ETUDE DU FONCTIONNEMENT D'UN REACTEUR DE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM ASSISTE PAR PLASMA PDF Download
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Author: Alain Dollet
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Languages : fr
Pages : 253
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Book Description
UNE MODELISATION NUMERIQUE A ETE EFFECTUEE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT D'UN REACTEUR ASSISTE PAR UN PLASMA RADIOFREQUENCE POUR LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM DANS UN MELANGE SILANE-AMMONIAC. DES MODELES BIDIMENSIONNELS D'HYDRODYNAMIQUE ET DE TRANSFERT DE MATIERE ONT ETE MIS AU POINT POUR DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE DU GAZ, L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DES FILMS, AINSI QUE LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DIFFERENTES ESPECES GAZEUSES. POUR L'ELABORATION DU MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE, NOUS AVONS DU ENTREPRENDRE DES ANALYSES EXPERIMENTALES ET UNE ETUDE DE MECANISMES CHIMIQUES CONDUISANT AU DEPOT. LES TAUX DE PRODUCTION D'ESPECES ACTIVES UTILISEES DANS CE MODELE ONT ETE OBTENUS A PARTIR D'UNE MODELISATION DE DECHARGE ELECTRIQUE. LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE NECESSITE UN TEMPS DE CALCUL TRES LONG, AUSSI AVONS-NOUS ELABORE UN MODELE SIMPLIFIE PERMETTANT D'OBTENIR TRES RAPIDEMENT DES RESULTATS ASSEZ PRECIS. IL EST DONC TRES UTILE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES. LA SIMULATION D'UN REACTEUR A PLASMA PULSE A EGALEMENT ETE EFFECTUEE. A L'ISSUE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LE ROLE DETERMINANT DES RADICAUX AMINOSILANES DANS LE PROCESSUS DE CROISSANCE DES FILMS. NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE L'EQUIPEMENT QUI A ETE ETUDIE EST MAL ADAPTE POUR LA PRODUCTION INDUSTRIELLE, ET NOUS AVONS ALORS PROPOSE UNE GEOMETRIE DE REACTEUR PLUS APPROPRIEE
Author: Alain Dollet
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Pages : 253
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UNE MODELISATION NUMERIQUE A ETE EFFECTUEE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT D'UN REACTEUR ASSISTE PAR UN PLASMA RADIOFREQUENCE POUR LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM DANS UN MELANGE SILANE-AMMONIAC. DES MODELES BIDIMENSIONNELS D'HYDRODYNAMIQUE ET DE TRANSFERT DE MATIERE ONT ETE MIS AU POINT POUR DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE DU GAZ, L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DES FILMS, AINSI QUE LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DIFFERENTES ESPECES GAZEUSES. POUR L'ELABORATION DU MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE, NOUS AVONS DU ENTREPRENDRE DES ANALYSES EXPERIMENTALES ET UNE ETUDE DE MECANISMES CHIMIQUES CONDUISANT AU DEPOT. LES TAUX DE PRODUCTION D'ESPECES ACTIVES UTILISEES DANS CE MODELE ONT ETE OBTENUS A PARTIR D'UNE MODELISATION DE DECHARGE ELECTRIQUE. LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE NECESSITE UN TEMPS DE CALCUL TRES LONG, AUSSI AVONS-NOUS ELABORE UN MODELE SIMPLIFIE PERMETTANT D'OBTENIR TRES RAPIDEMENT DES RESULTATS ASSEZ PRECIS. IL EST DONC TRES UTILE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES. LA SIMULATION D'UN REACTEUR A PLASMA PULSE A EGALEMENT ETE EFFECTUEE. A L'ISSUE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LE ROLE DETERMINANT DES RADICAUX AMINOSILANES DANS LE PROCESSUS DE CROISSANCE DES FILMS. NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE L'EQUIPEMENT QUI A ETE ETUDIE EST MAL ADAPTE POUR LA PRODUCTION INDUSTRIELLE, ET NOUS AVONS ALORS PROPOSE UNE GEOMETRIE DE REACTEUR PLUS APPROPRIEE
