CROISSANCE EPITAXIALE ET CARACTERISATIONS DE FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE DEPOSES IN-SITU PAR PULVERISATION CATHODIQUE OU ABLATION LASER PDF Download
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Author: Maryline Guilloux-Viry
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Languages : fr
Pages : 174
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NOUS AVONS REALISE IN-SITU DES FILMS D'YBACUO SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE, EPITAXIES SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE (100)MGO, (100)SRTIO#3 ET (110)SRTIO#3. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES A ENVIRON 700#OC SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE, SOIT PAR ABLATION LASER GRACE A UN MONTAGE QUE NOUS AVONS MIS AU POINT, SOIT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DIODE CONTINUE. LES DEPOTS SUR SUBSTRATS ORIENTES (100), CARACTERISES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X EN GEOMETRIE BRAGG-BRENTANO, PRESENTENT UNE ORIENTATION C. DES CLICHES DE DIFFRACTION X EN MODE DE CRISTAL OSCILLANT AINSI QUE DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE (RHEED) PROUVENT LEUR EPITAXIE, LES AXES A ET B DU FILM ETANT ALIGNES AVEC CEUX DU SUBSTRAT. LA QUALITE DE CETTE EPITAXIE A D'AILLEURS ETE CONFIRMEE PAR DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE DE RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN CANALISATION. L'OBSERVATION EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE MET EN EVIDENCE UNE FAIBLE RUGOSITE, ET LA PRESENCE DE LIGNES SUR LES DIAGRAMMES RHEED CONFIRME CETTE QUALITE DE SURFACE. LES MESURES RESISTIVES ET INDUCTIVES MONTRENT QUE LES FILMS PRESENTENT D'EXCELLENTES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES AVEC DES TRANSITIONS ETROITES; DES RESISTANCES NULLES ONT ETE OBSERVEES DE FACON REPRODUCTIBLE AU VOISINAGE DE 88 K SUR SRTIO#3 ET DE 85 K SUR MGO POUR LES FILMS DEPOSES PAR ABLATION LASER, CES VALEURS ETANT RESPECTIVEMENT DE 85 K ET 83 K DANS LE CAS DE LA PULVERISATION CATHODIQUE. LES MESURES INDUCTIVES METTENT EN EVIDENCE UNE EXCELLENTE HOMOGENEITE DES FILMS, EN PARTICULIER DANS LE CAS DES DEPOTS PAR PULVERISATION. DES DENSITES DE COURANT CRITIQUE ELEVEES, DE L'ORDRE DE 10#5 A.CM##2 A QUELQUES DEGRES DE LA FIN DE TRANSITION RESISTIVE ONT ETE MESUREES SUR DES FILMS PREALABLEMENT GRAVES
Author: Maryline Guilloux-Viry
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NOUS AVONS REALISE IN-SITU DES FILMS D'YBACUO SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE, EPITAXIES SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE (100)MGO, (100)SRTIO#3 ET (110)SRTIO#3. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES A ENVIRON 700#OC SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE, SOIT PAR ABLATION LASER GRACE A UN MONTAGE QUE NOUS AVONS MIS AU POINT, SOIT PAR PULVERISATION CATHODIQUE DIODE CONTINUE. LES DEPOTS SUR SUBSTRATS ORIENTES (100), CARACTERISES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X EN GEOMETRIE BRAGG-BRENTANO, PRESENTENT UNE ORIENTATION C. DES CLICHES DE DIFFRACTION X EN MODE DE CRISTAL OSCILLANT AINSI QUE DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE (RHEED) PROUVENT LEUR EPITAXIE, LES AXES A ET B DU FILM ETANT ALIGNES AVEC CEUX DU SUBSTRAT. LA QUALITE DE CETTE EPITAXIE A D'AILLEURS ETE CONFIRMEE PAR DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE DE RETRODIFFUSION RUTHERFORD EN CANALISATION. L'OBSERVATION EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE MET EN EVIDENCE UNE FAIBLE RUGOSITE, ET LA PRESENCE DE LIGNES SUR LES DIAGRAMMES RHEED CONFIRME CETTE QUALITE DE SURFACE. LES MESURES RESISTIVES ET INDUCTIVES MONTRENT QUE LES FILMS PRESENTENT D'EXCELLENTES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES AVEC DES TRANSITIONS ETROITES; DES RESISTANCES NULLES ONT ETE OBSERVEES DE FACON REPRODUCTIBLE AU VOISINAGE DE 88 K SUR SRTIO#3 ET DE 85 K SUR MGO POUR LES FILMS DEPOSES PAR ABLATION LASER, CES VALEURS ETANT RESPECTIVEMENT DE 85 K ET 83 K DANS LE CAS DE LA PULVERISATION CATHODIQUE. LES MESURES INDUCTIVES METTENT EN EVIDENCE UNE EXCELLENTE HOMOGENEITE DES FILMS, EN PARTICULIER DANS LE CAS DES DEPOTS PAR PULVERISATION. DES DENSITES DE COURANT CRITIQUE ELEVEES, DE L'ORDRE DE 10#5 A.CM##2 A QUELQUES DEGRES DE LA FIN DE TRANSITION RESISTIVE ONT ETE MESUREES SUR DES FILMS PREALABLEMENT GRAVES
Author: XAVIER.. CASTEL
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Languages : fr
Pages : 155
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DES FILMS SUPRACONDUCTEURS DE YBA#2CU#3O#7 ONT ETE ELABORES PAR ABLATION LASER EN VUE D'APPLICATIONS EN HYPERFREQUENCES. CELLES-CI NECESSITENT DES FILMS EPITAXIES ET IMPOSENT L'UTILISATION DE SUBSTRATS POSSEDANT DE TRES FAIBLES PERTES DIELECTRIQUES (TG) ET UNE PERMITTIVITE RELATIVE #R PEU ELEVEE (10). DEUX SUBSTRATS MONOCRISTALLINS POSSEDENT CES CARACTERISTIQUES : (100) MGO ET AL#2O#3 ORIENTE R. CEPENDANT, TOUS DEUX PRESENTENT DES CONTRAINTES SPECIFIQUES A LA CROISSANCE DU MATERIAU YBA#2CU#3O#7. LE FORT DESACCORD DE MAILLE ENTRE YBA#2CU#3O#7 ET MGO CONDUIT A UNE COMPETITION DANS LE PLAN ENTRE DEUX PRINCIPALES ORIENTATIONS NOTEES C##0 ET C##4#5 (L'AXE C RESTANT PARALLELE A L'AXE DE CROISSANCE). NOUS AVONS CORRELE LE TAUX DE MELANGE (C##4#5/C##0) AUX PERTES HYPERFREQUENCES MESUREES PAR LA RESISTANCE DE SURFACE R#S (10 GHZ ET 77 K) ET AUX PERTES INDUCTIVES A BASSE FREQUENCE CARACTERISEES PAR LA SURFACE DU PIC EN MESUREE PAR SUSCEPTIBILITE ALTERNATIVE. IL DECOULE DE CETTE ETUDE UNE CORRELATION DIRECTE ENTRE LES PERTES A HAUTE ET BASSE FREQUENCES. LA CROISSANCE DE YBA#2CU#3O#7 SUR SAPHIR NECESSITE LE DEPOT D'UNE COUCHE TAMPON AFIN DE STOPPER L'INTERDIFFUSION CHIMIQUE FILM/SUBSTRAT. NOUS AVONS DEPOSE UNE COUCHE TAMPON DE CEO#2 DE QUALITE EPITAXIALE QUASI-PARFAITE. DES COUCHES MINCES DE YBA#2CU#3O#7 ORIENTEES C ONT ETE EPITAXIEES IN SITU SUR CEO#2/AL#2O#3. CES FILMS POSSEDENT DE TRES BONNES CARACTERISTIQUES CRISTALLOGRAPHIQUES, SUPRACONDUCTRICES ET EN HYPERFREQUENCES (R#S HABITUELLEMENT DE L'ORDRE DE 0,5 M A 10 GHZ ET 77 K). DANS LE BUT D'EVALUER L'INTERET DE L'UTILISATION DE YB#2CU#3O#7 A FREQUENCE ELEVEE (38 GHZ), DEUX ANTENNES ONT ETE CONCUES ET REALISEES, L'UNE EN YBA#2CU#3O#7, L'AUTRE EN ARGENT, TOUTES DEUX DEPOSEES SUR MGO. LES PARAMETRES DE REPARTITION S#1#1 ET S#2#1 ONT ETE MESURES A 80 K DANS UN BANC DE MESURES CRYOGENIQUES QUE NOUS AVONS SPECIALEMENT CONCU. LE GAIN DE L'ANTENNE SUPRACONDUCTRICE A 80 K APPARAIT SUPERIEUR DE 2,2 DB A CELUI DE L'ANTENNE METALLIQUE MESURE A TEMPERATURE AMBIANTE ET DE 1,2 DB A 80 K. CES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'INTERET DU CUPRATE SUPRACONDUCTEUR YB#2CU#3O#7 PAR RAPPORT A UN METAL CLASSIQUE, MEME A FREQUENCE TRES ELEVEE.
