Etude du comportement de l'oxygène dans le silicium et dans l'oxyde de silicium sous bombardement par des électrons de quelques Kev PDF Download
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Author: Pierre Juliet
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Languages : fr
Pages : 176
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Book Description
ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
Author: Pierre Juliet
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
Author: Allal Serrari
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Languages : fr
Pages : 194
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Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.
Author: ISABELLE.. TRIMAILLE
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Languages : fr
Pages : 115
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LE BUT DE CETTE THESE EST D'AMELIORER NOTRE CONNAISSANCE DE L'OXYDATION DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC. POUR CELA NOUS AVONS UTILISE LE TRACAGE ISOTOPIQUE A L'OXYGENE 18 ET LA MICROANALYSE NUCLEAIRE. IL AVAIT ETE PRECEDEMMENT ETABLI QU'APRES DES OXYDATIONS D'ABORD EN OXYGENE NATUREL, PUIS EN OXYGENE FORTEMENT ENRICHI EN OXYGENE 18, ON TROUVE DANS LA COUCHE D'OXYDE FORMEE, L'OXYGENE LOURD AUX DEUX INTERFACES: PRINCIPALEMENT A L'INTERFACE AVEC LE SILICIUM MAIS AUSSI A LA SURFACE EXTERNE DE L'OXYDE. LA FIXATION A LA SURFACE RESULTE D'UN PHENOMENE DE TRANSPORT DES ATOMES D'OXYGENE DU RESEAU, INDUIT PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS. GRACE A LA RESONANCE A 151 KEV DE LA REACTION NUCLEAIRE #1#8O(P,)#1#5N, NOUS AVONS PU MONTER QUE LE PROFIL D'OXYGENE LOURD PRES DE LA SURFACE EST TRES PROCHE D'UNE FONCTION ERREUR COMPLEMENTAIRE. LA QUANTITE DE L'ISOTOPE LOURD FIXE EN SURFACE AUGMENTE LORSQUE L'EPAISSEUR DU FILM DIMINUE. PLUS LES FILMS SONT MINCES, PLUS GRANDE EST LA VITESSE D'OXYDATION INTERFACIALE. PAR IMPLANTATION D'AZOTE, NOUS AVONS INHIBE L'OXYDATION INTERFACIALE. L'ANALYSE NUCLEAIRE NOUS A PERMIS DE MONTER QUE LA FIXATION D'OXYGENE EN SURFACE NE DEPENDAIT PAS DE LA VITESSE D'OXYDATION. GRACE A UNE ETUDE EN FONCTION DE LA PRESSION D'OXYDATION, NOUS AVONS PU PROPOSER COMME DEFAUT RESPONSABLE DU MOUVEMENT DES ATOMES D'OXYGENE, LE PONT PEROXYL (LIAISON O-O). NOUS AVONS EVALUE LA PROPORTION DE CROISSANCE DU A CE MECANISME. NOUS AVONS ETUDIE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM POUR DEUX NETTOYAGES CHIMIQUES DU SILICIUM. LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE SUIVI D'UN RINCAGE A L'ETHANOL CONDUIT A UNE PLUS GRANDE QUANTITE D'ATOMES DE SILICIUM SOUS FORME DE FRAGMENTS DANS L'OXYDE QUE LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE/ETHANOL. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'OXYDATION D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM: UNE COUCHE PURE SE SILICE SE FORME PAR DES MECANISMES IDENTIQUES A CEUX DE L'OXYDATION DU SILICIUM
Author: Loi͏̈c Pilorget
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Languages : fr
Pages : 125
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Author: Florent Tanay
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Languages : fr
Pages : 228
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Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
Author: DANIEL.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 86
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ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
Author: BENAFGOUI.. SEFSAF
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Languages : fr
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CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL
Author: Fabien Chabuel
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Languages : fr
Pages : 199
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L'objectif de ce travail est l'étude du comportement des films d'oxyde de silicium dopés phosphore à haute température (850°C-1050°C). Les observations expérimentales montrent que dans certaines conditions de température et d'atmosphère de recuit (azote, oxygène, vapeur d'eau), il se produit un dégazage s'accompagnant de la formation des bulles dans le matériau. Une étude thermodynamique du système SiO2-P2O5 a été réalisée pour déterminer les principaux facteurs d'apparition des bulles. Elle montre qu'il y a une formation d'espèces gazeuses lors de recuits sous atmosphère humide. Le traitement thermique génère aussi des modifications structurales du matériau. Les variations des propriétés physiques du matériau telles que l'indice de réfraction, la contrainte et la viscosité ont été étudiées. En particulier, la viscosité est un paramètre important pour la formation des bulles. Nous avons observé qu'il est nécessaire d'avoir une viscosité spécifique pour permettre la nucléation de bulles. Le modèle de maturation d'Ostwald a été adapté à notre système et nous avons déterminé le paramètre limitant la croissance des bulles dans l'oxyde. L'étude de ces phénomènes permet une meilleure connaissance du comportement des films d'oxyde de silicium dopé soumis à des traitements thermiques et une meilleure maîtrise des procédés.
Author: JOCELYNE.. LEROUEILLE
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Languages : fr
Pages : 89
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LE CARBONE EN SUBSTITUTION DANS LE SILICIUM DETERMINE UNE DES ETAPES DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL. IL Y A FORMATION DE COMPLEXES QUI EVOLUENT LORS DE TRAITEMENTS THERMIQUES ET DEVIENNENT DONNEURS. A HAUTE TEMPERATURE, LES DONNEURS SI-O::(2) SE DISSOLVENT ET LES COMPLEXES, CARBONE-OXYGENE PIEGENT DAVANTAGE D'OXYGENE. A 600**(O)C, UNE DES FORMES D'EQUILIBRE DES COMPLEXES C-O POSSEDE UN CARACTERE DONNEUR. LES METHODES UTILISEES SONT LA CONDUCTIVITE (METHODES DES 4 POINTES) ET L'ABSORPTION IR
Author: Jean-Louis Vignes
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Category :
Languages : fr
Pages : 241
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Book Description
CARACTERISATION DES DEPOTS D'ARGENT. ANALYSE DE LA REACTION DE CES DEPOT AVEC L'OXYGENE SOUS FAIBLE PRESSION PARTIELLE (10**(-7)-10**(-6)PA) A TEMPERATURE AMBIANTE . ETUDE DU COMPORTEMENT VIS A VIS DE L'OXYGENE EN FONCTION DE L'ORIENTATION DU SUBSTRAT, DU DEGRE DE RECOUVREMENT EN ARGENT ET DE L'ARRANGEMENT ATOMIQUE DE L'ARGENT. AVANTAGE DE LA METHODE D'ANALYSE