Author: LUCIEN.. DATE
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Languages : fr
Pages : 167
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DANS CE MEMOIRE, NOUS AVONS ETUDIE LE PROCEDE DE DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX N 2O/SIH 4. LE DEBIT DE N 2O ETANT TRES LARGEMENT SUPERIEUR A CELUI DE SIH 4 DANS LES MELANGES CONSIDERES, LA DECOMPOSITION DE N 2O DANS LE PLASMA A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE PRECISE. LES DONNEES PROVENANT DE LA LITTERATURE ET DE LA MODELISATION DE LA DECHARGE ONT PERMIS DE DEVELOPPER UN MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE QUI REPRODUIT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX CONCERNANT LA CONSOMMATION DE N 2O ET LA PRODUCTION N 2 ET O 2, EN FONCTION DE LA DENSITE DE PUISSANCE. EN CE QUI CONCERNE LE PROCEDE N 2O/SIH 4, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES SUR LE PROFIL DES VITESSES DE DEPOT. NOUS AVONS OBSERVE UNE INHOMOGENEITE IMPORTANTE DES COUCHES SYNTHETISEES, QUAND LES GAZ REACTIFS SONT EPUISES RAPIDEMENT DES L'ENTREE DANS LE REACTEUR. MALGRE LA COMPLEXITE DES PHENOMENES MIS EN JEU AU COURS DU PROCESSUS DE DEPOT, LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE A PERMIS DE REPRODUIRE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, EN CONSIDERANT QUE H 2SIO EST LE PRECURSEUR PRINCIPAL DE DEPOT. CONCERNANT LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A MONTRE QUE C'EST AUX TEMPERATURES ELEVEES ET AVEC UNE DILUTION IMPORTANTE DE N 2O/SIH 4 PAR L'HELIUM QUE L'ON PARVIENT A AUGMENTER REELLEMENT LA DENSITE DE LIAISONS SI-O AU DETRIMENT DES LIAISONS OH. LA COMPOSITION DES COUCHES (O, SI, N) TRAITEE PAR LA MICROSONDE ELECTRONIQUE A REVELE UNE ABSENCE D'AZOTE, ET UN RAPPORT O/SI CROISSANT ET QUI TEND VERS 2, DE L'ENTREE VERS LA SORTIE DU REACTEUR. CONCERNANT LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COUCHES D'OXYDE, NOUS AVONS MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE DU DEPOT, DU RAPPORT DES DEBITS N 2O/SIH 4 ET DE DILUTION PAR L'HELIUM FAVORISENT UNE DIMINUTION DE LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES ET D'ETATS D'INTERFACE LIEE A LA NATURE PHYSICO-CHIMIQUE DU MATERIAU.
Author: Hubert Caquineau
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Languages : fr
Pages : 205
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DANS CE TRAVAIL, DES MODELES NUMERIQUES ONT ETE DEVELOPPES POUR SIMULER LE COMPORTEMENT DE PLUSIEURS REACTEURS CLASSIQUES DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. CES MODELES PRENNENT EN COMPTE LES PHENOMENES DISSOCIATIFS DUS A L'UTILISATION D'UNE DECHARGE, LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE TRANSFERT DE MATIERE. LE PREMIER OBJECTIF DE L'AUTEUR A ETE DE REPRODUIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DANS DEUX TYPES DE REACTEURS DE CONCEPTION TRES DIFFERENTE, DANS LE CAS DU NITRURE DE SILICIUM DEPOSE A PARTIR DE SILANE ET D'AMMONIAC. POUR CELA, UN MECANISME CHIMIQUE COMPLEXE PRENANT NOTAMMENT EN CONSIDERATION UNE FAIBLE REACTIVITE DU RADICAL TRIAMINOSILYL ET L'ABSTRACTION D'HYDROGENE SUR LES ESPECES AMINOSILICIEES STABLES, A ETE ENVISAGE. L'ANALYSE DES RESULTATS DE MODELISATION MONTRE QUE LA CONSOMMATION DU SILANE ET SES CONSEQUENCES SUR LES TAUX DE PRODUCTION DES DIFFERENTES ESPECES RADICALAIRES JOUENT UN ROLE PREPONDERANT SUR LA VITESSE DE DEPOT ET LA COMPOSITION DU MATERIAU. UNE COMPARAISON DE PLUSIEURS REACTEURS A ETE ALORS EFFECTUEE. LES REACTEURS A INJECTION DISTRIBUEE ONT ETE MONTRES COMME OFFRANT LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE UNIFORMITE