Author: ANNICK.. DEGARDIN
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Languages : fr
Pages : 160
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DANS CE MEMOIRE, NOUS ETUDIONS L'ELABORATION DE FILMS MINCES D'OXYDES SUPRACONDUCTEURS PAR PULVERISATION CATHODIQUE RADIOFREQUENCE MAGNETRON IN SITU SUR SUBSTRATS DE ZIRCONE POLYCRISTALLINE DOPEE A L'OXYDE D'YTTRIUM. AFIN DE CERNER AU MIEUX L'ENSEMBLE DES PARAMETRES PERMETTANT D'OPTIMISER LE PROCESSUS D'ELABORATION, NOUS PROCEDONS A UNE DOUBLE ETUDE. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS DEVELOPPONS UN MODELE DETAILLE DE PULVERISATION REACTIVE TENANT COMPTE DES ECHANGES D'OXYGENE MIS EN JEU LORS DE CE PROCESSUS EFFECTUE SOUS ATMOSPHERE D'ARGON, D'OXYGENE ET DE VAPEUR D'EAU. DEUX REGIMES DE PULVERISATION DEPENDANT DE LA PRESSION RELATIVE D'OXYGENE SONT MIS EN EVIDENCE. DE PLUS, NOUS MONTRONS QUE L'ADDITION DE VAPEUR D'EAU DANS LE MELANGE GAZEUX A UN EFFET BENEFIQUE SUR LES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES DES FILMS. LE DEUXIEME VOLET DE L'ETUDE D'OPTIMISATION CONSISTE A FAIRE APPEL A UN ENSEMBLE DE TECHNIQUES DE CARACTERISATIONS PHYSICO-CHIMIQUES OU ELECTRIQUES. EN PARTICULIER, UN CONTROLE IN SITU EN TEMPS REEL DU BON DEROULEMENT DE LA PHASE D'OXYGENATION CONSECUTIVE AU DEPOT HAUTE TEMPERATURE PERMET DE TENDRE VERS UNE REPRODUCTIBILITE AUSSI RIGOUREUSE QUE POSSIBLE DES CONDITIONS DE DEPOT. POUR UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE FIABLE DES ECHANTILLONS, UNE ETUDE DES CONTACTS ELECTRIQUES EST REALISEE. LES FILMS SUPRACONDUCTEURS OBTENUS ONT DES CARACTERISTIQUES SUPRACONDUCTRICES SATISFAISANTES (EN TEMPERATURE CRITIQUE ET EN DENSITE DE COURANT) ET SONT ORIENTES PREFERENTIELLEMENT SELON L'AXE C, PERPENDICULAIRE AU PLAN DU SUBSTRAT, MEME SI L'UTILISATION DE LA ZIRCONE POLYCRISTALLINE COMME SUBSTRAT N'EST PAS A PRIORI FAVORABLE A LA CROISSANCE D'UNE COUCHE ORIENTEE DU MATERIAU SUPRACONDUCTEUR. DES RESULTATS OBTENUS SUR DES ECHANTILLONS TEMOINS ELABORES SUR SUBSTRATS MONOCRISTALLINS (ZIRCONE, OXYDE DE MAGNESIUM) VALIDENT NOTRE PROCEDE D'ELABORATION. LE DEVELOPPEMENT DE STRUCTURES DE PROPAGATION POUR LES HYPERFREQUENCES EST EGALEMENT CONSIDERE
Author: ANNIE.. CHEENNE
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Pages : 166
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NOUS PRESENTONS UNE ETUDE DE LA CROISSANCE DE COUCHES MINCES DE L'OXYDE SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE BI#2SR#2CA#1CU#2O#8, DEPOSEES PAR ABLATION LASER, L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL ETANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES PROCESSUS DE DEPOT LASER ET DE CROISSANCE EX SITU. PARADOXALEMENT, LES