Étude de la contre-réaction dans les amplificateurs hyperfréquences à transistor à effet de champ au GaAs PDF Download
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Author: Han-Kyu Park
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Languages : fr
Pages : 138
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RAPPEL DES CARACTERISTIQUES DU MODELE TRANSISTOR A EFFET CHAMP ET UTILISATION DE L'ANALYSEUR DE RESEAU AUTOMATIQUE HEWLE H PACKARD POUR LA DETERMINATION DES PARAMETRES S DU TRANSISTOR CONSIDERE COMME QUADRIPOLE. DEDUCTION DU GAIN EN PUISSANCE ET DU COEFFICIENT DE STABILITE. CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR A L'AIDE DU SCHEMA ELECTRIQUE DU TRANSISTOR MESURE. COLABORATION ET DETERMINATION DU SCHEMA EQUIVALENT CORRESPONDANT AUX PARAMETRES S DU TRANSISTOR MESURE. PRESENTATION DE LA REALISATION DE L'AMPLIFICATEUR SUR MICROSTRIP (VERRE-TEFLON) A L'AIDE DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT AJUSTES PAR SIMULATION. THEORIE DU BRUIT DU TRANSISTOR. RESULTATS THEORIQUES OBTENUS POUR L'EFFET D'UNE CONTRE-REACTION DANS LES AMPLIFICATIONS HYPERFREQUENCE A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (GAAS)
Author: Han-Kyu Park
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Languages : fr
Pages : 138
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RAPPEL DES CARACTERISTIQUES DU MODELE TRANSISTOR A EFFET CHAMP ET UTILISATION DE L'ANALYSEUR DE RESEAU AUTOMATIQUE HEWLE H PACKARD POUR LA DETERMINATION DES PARAMETRES S DU TRANSISTOR CONSIDERE COMME QUADRIPOLE. DEDUCTION DU GAIN EN PUISSANCE ET DU COEFFICIENT DE STABILITE. CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR A L'AIDE DU SCHEMA ELECTRIQUE DU TRANSISTOR MESURE. COLABORATION ET DETERMINATION DU SCHEMA EQUIVALENT CORRESPONDANT AUX PARAMETRES S DU TRANSISTOR MESURE. PRESENTATION DE LA REALISATION DE L'AMPLIFICATEUR SUR MICROSTRIP (VERRE-TEFLON) A L'AIDE DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT AJUSTES PAR SIMULATION. THEORIE DU BRUIT DU TRANSISTOR. RESULTATS THEORIQUES OBTENUS POUR L'EFFET D'UNE CONTRE-REACTION DANS LES AMPLIFICATIONS HYPERFREQUENCE A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (GAAS)
Author: Han-Kyu Park
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Languages : fr
Pages : 136
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Author: Han-Kyu Park
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Languages : fr
Pages : 136
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Author: ANDRE.. LOEMBE
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Languages : fr
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ETUDE COMPARATIVE DES METHODES DE CARACTERISATION D'UN MESFET GAAS HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. DESCRIPTION ET VALIDATION DU PROGRAMME DE SIMULATION. ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INTERMODULATION D'ORDRE 3 EN FONCTION DE LA POLARISATION. CARACTERISATION DES TRANSISTORS A L'AIDE D'UN BANC DE MESURE AUTOMATIQUE. APPLICATION A LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A MESFET GAAS.
Author: Redouane Yaquine
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Languages : fr
Pages : 122
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Introduction à l'analyse des systèmes non linéaires par la technique des séries de Volterra. Application à l'étude du comportement non linéaire du transistor à effet de champ. Modèle numérique. Aspect expérimental, mesure de la distorsion basse fréquence des paramètres aux fréquences fondamentale et harmoniques. Mesure des éléments non linéaires dans la gamme 01 a 1 GHz, détermination du schéma équivalent du transistor à effet de champ. Application de la technique des séries de Volterra au calcul de l'intermodulation : étude du nec 388, etude du t.e.c. De puissance Thomson 27 gpf. Mesure de l'intermodulation
Author: Farid Temçamani
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Languages : fr
Pages : 134
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Le transistor à effet de champ à gaz bidimensionnel d'électrons (TEGFET) a montré une meilleure montée en fréquence que le transistor MESFET. Cependant, ses performances en puissance étaient soumises à des limitations physiques profondes. C'est ce problème qui a fait l'objet de ce travail. Une première étude théorique et expérimentale de la tension de claquage a permis d'en expliquer l'origine et d'aboutir à une structure spéciale ayant une bonne tenue en claquage. Ensuite une étude plus générale nous a permis par l'utilisation de TEGFET multicouches optimaux d'aboutir à des performances intéressantes de puissance. La suite du travail a concerné les corrélations entre les paramètres technologiques et électriques avec les performances de puissance. Enfin, l'étude a été complétée par une investigation des problèmes relatifs à la résistance de source et à l'impédance de sortie. Nous avons mis ainsi en évidence un des problèmes essentiels posés par le comportement des transistors à effet de champs millimétriques de puissance.
