Circuit d'amplification Doherty intégré large bande pour applications radio cellulaires de puissance PDF Download
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Author: Hao Zhang
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Book Description
Ces travaux de recherche concernent la conception, la réalisation et la mesure des circuits d'amplification Doherty LDMOS intégrés large-bande pour stations de base, nécessaires au développement de la 5G. Suite à la recherche des techniques pour l'amélioration du rendement électrique pour des signaux à forte dynamique d'amplitude et les possibilités d'intégration, la technique Doherty a été choisie. Des études sur les structures Doherty à deux puis trois voies montrent que l'amélioration de rendement pourra être renforcée et étendue par l'ajout d'un troisième étage avec des tailles de transistors calculées en prenant en compte un fonctionnement en classe C des étages auxiliaires. Des limitations d'utilisation de la technique Doherty sont montrées par la prise en compte des différentes non-linéarités des transistors LDMOS. La recherche des architectures large-bandes montre que la technique d'absorption du CdS et l'utilisation de circuits de répartition de type mixte en entrée présentent des avantages pour l'intégration. A partir des différentes études, des amplificateurs de puissance Doherty MMIC à trois voies ont été réalisés avec un ratio d'asymétrie de 1 :3 :3 dans la bande de 1805 MHz à 2170 MHz. Les performances expérimentales montrent les potentialités du Doherty et notamment une nette amélioration du rendement sur toute la bande de fréquence. Des considérations spécifiques d'adaptation sont présentées dans le but de réduire les produits de distorsions d'ordre 3, 10 et 12 (IMD 10 /12). Les mesures de linéarité à différentes largeurs de bande instantanées sont très encourageantes et valident la nouvelle architecture du Doherty à trois voies asymétriques.
Author: Hao Zhang
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Ces travaux de recherche concernent la conception, la réalisation et la mesure des circuits d'amplification Doherty LDMOS intégrés large-bande pour stations de base, nécessaires au développement de la 5G. Suite à la recherche des techniques pour l'amélioration du rendement électrique pour des signaux à forte dynamique d'amplitude et les possibilités d'intégration, la technique Doherty a été choisie. Des études sur les structures Doherty à deux puis trois voies montrent que l'amélioration de rendement pourra être renforcée et étendue par l'ajout d'un troisième étage avec des tailles de transistors calculées en prenant en compte un fonctionnement en classe C des étages auxiliaires. Des limitations d'utilisation de la technique Doherty sont montrées par la prise en compte des différentes non-linéarités des transistors LDMOS. La recherche des architectures large-bandes montre que la technique d'absorption du CdS et l'utilisation de circuits de répartition de type mixte en entrée présentent des avantages pour l'intégration. A partir des différentes études, des amplificateurs de puissance Doherty MMIC à trois voies ont été réalisés avec un ratio d'asymétrie de 1 :3 :3 dans la bande de 1805 MHz à 2170 MHz. Les performances expérimentales montrent les potentialités du Doherty et notamment une nette amélioration du rendement sur toute la bande de fréquence. Des considérations spécifiques d'adaptation sont présentées dans le but de réduire les produits de distorsions d'ordre 3, 10 et 12 (IMD 10 /12). Les mesures de linéarité à différentes largeurs de bande instantanées sont très encourageantes et valident la nouvelle architecture du Doherty à trois voies asymétriques.
Author: Mohammed Saad Boutayeb
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Avec l'arrivée de la 5G NR, les architectures des émetteurs-récepteurs des terminaux mobiles doivent intégrer plus de composants (filtres, amplificateurs de puissance...) afin d'adresser des bandes plus nombreuses et plus larges (notamment les bandes « sub-6 GHz ») en plus de traiter des signaux plus complexes. Ces nouvelles contraintes d'encombrement et de performances auxquelles doivent répondre les émetteurs-récepteurs ont un impact direct sur les spécifications techniques des amplificateurs de puissance (PA). D'une part il est nécessaire d'avoir des PA qui adressent des bandes plus larges afin de réduire le nombre de composants dans la chaîne d'émission ; d'autre part, ces PA doivent répondre aux critères de linéarité des nouveaux standards (LTE-A et 5G NR) tout en assurant une bonne efficacité énergétique de fonctionnement. Les travaux de cette thèse portent sur l'investigation d'architectures avancées de PA alliant largeur de bande, linéarité et efficacité énergétique.Le contexte et les motivations de la thèse énoncés, le choix de la technologie RF SOI 130nm et les contraintes auxquels doit répondre le PA sont justifiés. Une étude de l'état de l'art des architectures avancées (à efficacité améliorée) de PA permet de retenir l'architecture Doherty comme solution intéressante. Une étude théorique de l'architecture Doherty est effectuée afin de modéliser son fonctionnement, d'identifier l'impact des paramètres de dimensionnement et des capacités parasites du transistor sur les performances de celle-ci avant d'explorer les perspectives qu'elle présente en termes de largeur de bande. Un premier circuit démonstrateur a été implémenté en RF SOI 130nm. Il s'agit d'un étage amplificateur Doherty couvrant la bande 3,2-3,6 GHz. Pour un signal LTE 10MHz 50RB à une puissance de sortie de 27dBm, un ACLR maximal de -30,5 dBc et une PAE minimale de 36% a été mesurée sur toute la bande. Un deuxième circuit Doherty intégrant un étage de pré-amplification (driver) a été implémenté dans la même technologie. Les mesures pour un signal LTE 10MHz 12RB à 28 dBm de puissance de sortie donnent un ACLR maximal de -35 dBc et une PAE minimale de 32% sur toute la bande 3,2-3,8 GHz ce qui permet de couvrir les bandes B42, B43 et B49.
