Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe PDF Author: Claude Roussel (prom. 1984.)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

Get Book Here

Book Description

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite: ZnTe et MgZnTe PDF Author: Claude Roussel (prom. 1984.)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

Get Book Here

Book Description


Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite PDF Author: Claude Roussel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0

Get Book Here

Book Description


Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite PDF Author: Claude Roussel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

Get Book Here

Book Description
PAR POMPAGE OPTIQUE ET SURTOUT BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE PULSE A PARTIR D'UNE INSTALLATION TRES SPECIFIQUE NOUS METTONS EN EVIDENCE, ANALYSONS ET CARACTERISONS L'EMISSION LASER DE ZNTE ET MGZNTE DE 4K A 300K SUR DES CAVITES FABRY-PEROT CLIVEES OU DISTRIBUEES PAR ELABORATION DE RESEAUX A PAS TRES FINS. NOUS MESURONS LE GAIN OPTIQUE ET OBTENONS DES SEUILS LASER TRES BAS SUR DES CAVITES DE BONNE QUALITE CRISTALLINE. NOUS MONTRONS QUE LA CINETIQUE DE L'EMISSION LASER DEPEND DU TAUX DE DEPASSEMENT PAR RAPPORT AU SEUIL; SUR UN MODELE CLASSIQUE, UNE ANALYSE THERMOCINETIQUE REND ALORS BIEN COMPTE DES DIFFERENTES FORMES COMPLEXES DE SPECTRES. SUR DES CRISTAUX DE HAUTE PURETE (10**(13)-10**(14) CM-**(3)) NOUS PRECISONS A FAIBLE NIVEAU D'EXCITATION (PAR PHOTOLUMINESCENCE) LA NATURE EXCITONIQUE DES DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION JUSQU'A L'AMBIANTE ET, CONFORMEMENT AUX MODELES QUANTIQUES, ATTRIBUONS L'EMISSION SOUS FORTE INJECTION (ELECTRONIQUE) A DES PROCESSUS DE COLLISIONS INELASTIQUES: EXCITONS-EXCITONS (POUR T60K) ET EXCITONS-PORTEURS LIBRES (POUR T60K)

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite

Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite PDF Author: Claude Ronssel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

Get Book Here

Book Description


Contribution à l'étude des phénomènes non-linéaires dans les lasers à semi-conducteurs

Contribution à l'étude des phénomènes non-linéaires dans les lasers à semi-conducteurs PDF Author: François Girardin (électronique et communication).)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0

Get Book Here

Book Description
CE TRAVAIL PORTE PRINCIPALEMENT SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE DU COMPORTEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS. IL A ETE INITIALEMENT MOTIVE PAR LA VOLONTE D'OPTIMISER ET DE CARACTERISER UNE NOUVELLE STRUCTURE DE LASERS DE TYPE DFB, LES LASERS A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE, DEVELOPPES DANS LE BUT D'OBTENIR DES LASERS MONOMODES EMETTANT DE FORTES PUISSANCES. LA CONNAISSANCE ET LA MAITRISE DES EFFETS PHYSIQUES IMPLIQUES DANS LE FONCTIONNEMENT DES LASERS A SEMI-CONDUCTEURS PASSE PAR UNE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES COMPOSANTS. CELLE-CI PEUT ETRE REALISEE SUR LES CARACTERISTIQUES EXTERNES OU PAR UNE OBSERVATION INTERNE, ET DONC PLUS DIRECTE, DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT. EN PARTICULIER, LA MESURE DE LA DENSITE DE PORTEURS LOCALE NOUS A PERMIS DE QUANTIFIER LES NON-UNIFORMITES PRESENTES DANS LES LASERS DFB A SAUT DE PHASE. D'AUTRE PART, L'ETUDE DU SPECTRE DE L'EMISSION SPONTANEE DONNE DES INFORMATIONS SUR LES ORIGINES DE LA SUPPRESSION DE GAIN. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'UN ECHAUFFEMENT DES PORTEURS IMPORTANT DANS DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS PAR CETTE METHODE. PARALLELEMENT, LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE DE LASERS DFB A ETE POURSUIVI. CELUI-CI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU RESEAU A COEFFICIENT DE COUPLAGE VARIABLE SUR LA VARIATION DE L'INDICE EFFECTIF DU MODE OPTIQUE. LE FONCTIONNEMENT DU LASER EST FORTEMENT PERTURBE PAR CETTE VARIATION. LES DISTRIBUTIONS DE PORTEURS ET DE PUISSANCE OPTIQUE SONT EGALEMENT CALCULEES ET COMPAREES AUX MESURES.

