Contribution a l'etude des depots par plasma basse frequence de films minces organosilicies PDF Download
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Author: Abdellah el Jounaidi
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Author: Abdellah el Jounaidi
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Author: Abdellah El Jounaîdi
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Pages : 152
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE D'UN PLASMA DE DEPOT ET L'ANALYSE DES FILMS ORGANOSILICIES DEPOSES DANS UNE DECHARGE BASSE FREQUENCE (2,5 KHZ). UNE PARTIE DE L'ETUDE DE LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA A PORTE SUR LA DETERMINATION DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE (TE) ET LA DENSITE ELECTRONIQUE (N#E) ET LEUR EVOLUTION EN FONCTION DES CONDITIONS DE DECHARGE (COURANT DE DECHARGE, PRESSION). IL A DEMONTRE PAR LA METHODE DE LA SONDE DE LANGMUIR QUE N#E VARIE ENTRE 10#7 ET 10#8 CM##3, TANDIS QUE TE2,0 EV EST PEU SENSIBLE AUX CONDITIONS DE DECHARGE. LE DIAGNOSTIC DE LA PHASE GAZEUSE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE A MIS EN EVIDENCE LA DISYMETRIE DE LA DECHARGE. L'EMPLOI D'UNE FIBRE OPTIQUE A PERMIS DE RECUEILLIR L'INTENSITE D'EMISSION DES ESPECES EXCITEES A DIFFERENTES HAUTEURS DE L'ESPACE INTERELECTRODE. LE MAXIMUM D'EMISSION SITUE DANS LA REGION CATHODIQUE DE LA PLUPART DES ESPECES EXCITEES MONTRE UNE FORTE DISSOCIATION DE LA MOLECULE DU MONOMERE DANS CETTE REGION, CE QUI CONDUIT A UN TAUX DE CROISSANCE DU FILM DEPOSE QUATRE FOIS PLUS ELEVE SUR LA CATHODE QUE SUR L'ANODE. L'ANALYSE DES FILMS DEPOSES MONTRE QUE LES CONDITIONS DE DECHARGE N'INFLUENT PAS BEAUCOUP SUR LA STRUCTURE DES FILMS. EN REVANCHE, DES QUANTITES DE PLUS EN PLUS IMPORTANTES CONTRIBUENT A L'ELIMINATION DE LA PARTIE ORGANIQUE DANS LES FILMS. CES FILMS MINCES SONT UTILISES DANS LE DOMAINE DE LA PASSIVATION DES SURFACES DE SEMICONDUCTEURS OU COMME COUCHES PLANARISANTES
Author: Ahmed Bennani (docteur en physique)
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LA PRESENTE ETUDE PORTE SUR LE DEPOT DE FILMS MINCES DE CARBONE AMORPHE HYDROGENE PAR PLASMA A PARTIR DE METHANE. NOUS AVONS ANALYSE LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES DECHARGES ET L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE LA DECHARGE (PRESSION, DENSITE DE PUISSANCE ET FREQUENCE) SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE, LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DES FILMS A-C: H. POUR LE DEPOT DES FILMS, DEUX TYPES DE REACTEURS ONT ETE UTILISES: 1) UN REACTEUR PLASMA, BASSE FREQUENCE (20 KHZ) A ELECTRODES COPLANAIRES; 2) UN REACTEUR PLASMA, HAUTE FREQUENCE, RELIE A UN SYSTEME D'EXCITATION DU TYPE: -L.C. RO-BOX FONCTIONNANT DANS LA GAMME DE FREQUENCE 13.56-100 MHZ, -STUB RO-BOX DANS LA GAMME 500-1000 MHZ. LA PREMIERE PARTIE PORTE SUR L'ETUDE DE LA CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA DECHARGE A 20 KHZ, ELLE NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE DEUX ZONES DE TRAVAIL DONNANT LIEU A DES FILMS DIFFERENTS. NOUS AVONS MONTRE, GRACE AUX ANALYSES DE STRUCTURES: ESCA, EELS, RAMAN ET IR, QUE LES FILMS SONT PRINCIPALEMENT CONSTITUES DE CARBONE AMORPHE AVEC LA PRESENCE D'ILOTS DE CARBONE GRAPHITE, AVEC TOUTEFOIS UNE TENEUR EN GRAPHITE PLUS IMPORTANTE POUR LES FILMS PREPARES A FORTE ENERGIE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA REPONSE ELECTRIQUE NON-LINEAIRE DES FILMS EST LIEE A LA QUANTITE DE GRAPHITE PRESENTE DANS LE MATERIAU. L'ETUDE DE LA REPONSE EN ALTERNATIF (PERMITTIVITE COMPLEXE ET PERTES DIELECTRIQUES) A MIS EN EVIDENCE UN PIC DE RELAXATION POUR LES FILMS PREPARES A FORTE ENERGIE, INTERPRETE COMME UNE POLARISATION PAR CHARGES D'ESPACES. LA REPONSE A UN ECHELON DE TENSION, MONTRE QU'EN REGIME PERMANENT ON EST EN PRESENCE DE COURANTS LIMITES PAR CHARGES D'ESPACES. LA DEUXIEME PARTIE PORTE SUR L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU PLASMA (P, W, T) SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE. UNE ATTENTION SPECIFIQUE EST PORTEE AU ROLE DE LA FREQUENCE D'EXCITATION DU PLASMA, QUI MONTRE LES TAUX DE CROISSANCE SONT SENSIBLES A CE PARAMETRE
