Dépôt chimique en phase vapeur d'oxyde de silicium dans une post-décharge micro-onde PDF Download
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Author: Hèlène Del Puppo
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Languages : fr
Pages : 155
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DES MELANGES O#2/SIH#4 ET N#2O/SIH#4 ONT ETE UTILISES POUR DEPOSER SIO#2 DANS UNE POST-DECHARGE MICRO-ONDE A BASSE TEMPERATURE (
Author: Hèlène Del Puppo
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Languages : fr
Pages : 155
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DES MELANGES O#2/SIH#4 ET N#2O/SIH#4 ONT ETE UTILISES POUR DEPOSER SIO#2 DANS UNE POST-DECHARGE MICRO-ONDE A BASSE TEMPERATURE (
Author: Florence Naudin
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Languages : fr
Pages : 192
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DES COUCHES MINCES DE SILICE SONT OBTENUES DANS UN REACTEUR PECVD MICRO-ONDE DE GRAND DIAMETRE, FONCTIONNANT EN MODE POST-DECHARGE, PAR REACTION ENTRE UN GAZ PLASMAGENE (OXYGENE) ET UN GAZ PRECURSEUR (SIH 4/AR). UNE ETUDE PARAMETRIQUE PERMET DE DETERMINER UN POINT DE FONCTIONNEMENT (1600 W ; 0,13 MBAR ; R = 160 RAPPORT DU DEBIT D'OXYGENE ET DU SILANE ; 150\C) CONDUISANT A DES FILMS ADHERENTS DE SILICE AMORPHE DE DENSITE VOISINE DE LA VALEUR THEORIQUE (2,2). DEUX DIAGNOSTICS SONT EMPLOYES POUR CARACTERISER LA DECHARGE ET LA POST-DECHARGE. LES ESPECES IDENTIFIEES PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE PROVIENNENT DU GAZ PLASMAGENE (O, O 2 + ET O 2), DE LA DISSOCIATION DU SILANE (H, SIH) ET DE RECOMBINAISONS EN PHASE GAZEUSE (SIO, OH). LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE QUE LA ZONE DE DEPOT N'EST PAS UNE REELLE POST-DECHARGE ET QU'IL EXISTE DES RECIRCULATIONS DE GAZ PRECURSEUR DANS LE PLASMA. LA TEMPERATURE DU GAZ, DEDUITE DU SPECTRE ROTATIONNEL DE LA BANDE ATMOSPHERIQUE, EST DE L'ORDRE DE 650 A 700 K. LA DENSITE ET LA TEMPERATURE DES ELECTRONS, MESUREES PAR DOUBLE SONDE ELECTROSTATIQUE, PRECISENT QUE LA ZONE DE DEPOT EST UN DOMAINE TRANSITOIRE ENTRE LA DECHARGE ET LA PROCHE POST-DECHARGE. LA MODELISATION DU REACTEUR COMPORTE DEUX PRINCIPALES PARTIES DISTINCTES. UNE ETUDE AERODYNAMIQUE, METTANT EN UVRE UN CODE DE CALCUL NUMERIQUE (ESTET) EN VUE D'OPTIMISER L'INJECTION DU GAZ PRECURSEUR ET DE DEFINIR LE REGIME D'ECOULEMENT, MONTRE QUE L'ECOULEMENT EST PERTURBE ET COMPLEXE. UN MODELE ELECTROMAGNETIQUE, DEVELOPPE PAR L'IRCOM, REVELE QUE LE CHAMP ELECTRIQUE, PRINCIPALEMENT REPARTI DANS LES GAINES ELECTROSTATIQUES ET EN PERIPHERIE DU QUARTZ, SE PROPAGE PEU DANS LA POST-DECHARGE. L'EXCITATION CHOISIE ASSURE DONC UN EXCELLENT COUPLAGE MICRO-ONDE/PLASMA.