PARAMETRES DU LASER INFLUENT PEU SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES. LES LONGUEURS D'ONDE SUPERIEURES OU EGALES A 1.064 MICROMETRE SONT TOUTEFOIS A PROSCRIRE, AFIN D'EVITER L'EJECTION DE PARTICULES DE TAILLE MICRONIQUE. IN SITU, LA FORMATION DES FILMS EST GOUVERNEE PAR LA PRESSION D'OXYGENE ET LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. EX SITU, LA CROISSANCE EST INDISSOCIABLE D'UNE FORTE RUGOSITE DE SURFACE DES FILMS, DUE A UNE QUALITE CRISTALLINE MEDIOCRE ET A LA PRESENCE D'UNE IMPURETE ACICULAIRE. LORS DU RECUIT, UN REFROIDISSEMENT RAPIDE CONDUIT A LA FORMATION DE FILMS PRESENTANT UNE TEMPERATURE CRITIQUE ELEVEE ET UN ETAT DE SURFACE PERTURBE. LES COURBES DE RESISTIVITE DES FILMS DE BI#2SR#2CA#1CU#2O#8 ONT ETE ANALYSEES A L'AIDE D'UN MODELE GRANULAIRE. LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE LA QUASI-BIDIMENSIONNALITE DES SUPRACONDUCTEURS AU BISMUTH ET NOUS ONT PERMIS DE DEMONTRER LE ROLE CRITIQUE DE L'INCORPORATION EN OXYGENE. EN CONCLUSION, UN PROCESSUS DE FORMATION DES COUCHES QUI POURRA EGALEMENT ETRE APPLIQUE A LA REALISATION DE FILMS IN SITU EST PROPOSE
Author: Laurent Ranno
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Pages : 126
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L'ETUDE PORTE SUR DES COUCHES MINCES DE BISRCACUO DEPOSEES PAR ABLATION LASER SUR UN SUBSTRAT DE MGO(001). LA CROISSANCE DE LA PHASE BI-2212 S'EFFECTUE IN SITU A 700C ET SOUS UNE ATMOSPHERE DE 0,1 MBAR D'OXYGENE. LA TEXTURE DES FILMS A ETE ETUDIEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET PAR CANALISATION D'IONS D'HE DE 2 MEV. DE TRES BONS TAUX DE CANALISATION DE 30% ONT ETE MESURES SUR DES FILMS D'EPAISSEUR INFERIEURE A 100 NM, MALGRE LE FORT DESACCORD DE MAILLE FILM-SUBSTRAT. L'IMPORTANCE DE L'INTERCROISSANCE DES PHASES BI-2201, BI-2212 ET BI-2223 EST MISE EN EVIDENCE ET SON INFLUENCE SUR LES SPECTRES DE DIFFRACTION X EST DEMONTREE. L'INTERCROISSANCE EST RELIEE AUX ECARTS DE STOECHIOMETRIE ET AUX CONDITIONS DE CROISSANCE. L'EPITAXIE DES FILMS EST VERIFIEE PAR DIFFRACTION RASANTE DE RAYONS X ET PAR CANALISATION PLANAIRE. OUTRE LES ORIENTATIONS A 0 ET 45, L'ORIGINE DE L'ORIENTATION A 13 EST DISCUTEE DANS LE CADRE DU MODELE N.C.S.L. L'HYPOTHESE D'UNE STRUCTURE PARTICULIERE A L'INTERFACE EST PROPOSEE. LA TEMPERATURE CRITIQUE DES FILMS SYNTHETISES A 700C NE DEPASSE PAS 50 K. APRES RECUIT A 870C LA TC ATTEINT 90 K. LES MODELES ASSOCIANT AUX FLUCTUATIONS DE CONDUCTIVITE DU TYPE ASLAMAZOV-LARKIN, LA GRANULARITE DES FILMS NE PERMETTENT PAS DE RENDRE COMPTE DE L'EXCES DE CONDUCTIVITE AU DESSUS DE LA TRANSITION. UNE MODELISATION RELAXANT L'HYPOTHESE D'HOMOGENEITE DE LA SUPRACONDUCTIVITE DES GRAINS EST PROPOSEE, ET PERMET D'OBTENIR LA DISTRIBUTION DE TEMPERATURES CRITIQUES DE CEUX-CI. L'UTILISATION D'OXYGENE 18 ET DE MICROANALYSES NUCLEAIRES PERMET DE RELEVER L'EFFET IMPORTANT DE L'OXYGENE DANS LA SYNTHESE. LE ROLE DU RECUIT A 870C EST DISCUTE