Contribution à l'étude des propriétés spectrales et spatiales des lasers à semi-conducteurs en cavité externe [microforme]

Contribution à l'étude des propriétés spectrales et spatiales des lasers à semi-conducteurs en cavité externe [microforme] PDF Author: Sylvain Mailhot
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612174566
Category :
Languages : fr
Pages : 450

Get Book Here

Book Description


CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS MULTISECTIONS EMETTANT A 1-5 MICRON ACCORDABLES EN LONGUEUR D'ONDE

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS MULTISECTIONS EMETTANT A 1-5 MICRON ACCORDABLES EN LONGUEUR D'ONDE PDF Author: Joël Jacquet (enseignant-chercheur à Supelec).)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 253

Get Book Here

Book Description
LES PROGRES TECHNOLOGIQUES SPECTACULAIRES, POUR LA REALISATION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEURS EMETTANT A 1.5 M, ONT DONNE LIEU A UNE EVOLUTION CONSIDERABLE DES SYSTEMES DE TRANSMISSION OPTIQUE. LA HAUTE PURETE SPECTRALE DES SOURCES, L'ACCOUDABILITE EN LONGUEUR D'ONDE ET LA MODULATION DE FREQUENCE PAR LE COURANT D'INJECTION DES LASERS SONT A LA BASE DE SYSTEMES DE TRANSMISSION EN MODULATION FSK UTILISANT LE MULTIPLEXAGE FREQUENTIEL ET, A LA RECEPTION, LA DETECTION HETERODYNE (DITE COHERENTE). NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE L'ETUDE DE LASERS MULTISECTIONS REPONDANT A CES CRITERES. UN MODELE SIMPLE, BASE SUR LA THEORIE DES MODES COUPLES, EST UTILISE POUR CALCULER LES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DES LASERS (COURANT DE SEUIL, RENDEMENT, LARGEUR DE RAIE, SELECTIVITE MODALE, ACCORDABILITE). CE MODELE, VALIDE POUR DES LASERS DFB, A PERMIS DE CONCEVOIR DES STRUCTURES DBR A 3 ELECTRODES. LES DBR REALISES ONT MONTRE UNE ACCORDABILITE SUPERIEURE A 4 NM ET UNE LARGEUR DE RAIE INFERIEURE A 10 MHZ SUR UNE PLAGE DE LONGUEUR D'ONDE DE 3 MM. AVEC DE TELLES PERFORMANCES, CE COMPOSANT PEUT-ETRE UTILISE COMME OSCILLATEUR LOCAL DANS UNE ARCHITECTURE RESEAU COMPORTANT PLUS DE 60 CANAUX, SEPARES DE 6 GHZ, EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S. POUR UN TEL SYSTEME, LA SOURCE EMETTRICE DOIT PRESENTER UNE REPONSE EN MODULATION DE FREQUENCE AVEC UNE GRANDE BANDE PASSANTE ET UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE AVEC LA FREQUENCE. UNE MODELISATION DE STRUCTURES A PLUSIEURS SECTIONS ACTIVES, BASEE SUR LA RESOLUTION DES EQUATIONS DE CONTINUITE ET TENANT COMPTE DE LA DISTRIBUTION DE PHOTON, MONTRE QUE CES PERFORMANCES PEUVENT ETRE ATTEINTES MOYENNANT UNE OPTIMISATION DES LONGUEURS ET DES COURANTS D'INJECTION DE CHAQUE SECTION. ON A AINSI REALISE DES LASERS DBR A 4 ELECTRODES ET DES DFB A ZONE DE PHASE MODULABLE PRESENTANT UNE SENSIBILITE FM ELEVEE ET PLATE JUSQU'A 1 GHZ. UN RESEAU DE DISTRIBUTION DE 8 CANAUX EN MODULATION FSK A 600 MBIT/S ET DETECTION COHERENTE A ETE REALISE AVEC CES COMPOSANTS.