Author: Christelle Tixier
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Languages : fr
Pages : 216
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DES MELANGES ARGON/METHANE ET ARGON-HYDROGENE/METHANE ONT ETE UTILISES POUR DEPOSER DU CARBONE AMORPHE HYDROGENE DANS UNE POST-DECHARGE MICRO-ONDE ASSISTEE PAR UNE POLARISATION RADIOFREQUENCE. DANS UN PREMIER TEMPS, UNE ETUDE PARAMETRIQUE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PERMIS LE CHOIX D'UN POINT DE FONCTIONNEMENT. LES FILMS ONT GLOBALEMENT LES CARACTERISTIQUES DE CEUX OBTENUS PAR LES TECHNIQUES LES PLUS COURANTES (PECVD RF, FAISCEAUX D'IONS). LEUR DENSITE EST DE 1,5 ET LEUR TENEUR EN HYDROGENE DE L'ORDRE DE 40 AT. %. LA VITESSE DE DEPOT ET LES PROPRIETES DES COUCHES DEPENDENT DE LA TENSION DE POLARISATION R.F. ET DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE. PAR AILLEURS, L'ANALYSE SPECTROSCOPIQUE DE LA POST-DECHARGE A PERMIS DE CORRELER L'EMISSION DE LA RAIE CH ET LA VITESSE DE DEPOT. LES FILMS DEPOSES SUR L'ALLIAGE METALLIQUE BASE TITANE SE SONT REVELES NON-ADHERENTS. L'UTILISATION D'UNE SOUS-COUCHE DE TYPE OXYCARBURE DE SILICIUM A PERMIS D'AMELIORER L'ADHERENCE: BIEN QU'UN DECOLLEMENT ADHESIF SOIT ENCORE OBSERVE LORS DES ESSAIS PAR SCRATCH-TEST, LE DECOLLEMENT SYSTEMATIQUE SUR LE TITANE A ETE SUPPRIME ET L'ADHERENCE SUR SILICIUM FORTEMENT AMELIOREE. DES MESURES DE CONTRAINTE DANS LES FILMS ET DES ANALYSES DE L'INTERFACE ONT PERMIS UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE L'ORIGINE DES PROBLEMES D'ADHERENCE. D'UNE PART, LA DETERMINATION DE LA CONTRAINTE GLOBALE N'A PAS REVELE DE DIFFERENCES SIGNIFICATIVES ENTRE LES DEUX TYPES DE SUBSTRATS. D'AUTRE PART, DES ANALYSES PAR AES, SIMS ET XPS METTENT EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'OXYGENE PRESENT A L'INTERFACE FILM/SUBSTRAT TOUT PARTICULIEREMENT DANS LE CAS DES SUBSTRATS METALLIQUES. ENFIN, UNE SERIE D'ESSAIS A MONTRE LA NECESSITE D'ADAPTER LE PRETRAITEMENT PAR PLASMA AVANT DEPOT A LA NATURE DU SUBSTRAT. LES VALEURS MAXIMALES DE CHARGE CRITIQUE OBTENUES SONT ALORS DE 7 ET 35 N SUR TITANE ET SILICIUM RESPECTIVEMENT
Author: Jérôme Gavillet
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Languages : fr
Pages : 198
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Des revêtements de zircone ont été élabores à basse température (
Author: NADIA.. BENISSAD
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Languages : fr
Pages : 196
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CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).
Author: Mustapha Lemiti
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Languages : fr
Pages : 192
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MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF PERMETTANT D'ELABORER DES COUCHES DE SIO::(2) A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE (C.V.D.). LE PROCEDE CONSISTE A HYDROLYSER UN COMPOSE HALOGENE (SICL::(4)) PAR DE LA VAPEUR D'EAU, AU VOISINAGE D'UN SUPPORT DE SILICIUM SUIVANT LA REACTION; SICL::(4) + 2H::(2)O + SIO::(2) +4HCL. LES DEPOTS ONT ETE REALISES ESSENTIELLEMENT A TEMPERATURE AMBIANTE. L'INFLUENCE DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LA CINETIQUE DE DEPOT A ETE ETUDIEE. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE DES COUCHES AINSI OBTENUES (ELLIPSOMETRIE, RAMAN, AUGER, DECHARGE LUMINESCENTE) NOUS A RENSEIGNES SUR LA NATURE DES LIAISONS, LA STOECHIOMETRIE ET LE PROFIL DES IMPURETES DANS LA COUCHE. APRES OPTIMISATION DES PAMETRES, DES STRUCTURES MOS ONT ETE REALISEES POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS L'OXYDE ET A L'INTERFACE SI-SIO::(2). PAR LES METHODES CLASSIQUES C(V), G(V), I(V),C(OMEGA ,T), G(OMEGA ,T), NOUS AVONS EVALUE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE QUI VARIE AUTOUR DE 10**(11)EV**(-1)CM**(-2) ET LES CHARGES DANS L'OXYDE A 10**(12) CH./CM. L'INFLUENCE DE CERTAINS PARAMETRES EXPERIMENTAUX SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MOS A ETE DEGAGE
Author: Roger Botton
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: STEPHANE.. CHEVILLARD
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Languages : fr
Pages : 138