DES DEPOTS ET DE COMPOSITION, ALORS QUE POUR DES REACTEURS A INJECTION LOCALISEE, IL EST IMPOSSIBLE D'OBTENIR DES DEPOTS D'EPAISSEUR CONSTANTE ET DE COMPOSITION VOULUE. L'INFLUENCE DES DIMENSIONS DES REACTEURS A EGALEMENT ETE ANALYSEE. PAR AILLEURS, UNE ETUDE SUR LA CHIMIE DES DECHARGES DANS LES MELANGES SILANE-PROTOXYDE D'AZOTE POUR LE DEPOT DE SILICE A ETE INITIEE. DANS CE TRAVAIL, LA MODELISATION A ETE UTILISEE SOUS TOUS CES ASPECTS. ELLE A PERMIS LA DETERMINATION D'UN MECANISME CHIMIQUE, LA COMPREHENSION DES PROCESSUS GOUVERNANT LES PROCEDES, AINSI QUE L'AIDE A LA CONCEPTION ET A L'OPTIMISATION DES PROCEDES
Author: Gisèle Serrano
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Languages : fr
Pages : 11
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CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Author: Gisèle Serrano
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Chakib Fakih
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Languages : fr
Pages : 312
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FONCTIONNEMENT SELON LE PRINCIPE DE LA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION BY DISTINCT ELECTRONIC AND THERMAL ACTIVATIONS, UN NOUVEAU DISPOSITIF EST MIS EN UVRE POUR LE DEPOT DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM. LES DEPOTS ONT ETE CARACTERISES PAR DIFFERENTES METHODES ANALYTIQUES TELLES QUE, ELLIPSOMETRIE DANS LE VISIBLE, SPECTROSCOPIES I.R.-T.F., AUGER, ESCA ET MEME PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A 1,2 MV EN UTILISANT L'APPAREIL DU LABORATOIRE D'OPTIQUE ELECTRONIQUE DU CEMES/CNRS DE TOULOUSE. LES CONDITIONS OPERATOIRES REQUISES POUR L'ELABORATION DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM DE TRES HAUTE QUALITE ONT ETE MISES EN EXERGUE
Author: Jean-Louis Jauberteau
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Languages : fr
Pages : 240
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LA PREMIERE PARTIE EST RELATIVE A L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE EN COURANT CONTINU D'UN MELANGE GAZEUX REACTIF AR-SIH::(4)-N::(2). L'EVOLUTION DU SYSTEME LORSQUE LA CONCENTRATION EN AZOTE CONTINUE DANS LE MELANGE GAZEUX AUGMENTE EST ETUDIEE. LA DEUXIEME PARTIE, COMPLEMENTAIRE, PRESENTE UNE APPROCHE POUR LA COMPREHENSION DE LA REACTIVITE DU SILANE EN POST-DECHARGE D'AZOTE. CETTE PARTIE COMPORTE, OUTRE LA PRESENTATION D'UN AUTRE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM, LES PROPOSITIONS DE PROCESSUS REACTIONNELS QUI SONT SUSCEPTIBLES D'APPARAITRE EN PLASME DE DECHARGE AR-SIH::(4)-N::(2)
Author: Dominique Duchesne
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Languages : fr
Pages : 183
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ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES DIFFERENTS ASPECTS DE LA PHASE AQUEUSE D'UNE DECHARGE LUMINESCENTE BASSE PRESSION DANS UN MELANGE AR/SIH::(4)-N::(2). LES PREMIERS RESULTATS OBTENUS SUR LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT ENSUITE PRESENTES ET QUELQUES POINTS DE SIMILARITE ENTRE LES CARACTERISTIQUES DE LA PHASE GAZEUSE ET LES PROPRIETES DES DEPOTS SONT DONNES
Author: JEAN LUC.. GUIZOT