Author: Mohamed Latreche
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Author: Mohamed Latreche
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Pages : 172
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LE TRAVAIL PRESENTE S'INTERESSE A LA CARACTERISATION DE PLASMAS DE DEPOT ET L'ANALYSE DE COUCHES MINCES ORGANOSILICIES OBTENUES DANS UN PLASMA MULTIPOLAIRE A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LA DETERMINATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU PLASMA PAR SONDE DE LANGMUIR ET L'ETUDE DE LEUR COMPORTEMENT EN FONCTION DES PARAMETRES DE LA DECHARGE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES PARTICULIEREMENT AUX PLASMAS DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET DE L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDS). L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE EN FONCTION DE LA PUISSANCE MONTRE L'EXISTENCE DE DEUX REGIMES DE FONCTIONNEMENT POUR TOUS LES PLASMAS ETUDIES. LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE EST PEU INFLUENCEE PAR LES CONDITIONS PLASMA DANS LE CAS DU TETRAETHOXYSILANE ET DE L'HEXAMETHYLDISILOXANE. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ANALYSE DE LA PHASE GAZ DU PLASMA. LA SPECTROMETRIE DE MASSE MONTRE QUE LES MONOMERES SONT FORTEMENT FRAGMENTES (PLUS DE 95% A PARTIR DE 100 WATT). LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE MET EN EVIDENCE L'ABONDANCE DU GROUPEMENT CO#+ DANS LE PLASMA TETRAETHOXYSILANE, ALORS QU'IL EST QUASIMENT INEXISTANT DANS LE PLASMA D'HEXAMETHYLDISILOXANE. LE PLASMA DU MELANGE HEXAMETHYLDISILOXANE-OXYGENE EST SEMBLABLE A CELUI DU TETRAETHOXYSILANE PUR. LES STRUCTURES DES DEPOTS OBTENUS SONT ASSEZ PROCHES. L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE LA VITESSE DE CROISSANCE DES FILMS, DE LEUR STRUCTURE ET COMPOSITION EST TRAITEE DANS LA TROISIEME PARTIE. LES ANALYSES DES COUCHES DEPOSEES ONT MONTRE QUE L'INTRODUCTION DE L'OXYGENE DANS LE PLASMA ET LA POLARISATION DU SUBSTRAT CONTRIBUENT A L'ELIMINATION DES PARTIES ORGANIQUES INCORPOREES DANS LES DEPOTS
Author: KARINE.. AUMAILLE
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Languages : fr
Pages : 215
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA FRAGMENTATION DE MOLECULES ORGANOSILICIEES DANS DES PLASMAS BASSE PRESSION (2 MTORR) DE MELANGE OXYGENE/ORGANOSILIE OBTENUS DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). LES TROIS ORGANOSILICIES RETENUS POUR CETTE ETUDE COMPARATIVE SONT : LE TETRAETHOXYSILANE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE ET L'HEXAMETHYLDISILAZANE NOTES, RESPECTIVEMENT, TEOS SI(OC 2H 5) 4, HMDSO (CH 3) 3SIOSI(CH 3) 3 ET HMDSN (CH 3) 3SINHSI(CH 3) 3. DANS LE BUT DE COMPRENDRE LA CINETIQUE DE FRAGMENTATION DES MOLECULES ORGANOSILICIEES, NOUS AVONS ETE AMENES A ETUDIER, PAR SPECTROMETRIE DE MASSE, L'INFLUENCE DE PLUSIEURS PARAMETRES TELS QUE LA PUISSANCE, LA NATURE DU GAZ ADDITIF ET LA FRACTION D'ORGANOSILICIE, SUR LA COMPOSITION IONIQUE ET NEUTRE DU PLASMA. EN PARALLELE, LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE A ETE UTILISEE POUR IDENTIFIER LES ESPECES EXCITEES RADIATIVES DE LA PHASE GAZEUSE. NOUS AVONS AINSI PU COMPARER LES RESULTATS OBTENUS PAR SPECTROMETRIE DE MASSE AVEC CEUX DEDUITS DE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE. EN PARALLELE A CETTE CARACTERISATION DU PLASMA, LES FILMS ONT ETE ANALYSES AFIN DE COMPRENDRE LA CORRELATION ENTRE LES PARAMETRES DU PROCEDE PLASMA, LA COMPOSITION DU PLASMA ET LA STRUCTURE DES COUCHES DEPOSEES. LES PROPRIETES OPTIQUES (INDICE DE REFRACTION ET COEFFICIENT D'EXTINCTION) ET LA VITESSE DE CROISSANCE DE CES MATERIAUX ONT ETE DETERMINEES PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE. LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE ET LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X NOUS ONT PERMIS D'OBSERVER LES VARIATIONS DE COMPOSITION DES FILMS SELON LES CONDITIONS D'ETUDE.
Author: Ahmed Benani
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