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LES OBJECTIFS FIXES DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL ETAIENT D'UNE PART DE CHOISIR UN COUPLE DE PRECURSEURS POUR LE DEPOT SIMULTANE DE ZIRCONE ET D'YTTRINE ET D'AUTRE PART DE CONCEVOIR UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA MICRO-ONDE CAPABLE DE DEPOSER DE LA ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE, A PARTIR DES PRECURSEURS CHOISIS, AVEC DE FORTES VITESSES DE DEPOT (SUPERIEURE A 50 MICROMETRE PAR HEURE) ET SANS HETEROGENEITE D'EPAISSEUR SUR SUBSTRAT PLAN DE 20 MM DE DIAMETRE. IL A ETE CHOISI RESPECTIVEMENT, POUR LE PRECURSEUR DE ZIRCONIUM ET POUR LE PRECURSEUR D'YTTRIUM, LE TETRACHLORURE DE ZIRCONIUM ET LE TETRAMETHYLHEPTANDIONATE D'YTTRIUM. LE REACTEUR PECVD A PERMIS DE REALISER, A PARTIR DE CES PRECURSEURS, DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE AVEC UNE VITESSE DE DEPOT ELEVEE MAIS SANS TOUTEFOIS REPONDRE AU CRITERE D'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR. BIEN QUE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT AIT PEU D'INFLUENCE SUR LA VITESSE DE DEPOT, ELLE JOUE UN ROLE MAJEUR, DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE EXPLORE (400 A 750 DEGRE CELSIUS), SUR LA PURETE DES DEPOTS ET SUR LA POROSITE. EN EFFET, UNE TEMPERATURE ELEVEE D'UNE PART D'EVITER L'INCORPORATION D'IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE ET LE CHLORE ET D'AUTRE PART D'OBTENIR DES DEPOTS PLUS DENSES. L'ETUDE STRUCTURALE MONTRE QUE LE RETOUR A L'ETAT D'EQUILIBRE LORS DE RECUIT A 1200C SOUS AIR DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE STABILISES DANS LA PHASE T' EST EN ACCORD AVEC LES TRAVAUX DEJA PUBLIES. TOUTEFOIS, IL EST A REMARQUER QUE CE RETOUR VERS L'ETAT D'EQUILIBRE EST RELATIVEMENT RAPIDE COMPARE A DES REVETEMENTS SIMILAIRES ELABORES PAR PROJECTION PLASMA. CETTE ACCELERATION EST VRAISEMBLABLEMENT DUE A LA FORTE POROSITE DU DEPOT (54 POUR CENT) QUI FACILITERAIT LA DIFFUSION DES CATIONS Y#3#+. ENFIN, UNE ETUDE DE LA DECHARGE MICRO-ONDE PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES ESPECES INTERMEDIAIRES RESPONSABLES DU DEPOT DE ZIRCONE YTTRIEE, IL S'AGIT DE ZRO, YO, O ET/OU O#2.
Author: Roger Botton
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 123
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Book Description
NOUS PROPOSONS UN PROCEDE ORIGINAL POUR EFFECTUER DES DEPOTS DE COUCHES MINCES DE DIELECTRIQUES ET DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE (MOINS DE 300C) ET SOUS BASSE PRESSION (DE 1 A 2 TORR) DE QUALITE MICRO-ELECTRONIQUE. LES GAZ DE LA REACTION CHIMIQUE SONT UTILISES POUR CONSTITUER UNE LAMPE A DECHARGE ELECTRIQUE FICTIVE QUI OPERE EN COURANT CONTINU DANS LA ZONE DE DECHARGE LUMINEUSE NORMALE. LES SUBSTRATS SONT POSITIONNES PARALLELEMENT AUX LIGNES DE COURANT DE LA DECHARGE (MINIMISATION DE LA CONTAMINATION ET DE LA DEGRADATION). PLUSIEURS MODES D'ACTIVATION PEUVENT AINSI INTERVENIR SIMULTANEMENT. LE TUBE FICTIF REALISE EST UN PETIT FOUR TUNNEL NON ETANCHE ET DEMONTABLE PLACE SOUS UNE CLOCHE A VIDE. LES ELECTRODES CONSTITUENT SES EXTREMITES. LES SUBSTRATS A COUVRIR SONT DISPOSES SUR LA SOLE CHAUFFEE. LES REACTIFS SONT INTRODUITS A L'ANODE ET EVACUES A LA CATHODE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES (PRESSION, TEMPERATURE, COMPOSITION, INTENSITE DU COURANT, TEMPS DE DEPOT, LA POSITION LE LONG DE LA DECHARGE) A ETE ETUDIEE QUANT A LA CINETIQUE DE LA FORMATION ET LA QUALITE DES COUCHES. LES FILMS DIELECTRIQUES OBTENUS ONT ETE SOUMIS A UNE ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SPECTROMETRIE INFRAROUGE ET SPECTROSCOPIE RAMAN, ANALYSE SIMS, ELLIPSOMETRIE, ...). UNE EXPLOITATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES STRUCTURES MIS REALISEES PAR METALLISATION DES COUCHES A PERMIS UNE EVALUATION DE LA QUALITE ELECTRIQUE
Author: Simon Bulou
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Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
Les films à base de Si, C et N présentent de très intéressantes propriétés mécaniques, optiques et électroniques. L'objectif de ce travail est de mettre au point le procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde permettant l'élaboration, à partir d'hexaméthyldisilazane (HMDSN), de films minces de SiCN dont l'indice de réfraction et le gap peuvent être modulés en modifiant des paramètres expérimentaux. Un mélange à base de N2/Ar/HMDSN permet le dépôt de films durs, adhérents et transparents. Ceux-ci sont de type SiNx:H avec une faible teneur en carbone (