Author: CLAIRE.. LE PAVEN-THIVET
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Pages : 209
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CE TRAVAIL PORTE SUR LA CROISSANCE EPITAXIALE PAR ABLATION LASER DE FILMS MINCES D'YBA#2CU#3O#7 SUR DIVERS SUBSTRATS: DES FILMS ONT TOUT D'ABORD ETE DEPOSES SUR SRTIO#3(100) ET (110) AFIN D'OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE, PUIS SUR DIVERS SUBSTRATS SPECIFIQUES AU DOMAINE D'HYPERFREQUENCES: MGO, LAALO#3, SRLAALO#4 ET AL#2O#3. CETTE ETUDE A DEMONTRE L'IMPORTANCE DU CONTROLE DE LA QUALITE DE SURFACE DU SUBSTRAT ET A PERMIS L'OBTENTION DE FILMS D'EXCELLENTE QUALITE, MEME SUR SAPHIR SANS COUCHE TAMPON. LES FILMS ONT ETE SYSTEMATIQUEMENT CARACTERISES PAR DIVERSES METHODES DE DIFFRACTION ET DE CANALISATION AFIN D'EVALUER LEUR QUALITE CRISTALLINE ET DE DETERMINER LES RELATIONS D'EPITAXIE. LES CARACTERISTIQUES SUPRACONDUCTRICES ONT ETE MESUREES PAR METHODES RESISTIVE ET INDUCTIVE, MONTRANT UNE EXCELLENTE HOMOGENEITE DE L'ENSEMBLE DES FILMS ET DES TEMPERATURES CRITIQUES ELEVEES, COMPRISES ENTRE 85 ET 90 K. LA RESISTANCE DE SURFACE, PARAMETRE PERTINENT POUR LES APPLICATIONS HYPERFREQUENCES, A ETE MESUREE PAR LA METHODE DU RESONATEUR DIELECTRIQUE SUR DE NOMBREUX ECHANTILLONS ; LES VALEURS OBTENUES, INFERIEURES A 1 M (77 K, 10 GHZ) POUR LES MEILLEURS ECHANTILLONS, ONT ETE CORRELEES A DIVERSES CARACTERISTIQUES CRISTALLOGRAPHIQUES ET PHYSIQUES: IL APPARAIT QUE LE PARAMETRE PRIMORDIAL D'OBTENTION D'UNE FAIBLE RS EST LA QUALITE DE LA CRISTALLISATION, EN PARTICULIER L'ABSENCE DE JOINTS DE GRAINS A GRAND ANGLE. CES RESULTATS ONT ETE CONFIRMES PAR DE NOMBREUSES ETUDES COMPLEMENTAIRES EN OPTIQUE ET EN HYPERFREQUENCES, REALISEES EN COLLABORATION AVEC DIFFERENTS LABORATOIRES. LES POSSIBILITES D'APPLICATIONS DE FILMS YBA#2CU#3O#7 DE CETTE HAUTE QUALITE ONT ETE ILLUSTREES PAR LA REALISATION DE PREMIERS DISPOSITIFS TELS QU'UNE ANTENNE RMN BAS CHAMP ET DES RESONATEURS ET FILTRES PLANAIRES
Author: ERIC.. BOUTELOUP
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LES CRITERES DETERMINANTS CONCERNANT LA REALISATION DES COUCHES MINCES DU TYPE YBACUO ET TLBACACUO PAR PULVERISATION CATHODIQUE SONT L'OPTIMISATION DE LA COMPOSITION DU DEPOT ET LA CRISTALLISATION DE LA PHASE SUPRACONDUCTRICE. L'ELABORATION D'UNE COUCHE MINCE POSSEDANT UNE COMPOSITION EN CATIONS PROCHE DE CELLE DU MATERIAU SUPRACONDUCTEUR RECHERCHE CONSTITUA UN PROBLEME DIFFICILE A