Author: RAPHAEL.. MEZUI-MINTSA
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Languages : fr
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CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS (TBH). LES TRAVAUX DEBUTENT PAR LA COMPARAISON DU TBH HAAS AVEC LE TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS, POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LES PROBLEMES DE STABILISATION EN TEMPERATURE, DE CLAQUAGE PAR AVALANCHE ET DE L'ADAPTATION DIFFICILE DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE, ONT ETE ECLAIRCIS ET OPTIMISES EN TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH ET DES POSSIBILITES TECHNOLOGIQUES DU LABORATOIRE DE BAGNEUX. PAR LA SUITE, DES MODELES ELECTRIQUES NONLINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH ONT ETE DEVELOPPES EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATIONS STATIQUES ET DYNAMIQUES PETIT SIGNAL, AINSI QUE LES BANCS DE MESURE FORT SIGNAL DU TYPE LOAD-PULL. PAR AILLEURS, L'OBTENTION D'UNE PUISSANCE ELEVEE ET D'UN HAUT RENDEMENT DEPEND NON SEULEMENT DU COMPOSANT UTILISE, MAIS AUSSI DU CHOIX D'UNE STRUCTURE D'AMPLIFICATEUR APPROPRIEE. UNE ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTES CLASSES D'AMPLIFICATEURS D'UNE PART ET L'ANALYSE DES DIFFERENTES POSSIBILITES D'ADAPTATION DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE D'AUTRE PART ONT PERMIS DE DEGAGER DES ARCHITECTURES MIEUX ADAPTEES AU CAS DES TBH. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION COMPLET DU COMPOSANT SE CONCRETISENT PAR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS POUR DES APPLICATIONS EN TELECOMMUNICATIONS: UN AMPLIFICATEUR A HAUT RENDEMENT POUR LES RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES EN BANDE L, ET UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE
Author: J. A.. OLIVA ROMERO
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Languages : fr
Pages : 40
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ON ESSAIE DANS CE TRAVAIL DE DEMONTRER LA POSSIBILITE D'UTILISER COMME AMPLIFICATEUR FI, DES AMPLIFICATEURS A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MICROONDES AU GAAS REFROIDIS A BASSE T. BREF RAPPEL THEORIQUE SUR LE FONCTIONNEMENT DES DIODES SCHOTTKY ET DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP MICROONDE (MESFET). ETUDE THEORIQUE PAR SIMULATION NUMERIQUE DES MESFET A BASSE ET TRES BASSE TEMPERATURE. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'APPAREILLAGE ET DES METHODES DE MESURE DE BRUIT, RESULTATS EXPERIMENTAUX ET INTERPRETATION.
Author: RABAH.. MAIMOUNI
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Languages : fr
Pages : 168
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PAR UTILISATION D'UN MODELE MATHEMATIQUE NON LINEAIRE DU TEC GAAS COMPATIBLE AVEC LA C.A.O. DES CIRCUITS, ON PRESENTE TOUT D'ABORD UNE METHODOLOGIE D'ETUDE THEORIQUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EN REGIME TEMPOREL QUE L'ON VALIDE PAR L'EXPERIENCE DANS LA BANDE 2-8 GHZ. ON DETERMINE ENSUITE LES QUALITES POTENTIELLES THEORIQUES DU TEC POUR LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE QUE L'ON CONFIRME PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE MENEE SUR DES DOUBLEURS DE FREQUENCE DANS LES BANDES 2-4 ET 4-8 GHZ
Author: François Duhamel
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Languages : fr
Pages : 222
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La modélisation quasi-bidimensionnelle de transistors à effet de champ offre une grande souplesse d'emploi qui est mise à profit dans le cadre de ce travail pour traiter trois types différents de structures en vue d'établir leurs potentialités en tant qu'amplificateur de puissance ou de mélangeur. Après avoir mis en perspective les composants que nous avons étudiés, nous décrivons les principes de notre modèle et développons les méthodes utilisées en particulier pour déterminer les caractéristiques physiques et électriques des différents transistors. Nous avons, ainsi, pu étudier les potentialités du hemt pseudomorphique sur gaas pour l'amplification de puissance à 60 ghz et souligner l'importance de la longueur et du fosse de grille sur les performances des composants. D'autre part, le même type d'analyse, menée sur le hemt bigrille, a permis de déterminer les conditions de polarisation et la topologie à utiliser dans le cadre d'une utilisation en mélangeur de type faible bruit en bande v. Enfin, une méthode de traitement du misfet gaas basse température reposant sur l'introduction d'une commande de charge spécifique a été mise en oeuvre. Elle permet notamment d'expliquer la dispersion des caractéristiques dynamiques entre le régime statique et le régime dynamique. Les différents résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales et à d'autres types de modèles plus précis afin de valider la méthodologie mise en oeuvre
