Étude et réalisation d'un multiplieur analogique utilisant des transistors à effet de champ PDF Download
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Author: Yves Genet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 206
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Book Description
L'objet de ce travail est la réalisation d'un générateur de fonction analogique qui effectue le produit algébrique de deux variables.
Author: Yves Genet
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 206
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Book Description
L'objet de ce travail est la réalisation d'un générateur de fonction analogique qui effectue le produit algébrique de deux variables.
Author: Allain Colinet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 104
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Book Description
Author: Christophe Brosteaux
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
CE TRAVAIL DE THESE CONCERNE L'ETUDE DE LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN GENERAL ET LA REALISATION D'UN TRIPLEUR 10-30 GHZ EN PARTICULIER. LES SYNTHETISEURS DE FREQUENCE A QUARTZ ET A BOUCLE A VERROUILLAGE DE PHASE, UTILISES CONJOINTEMENT AVEC DES MULTIPLICATEURS DE FREQUENCE, CONSTITUENT ACTUELLEMENT LES SOURCES DE FREQUENCES LES PLUS REPANDUES POUR REPONDRE AUX EXIGENCES DE QUALITE REQUISES PAR LES APPLICATIONS TELLES QUE: RADARS, COMMUNICATIONS TERRESTRES ET INTER SATELLITE, RADIOMETRIE, SPECTROMETRIE LES MULTIPLICATEURS A DIODES CONSTITUENT DES DISPOSITIFS A PERTES DIFFICILEMENT COMPATIBLES AVEC LES EXIGENCES D'INTEGRATION MMIC ACTUELLES. LA REALISATION DE MULTIPLICATEURS A TRANSISTORS PERMETTANT L'OBTENTION D'UN GAIN DE CONVERSION ET L'IMPLANTATION AU SEIN D'UN CIRCUIT INTEGRE CONSTITUE UN PROGRES TRES APPRECIABLE MAIS LA COMPLEXITE DE MISE EN UVRE DE CES DISPOSITIFS FAIT QUE LEUR REALISATION A ETE JUSQU'A MAINTENANT LIMITEE A DES DOUBLEURS. NOTRE TRAVAIL A EU POUR OBJECTIF PRINCIPAL D'ETUDIER LES POSSIBILITES DES TRANSISTORS HEMTS LES PLUS RECENTS POUR UN FONCTIONNEMENT, NON PAS EN DOUBLEUR, MAIS EN TRIPLEUR. APRES AVOIR FAIT UNE SYNTHESE DES PRINCIPAUX MULTIPLICATEURS DE FREQUENCE EXISTANTS, NOUS AVONS ETUDIE PAR SIMULATION LES CONDITIONS IDEALES D'IMPEDANCES DE FERMETURE A REMPLIR POUR DISPOSER DE TRIPLEURS A TRANSISTOR PERFORMANTS. CELA A ETE POSSIBLE GRACE A UNE MODELISATION NON LINEAIRE PRECISE DES COMPOSANTS ACTIFS EMPLOYES. CETTE ETUDE A DEBOUCHE SUR LA REALISATION D'UN TRIPLEUR 10-30 GHZ A P-HEMT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE QUI CONSTITUE L'ETAT DE L'ART EN TRIPLEUR DE FREQUENCE A TRANSISTOR AVEC UN GAIN DE CONVERSION ET UN RENDEMENT ATTEIGNANT, RESPECTIVEMENT, 8,5 DB ET 7%. NOUS AVONS EGALEMENT EFFECTUE UNE ETUDE DU BRUIT DE PHASE AJOUTE PAR CE DISPOSITIF ; LES MESURES MONTRENT QUE L'UTILISATION DE TRIPLEURS P-HEMTS PERMET LA CONCEPTION DE SOURCES FREQUENTIELLES TRES PURES.
Author: Thierry Coupez
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 192
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Book Description
L'étude que nous présentons a pour objet la recherche de structures multipuits particulièrement non linéaires, en vue d'applications en mélangeur ou en multiplicateur de fréquence, en gammes millimétriques. Des simulations quasi-statiques et dynamiques petit signal ont été réalisées à l'aide d'un programme de contrôle de charge. Celui-ci est basé sur la résolution autocohérente des équations de Poisson et de Schrodinger. Le choix de la technique du plan de dopage confère à la structure une meilleure compacité et un meilleur contrôle électronique dans les canaux. Conjointement à ces simulations, des transistors à effet de champ ont été réalisés et caractérisés. Pour satisfaire le critère de montée en fréquence, les structures de ces composants ont été limitées à deux puits de potentiel. Une comparaison essentiellement qualitative entre les évolutions de transconductance théoriques et expérimentales a montré que la non-linéarité du profil dépend fortement de la charge dopante introduite dans le plan de dopage intercalé entre les deux puits quantiques. Des divergences entre la théorie et l'expérience sot apparues pour des valeurs atteignant 4,8.1012 at/cm2. Elles remettent ainsi en cause, pour le dopage planaire, le modèle d'ionisation des atomes donneurs à un seul niveau d'énergie d'activation. Une étude exclusivement théorique portant sur la multiplication de fréquence a été menée à l'aide d'un logiciel de CAO : microwave design simulator. L'exploitation des profils de transconductance et de courant de drain montre l'importance du choix de la polarisation de grille et de la puissance disponible à l'entrée du transistor sur les performances du processus de multiplication