RESOUDRE. L'OXYGENE, PRESENT AU SEIN DE LA DECHARGE, INDUIT, SELON DES MECANISMES QUI DEVRONT ETRE ECLAIRCIS, DES DECALAGES ENTRE LA COMPOSITION DES CIBLES ET CELLE DES DEPOTS. POUR S'AFFRANCHIR DE CE PHENOMENE, IL A ETE NECESSAIRE D'ADOPTER DES CONFIGURATIONS DE TRAVAIL INHABITUELLES (CIBLES NON STCHIOMETRIQUES ET SUBSTRAT DESAXE) OU DE RECOURIR A LA PULVERISATION CATHODIQUE MULTICIBLE QUI PERMET, EN QUELQUES ESSAIS, D'AJUSTER LA COMPOSITION. LA CRISTALLISATION DE LA PHASE SUPRACONDUCTRICE EST OBTENUE PAR RECUIT EXTERNE DANS UN FOUR TUBULAIRE POUR LES COUCHES MINCES DEPOSEES SUR SUBSTRAT NON CHAUFFE OU AU SEIN MEME DU GROUPE DE PULVERISATION (PROCEDE IN SITU) POUR LES DEPOTS SUR SUBSTRAT CHAUFFE. LA PREMIERE TECHNIQUE A PERMIS LA REALISATION DE COUCHES MINCES PRESENTANT DE BONNES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES MAIS DE MAUVAISES CARACTERISTIQUES MORPHOLOGIQUES. LA PROCEDURE DE CRISTALLISATION IN SITU, FAVORISANT LA FORMATION DU SUPRACONDUCTEUR A PLUS BASSE TEMPERATURE, A RENDU POSSIBLE LA PRODUCTION DE COUCHES MINCES TOUT A FAIT SATISFAISANTES DU POINT DE VUE DE LA MICROSTRUCTURE, CONDITION INDISPENSABLE DANS LA PERSPECTIVE D'UN TRANSFERT TECHNOLOGIQUE. L'OPTIMISATION DES CONDITIONS OPERATOIRES (PRESSION PARTIELLE D'OXYGENE ET TRAITEMENT THERMIQUE) ADOPTEES PENDANT LE REFROIDISSEMENT QUI SUIT LA PHASE DE PULVERISATION RESTE CEPENDANT A EFFECTUER POUR ESPERER AMELIORER LES CARACTERISTIQUES SUPRACONDUCTRICES EN SORTIE DE GROUPE
Author: Jean-Michel Depond
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Pages : 166
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NOUS PRESENTONS UNE APPLICATION DES SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE A LA DETECTION D'UN RAYONNEMENT INFRAROUGE (10 M). LES DETECTEURS, A BASE DE FILMS MINCES D'YBACUO DEPOSES SUR DES SUBSTRATS DE ZIRCONE POLYCRISTALLINE STABILISEE A 8% MOL. D'Y203 (EPAISSEUR VARIANT ENTRE 1,3 MM ET 80 M), ONT ETE ELABORES PAR DEUX TECHNIQUES: (1) LA TECHNIQUE EX SITU SE COMPOSE D'UN DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE A DIODE RADIOFREQUENCE A FROID SUIVI D'UN RECUIT THERMIQUE RAPIDE. IL A FALLU ANALYSER EN DETAIL CE RECUIT AFIN DE POUVOIR L'ADAPTER A TOUS LES TYPES DE DETECTEURS. (2) LA TECHNIQUE IN SITU SE COMPOSE D'UN DEPOT PAR PULVERISATION MAGNETRON RADIOFREQUENCE A CHAUD SUIVI D'UNE OXYGENATION DANS LE MEME BATI. AFIN DE CONTROLER LA QUALITE DE FILMS GRANULAIRES DEPOSES, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE D'ANALYSE DE LA CARACTERISTIQUE R(T) S'APPUYANT SUR UN MODELE ELECTRIQUE: ASSOCIATION EN PARALLELE OU EN SERIE DE RESISTANCES, CHACUNE REPRESENTATIVE D'UNE PHASE (SUPRACONDUCTRICE OU NON-SUPRACONDUCTRICE) CONSTITUTIVE