Étude et réalisation d'un laser à semiconducteur compact de type à pompage électronique (par micropointes) émettant dans le visible (bleu)

Étude et réalisation d'un laser à semiconducteur compact de type à pompage électronique (par micropointes) émettant dans le visible (bleu) PDF Author: Denis Hervé
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 184

Get Book Here

Book Description
L'ETUDE D'UN LASER A SEMICONDUCTEUR DE TYPE A POMPAGE ELECTRONIQUE EST PRESENTEE. LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION D'UN LASER COMPACT EMETTANT DANS LE VISIBLE (BLEU). DEUX ASPECTS DISTINCTS ONT ETE CONSIDERES. 1 LE POMPAGE ELECTRONIQUE DU LASER AINSI QUE LA REALISATION D'UN DISPOSITIF COMPACT. LE FAISCEAU D'ELECTRONS PERMETTANT LE POMPAGE DU LASER EST OBTENU A PARTIR D'UNE CATHODE COMPORTANT DES MICROPOINTES. CE COMPOSANT EST UNE SOURCE D'ELECTRONS FROIDE, UTILISANT LE PRINCIPE DE L'EMISSION PAR EFFET DE CHAMP, REALISE GRACE AUX PROCEDES DE LA MICROELECTRONIQUE CONVENTIONNELLES ET DEJA UTILISE DANS LA FABRICATION D'ECRANS PLATS. LES TRAVAUX PRESENTES RELATENT L'ETUDE DES CARACTERISTIQUES DE CES SOURCES ET DE LEUR INTERET DANS LE CADRE DE CE PROJET. LA FOCALISATION DU FAISCEAU D'ELECTRONS EST DECRITES DANS PLUSIEURS CAS DE FIGURE, ET LA REALISATION D'UN DISPOSITIF COMPACT SCELLE SOUS VIDE STATIQUE FONCTIONNANT EN MODE CATHODOLUMINESCENT EST RAPPORTEE. 2 LASER SEMICONDUCTEUR II-VI A GRAND GAP PERMETTANT L'EMISSION LUMINEUSE DANS LE VISIBLE. LES HETEROSTRUCTURES LASER DOIVENT ETRE SPECIALEMENT ADAPTEES AU POMPAGE ELECTRONIQUE A CAUSE DE LA RELATIVEMENT FAIBLE PROFONDEUR DE PENETRATION DES ELECTRONS POUR LES ENERGIES CONSIDEREES. LA DESCRIPTION DU FONCTIONNEMENT DES LASERS SEMICONDUCTEURS EST DONNEES DANS UN PREMIER TEMPS. IL APPARAIT QUE POUR NOTRE APPLICATION, LES STRUCTURES LASER DOIVENT ETRE DE TYPE GRINSCH (HETEROSTRUCTURE A GRADIENT DE COMPOSITION ET A SEPARATION DES CONFINEMENTS) A PUITS QUANTIQUES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, LES RESULTATS DE CARACTERISATION DES MATERIAUX LASER, PAR LES TECHNIQUES DE CATHODOLUMINESCENCE, DE MICROSCOPIE, DE SPECTROSCOPIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES (SIMS) ET DE POMPAGE ELECTRONIQUE SONT DONNES. L'EVOLUTION DES SEUILS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET LES PROBLEMES DE DUREE DE VIE EN FONCTIONNEMENT DES LASERS SEMICONDUCTEURS SONT PLUS PARTICULIEREMENT TRAITES. CES RESULTATS SONT COMPARES A CEUX DES DIODES LASER II-VI ACTUELLES

Contribution à l'étude de l'émission électronique secondaire des semi-conducteurs

Contribution à l'étude de l'émission électronique secondaire des semi-conducteurs PDF Author: Lucien Touzillier
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 82

Get Book Here

Book Description