
Pages : 226
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02ETUDE DU PHENOMENE DE COUDE PRESENT SUR LES CARACTERISTIQUES IDS=F(VDS, VGS) DE MESFET FAIBLE BRUIT A GAAS. ROLE JOUE PAR LA SURFACE DU DISPOSITIF DANS L'APPARITION DU PHENOMENE
Author: Jean-Louis Cazaux
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Languages : fr
Pages : 225
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UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Author: Louis Giraudet
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Languages : fr
Pages : 193
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Ce travail s'articule suivant deux axes : - l'étude des propriétés de transport des électrons dans le canal du transistor, pour laquelle a été développée une méthode originale de mesure d'effet hall différentiel sur biseau. cette étude a conduit a l'emploi de couches tampons en algainas pour séparer le canal du substrat inp semi-isolant. - la réalisation de transistors à effet de champ utilisant un contact de grille métal semi-conducteur. l'obtention de très faibles courants de fuite nécessite l'emploi d'une barrière en alinas entre la grille métallique et le canal en gainas. les transistors a transconductance élevée (200 ms/mm pour une longueur de grille de 1 mu m) présentent des fréquences de coupures élevées (206 hz)
Author: R. Soares
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Languages : en
Pages : 517
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Author: Benoît Lambert
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Languages : fr
Pages : 0
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Ces travaux présentent une étude sur le mécanisme d'ionisation par impact se produisant dans les transistors à effet de champ de puissance sur substrat GaAs. Ce mécanisme est un effet parasite des FETs et consiste en la création de paires électrons/trous dans le canal induit par les électrons fortement accélérés par 1e champ électrique. Cette étude porte sur quatre technologies de FETs (MESFET DCFET, PHEMT et PHEMT de puissance). L'influence du mécanisme d'ionisation, par impact sur les performances électriques statiques des dispositifs a été évalué, notamment sur les caractéristiques de grille, de transfert et sur les lieux de claquage mesurés à l'aide d'une technique d'injection de courant. Le banc de mesure du bruit aux basses fréquences associé au courant de grille développé durant cette thèse, est décrit dans la deuxième partie. La caractérisation du bruit de grille des FETs en régime d'ionisation par impact a permis de modéliser le bruit en 1/f comme étant proportionnel au taux d'ionisation au carré. De plus, l'analyse du bruit en courant des contacts Schottky s'est révélée efficace pour la détection des dégradations localisées aux interfaces passivation/semiconducteur et passivation/métallisation. La dernière partie de ce document présente une étude de fiabilité menée sur les technologies MESFET, PHEMT et PHEMT de puissance ayant subies des vieillissements sous polarisations statiques associés ou non à un fonctionnernent dynamique en régime de compression du gain. Il apparaît que le mécanisme d'ionisation par impact associé au champ électrique est un mécanisme de dégradation présentant des modes de dégradation qui dépendent de la technologie.
Author: Pierre Pouvil
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Languages : fr
Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