DU FILM. LES DETECTEURS, TOUS BOLOMETRIQUES, MONTRENT UN COMPORTEMENT EN FREQUENCE INTERESSANT, QUI LES AVANTAGE FACE AUX BOLOMETRES TRADITIONNELS (PYROELECTRIQUE, GOLAY): AUX HAUTES FREQUENCES, LA SENSIBILITE EST TOUJOURS INVERSEMENT PROPORTIONNELLE A LA RACINE CARREE DE LA FREQUENCE. NOUS AVONS PU, PAR UN MODELE ELECTRO-THERMIQUE, PREVOIR SYSTEMATIQUEMENT CE COMPORTEMENT. A 10 HZ, NOUS OBSERVONS UN NEP DE QUELQUES NW HZ-1/2 ET UNE DETECTIVITE DE QUELQUES 107 CM HZ -1/2/W
Author: NATHALIE.. LEMEE
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Languages : fr
Pages : 169
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DES FILMS CU#XMO#6S#8 ONT ETE SYNTHETISES, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR ABLATION LASER. GRACE A UNE ETUDE APPROFONDIE DES CONDITIONS DE DEPOT ET MALGRE LA COMPLEXITE STRUCTURALE DU MATERIAU, NOUS SOMMES PARVENUS A MAITRISER LA CROISSANCE CRISTALLINE QUI VARIE SELON LES SUBSTRATS UTILISES. SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS TELS QUE LE SAPHIR ORIENTE R OU C, CU#XMO#6S#8 PRESENTE UNE CROISSANCE EPITAXIALE, CE QUI N'AVAIT ENCORE JAMAIS ETE OBTENUE AUPARAVANT, SELON UNE ORIENTATION PREFERENTIELLE (100)#R#H. SUR SAPHIR R, L'ORIENTATION DANS LE PLAN SE CARACTERISE PAR L'EXISTENCE DE DEUX FAMILLES DE RHOMBOEDRES, TOURNEES A 180 L'UNE DE L'AUTRE. SUR DES SUBSTRATS DE SYMETRIE CUBIQUE TELS QUE MGO (100) OU Y : ZRO#2 (100), L'ORIENTATION EST TRES DIFFERENTE, EN EFFET LE MATERIAU SUIT UNE CROISSANCE EPITAXIALE COMPLEXE SELON (120)#R#H IMPLIQUANT LA COEXISTENCE DE PLUSIEURS FAMILLES DANS LE PLAN. SUR DES FILMS CU#2MO#6S#8 SUPRACONDUCTEURS DEPOSES SUR AL#2O#3-R, NOUS AVONS MONTRE QUE LA MICROSTRUCTURE N'INFLUENCE PAS LA TRANSITION QUI SE SITUE PRES DE 10 K, MAIS QU'ELLE JOUE UN ROLE IMPORTANT SUR LES DENSITES DE COURANT CRITIQUE, J#C, DANS LA MESURE OU J#C DIMINUE LORSQUE LA QUALITE CRISTALLINE AUGMENTE : SUR UN FILM SANS ORIENTATION PREFERENTIELLE J#C(4 T, 4,2 K) EST PROCHE DE 10#9 A.M##2 ALORS QUE POUR LE FILM PRESENTANT LA MEILLEURE CROISSANCE EPITAXIALE, J#C(4 T, 4,2 K) EST DE QUELQUES 10#5 A.M##2. CECI ILLUSTRE LE ROLE DES DEFAUTS CRISTALLINS SUR L'ANCRAGE DES VORTEX ET PERMET D'ENVISAGER DES ETUDES PLUS FINES DES RELATIONS ENTRE MICROSTRUCTURE ET PROPRIETES DE TRANSPORT. LE COMPOSE CU#XMO#6S#8 EST CONNU POUR SES PROPRIETES D'INTERCALATION-DESINTERCALATION. PAR VOIE CHIMIQUE, EN MILIEU ACIDE, NOUS AVONS REUSSI A DESINTERCALER LE CUIVRE DU FILM, ET PAR TRANSPORT EN PHASE GAZEUSE, NOUS AVONS REALISE L'INSERTION DE GROS CATIONS TELS QUE LE PLOMB OU L'ETAIN OBTENANT AINSI DES FILMS D'UNE PHASE DE CHEVREL A GROS CATIONS. UNE ETUDE COMPARATIVE PAR VOIE ELECTROCHIMIQUE A ETE MENEE.