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LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR ULTRAVIOLET CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UVCVD) CONSTITUE UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE AUX DEPOTS ASSISTES PAR PLASMAS QUI SONT, A CE JOUR, UTILISES PAR LA PASSIVATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES REALISES SUR DES SUBSTRATS D'ARSENIURE DE GALLIUM. CETTE TECHNIQUE DE DEPOT EST BASEE SUR LA PHOTOLYSE DE MOLECULES D'AMMONIAC PAR UN RAYONNEMENT ULTRAVIOLET PROVENANT D'UNE LAMPE A MERCURE BASSE PRESSION EN PRESENCE DE MOLECULES DE SILANE. L'ENSEMBLE DES REACTIONS CHIMIQUES AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE, ENTRE LES RADICAUX ISSUS DE LA PHOTODISSOCIATION DE NH#3 ET LES MOLECULES DE SIH#4, PERMETTENT DE CREER LES RADICAUX SIH#2, SIH#3, NH#2 ET H RESPONSABLES DE LA CROISSANCE DU FILM DE NITRURE DE SILICIUM. UNE DES SPECIFICITES DES REACTEURS UVCVD RESIDE DANS L'ABSENCE D'IONS DANS LA PHASE GAZEUSE CE QUI SUPPRIME AINSI LE BOMBARDEMENT IONIQUE DE LA SURFACE DE GAAS (001) ET DONC SON AMORPHISATION PENDANT LA CROISSANCE DE LA COUCHE ISOLANTE COMME CELA EST LE CAS DANS DES REACTEURS ASSISTES PLASMAS. LA QUALITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MESFETS OBTENUS SDUR GAAS DEPEND FORTEMENT DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE L'INTERFACE ISOLANT-SEMICONDUCTEUR AINSI QUE DE LA QUALITE CRYSTALLOGRAPHIQUE DE LA SURFACE DE GAAS. UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS AU SEIN DU REACTEUR DE DEPOT, PAR INTERACTION DE CELLE-CI AVEC DES HYDRURES OU DE L'HYDROGENE MOLECULAIRES, PEUT ETRE ENVISAGE POUR AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DE CETTE INTERFACE. DANS LE CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR UVCVD UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS (001) PAR PHOTOLYSE DE NH#3 PERMET D'ATTEINDRE UN DOUBLE OBJECTIF: SUPPRIMER LES OXYDES DE GALLIUM ET D'ARSENIC AINSI QUE LES IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE PRESENTES A LA SURFACE DE GAAS AU MOMENT DE SON INTRODUCTION DANS LE REACTEUR UVCVD, ET CECI, SANS CREER DE DOMMAGES STRUCTURELS A LA SURFACE DE GAAS; FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM QUI MIN
Author: Hervé Moisan
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Languages : fr
Pages : 117
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Book Description
LES COMPOSANTS OPTIQUES INTEGRES PASSIFS SUR SILICIUM SONT PARMI LES CONSTITUANTS CLES DES FUTURS RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. L'ELEMENT DE BASE DE CES COMPOSANTS EST LE GUIDE OPTIQUE INTEGRE MONOMODE AUX LONGUEURS D'ONDES 1,3 ET 1,55 M. SA FABRICATION FAIT INTERVENIR LE DEPOT DE COUCHE DE SILICE PURE OU DOPEE DE FORTE EPAISSEUR (20 A 30 M) ET UNIFORMES. LA METHODE DE DEPOT ETUDIEE UTILISE UN REACTEUR A PLASMA MICROONDES ENTRETENU PAR DES ONDES DE SURFACE ET DES PRECURSEURS SOUS FORME DE CHLORURES. L'INTERET ESSENTIEL DE CE PROCEDE EST LA POSSIBILITE DE DEPOSER A RELATIVEMENT BASSE TEMPERATURE (600C) SANS LA NECESSITE D'UN RECUIT ULTERIEUR DU DEPOT. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A LA RECHERCHE DES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A DES COUCHES DE SILICE DENSES, PURES, ET HOMOGENES EN INDICE. LA SECONDE PARTIE PORTE SUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTION DES GAZ ET DE LA GEOMETRIE DU POMPAGE POUR ATTEINDRE L'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR SOUHAITEE. UN LOGICIEL DE SIMULATION EST MIS AU POINT ET PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTEUR SUR LA REGULARITE DE L'ECOULEMENT DES GAZ PRES DU SUBSTRAT. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMISEES (PRESSION DE 30 MTORR ET TEMPERATURE DE 600C) ONT PERMIS L'OBTENTION, AVEC UNE FORTE VITESSE DE DEPOT (200 NM/MIN) ET SANS RECUIT ULTERIEUR, DE COUCHES DE SILICE PURE OU DOPEE GERMANIUM, PRESENTANT UNE HOMOGENEITE D'EPAISSEUR DE 1% ET UNE REGULARITE D'INDICE DE 0,03%. L'ATTENUATION OPTIQUE DES PREMIERS GUIDES (0,2 DB/CM A 1,3 M ET 0,4 DB/CM A 1,55 M) EST COMPATIBLE AVEC LES FONCTIONS OPTIQUES VISEES