Author: ULI.. RABIBISOA ROUCHY
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Languages : fr
Pages : 200
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DES FILMS MINCES FERROELECTRIQUES DE TITANATE DE PLOMB DOPE AU LANTHANE (PLT) DE QUALITE EPITAXIALE ONT ETE DEPOSES PAR LA TECHNIQUE DE PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON SUR DES SUBSTRATS DE SAPHIR, (0001)AL 2O 3, TITANATE DE STRONTIUM, (100)SRTIO 3, ET SPINELLE, (100)MGAL 2O 4, A PARTIR D'UNE CIBLE CERAMIQUE PB 0 . 9LA 0 . 1TIO X. LES PARAMETRES DE CROISSANCE, TELLES QUE LA TEMPERATURE ET LA PRESSION DE DEPOT, LA COMPOSITION DES GAZ PLASMA, LA DENSITE DE PUISSANCE, LE PROCEDE DE NETTOYAGE ET DE RECUIT DES SUBSTRATS AVANT DEPOT, SONT AUTANT DE CONDITIONS CRITIQUES QUI ONT ETE OPTIMISEES AFIN DE PRODUIRE DES FILMS DE QUALITE EPITAXIALE, PRESENTANT DES INTERFACES LISSES. L'ETUDE DE LA STRUCTURE DES FILMS PLT/AL 2O 3 NOUS A PERMIS DE PROUVER L'EXISTENCE DE VARIANTES CRISTALLOGRAPHIQUES A 60\, ASSOCIEE A LA SYMETRIE RHOMBOEDRIQUE DU SAPHIR. CES DEFAUTS VIENNENT S'AJOUTER AUX DISLOCATIONS ET AUX MACLES. LA QUANTITE IMPORTANTE DE DEFAUTS EXPLIQUE SANS DOUTE POURQUOI LA MICROSTRUCTURE DES FILMS PLT/AL 2O 3 N'EST PAS BEAUCOUP AFFECTEE PAR LES PARAMETRES DE CROISSANCE. EN CE QUI CONCERNE LES FILMS PLT/SRTIO 3 ET PLT/MGAL 2O 4, LA QUALITE DES FILMS PEUT ETRE OPTIMISEE EN FONCTION DES PARAMETRES AJUSTABLES. LA CROISSANCE S'EFFECTUE SELON UN MODE CUBE-SUR-CUBE. PENDANT LE REFROIDISSEMENT, LE FILM PLT SE TRANSFORME EN DOMAINES C (MAJORITAIRES POUR PLT/SRTIO 3) ET A (MAJORITAIRES POUR PLT/MGAL 2O 4). DES OBSERVATIONS TEM NOUS ONT PERMIS DE CONCLURE QUE LES PRINCIPAUX DEFAUTS DANS LES FILMS SONT : LES JOINTS DE GRAINS, AU NIVEAU DESQUELS DES PAROIS D'ANTIPHASE PEUVENT ETRE PRESENTES, LES MACLES (PLANS DE TYPE 101) ET LES DESORIENTATIONS ANGULAIRES. UNE CORRELATION ENTRE LA MOSAICITE ET LA RUGORISITE DES FILMS ETABLIT CLAIREMENT UN