Author: Djitiningo Thierry Joel Diatta
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« L’évolution rapide des systèmes de télécommunications notamment les systèmes de communications sans fil constaté fait appel à la fabrication de nouveaux dispositifs permettant d’améliorer la qualité des services. Pour standardiser cette évolution dans les systèmes de télécommunication sans fil et répondre à diverses applications de communication, des normes sont mises en place comme la norme GSM (the Global Systems for Mobile communication systems), la norme WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access), la norme UMTS (Universal Mobile Telecommunications System), la norme LTE (Long-Term Evolution) et la norme WiMAX (Worldwide interoperability for Microwave Access). Toutes ces normes précédemment citées ont pour but de diminuer la latence dans la communication, d’augmenter le débit, de rendre meilleur le paramètre QoS (Quality of Service). C’est dans ce but de rendre toujours plus performant les systèmes de télécommunication sans fil que la technologie 5G (réseaux mobiles de cinquième génération) a été définie avec une bande passante de 500 MHz pour la plage de fréquence appelée NR n78 ou 3.5 GHz allant de 3.3 GHz à 3.8 GHz. Dans le chapitre 2, une méthodologie de caractérisation pour les applications large bande avec une bande de fréquence fondamentale (3.3-3.8 GHz) et ses 2e et 3e bandes d’harmoniques est présentée. La caractérisation du transistor CGH40010 capable de fournir 10 W en puissance de sortie avec une puissance d’entrée de 26.5 dBm a été faite en simulation sur le logiciel ADS 2019 avec le modèle à large bande du transistor nommé CGH40010F_r6_CGH40_r6 fournit par Wolfspeed. La méthodologie utilisée consiste à faire des simulations de type Loadpull /Sourcepull avec les fréquences fondamentales 3.3 GHz, 3.425 GHz, 3.55 GHz, 3.675 GHz, 3.8 GHz afin de couvrir la bande 3.3-3.8 GHz (Notons que dans la simulation les deuxième et troisième harmoniques sont prises en compte en entrée et en sortie pour l’amplificateur de puissance large bande NR n78) ensuite en faisant l’analyse des données découlant de cette simulation, nous avons déterminé les impédances optimales des bandes fondamentales, deuxième et troisième harmoniques nous permettant ainsi de rechercher un paramètre PAE maximum dans toute la bande NR n78. D’après notre caractérisation, la puissance de sortie obtenue dans la bande NR n78 est d’au moins 41.37 dBm et le paramètre PAE est d’au moins 75.96 %. Dans le chapitre 3, en se basant sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance large bande fonctionnant sur toute la bande NR n78 est présenté pour atteindre les contraintes de large bande, de puissance de sortie et d’efficacité imposées par la technologie 5G. Pour améliorer le paramètre PAE, nous avons utilisé un filtre passe bas adaptateur d’impédance afin de supprimer les bandes des 2e et 3e harmoniques. Les paramètres PAE maximums mesurés dans toute la bande NR n78 varient entre 60.17-70.87 % et la puissance de sortie et le gain qui leurs sont associés varient respectivement entre 39.73-40.97 dBm et 11.50-13.97 dB. Enfin, dans le chapitre 4, en se basant aussi sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance à haute efficacité utilisant un filtre coupe bande SIW asymétrique large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 est présenté. Pour améliorer le paramètre PAE, le filtre de type SIW coupe bande qu’on propose permet de doubler voire tripler la bande de réjection proposée par la littérature en utilisant des tronçons asymétriques sur les transitions micro ruban-SIW afin d'avoir une suppression large bande de la 2e harmonique (6.6-7.6 GHz) d’au moins 24 dBc tout en minimisant les pertes dans la bande fondamentale NR n78. En effet, ce filtre SIW utilisé pour concevoir les réseaux d’adaptation en entrée et en sortie de l’amplificateur à la caractéristique de ne pas utiliser la zone SIW est qui sera utilisée pour faire l'adaptation d'impédance avec un trou inductif métallisé. Les résultats simulés à la fréquence 3.55 GHz nous donnent un paramètre PAE maximum de 63.09 % avec 40.78 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.78 dB. Pour les résultats mesurés à la fréquence 3.55 GHz nous avons obtenu un paramètre PAE maximum de 52.20 % avec 40.47 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.47 dB. La perte au paramètre PAE maximum entre la simulation et la mesure est de l’ordre de 10.89 %. Aux fréquences 3.3 GHz et 3.8 GHz l’amplificateur ne marche pas tant dans les simulations que dans la mesure. Pour régler les problèmes liés au fonctionnement large bande de l’AP, nous avons proposé une méthodologie pour l’adaptation d’impédance large bande sur le filtre SIW. Malheureusement cette méthode proposée à son tour ne règle pas nos problèmes d’adaptation d’impédance large bande, néanmoins elle nous a permis de connaitre l’effet de la taille du trou métallisé inductif sur les impédances. Pour finir, nous avons défini un travail futur à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G. Dans le futur, un travail à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G a été proposé. Aussi la caractérisation du chapitre 2 pourrait être faite avec un signal avancé comme un signal 5G. De même, les mesures effectuées dans le chapitre 3 pourraient être faites avec un signal 5G. En outre, la possibilité d’implémenter les méthodes de conception décrites dans les chapitres 3 et 4 pour concevoir des structures comme des amplificateurs Doherty de puissance large bande pour la technologie 5G est envisageable. -- Mot(s) clé(s) en français : Caractérisation, amplificateur de puissance, large bande, Loadpull / Sourcepull, réseau d'adaptation avec filtre passe-bas, guide d'onde intégré au substrat, suppression d'harmoniques, réseau d'adaptation, rendement en puissance ajoutée, 5G. »--
Author: Andrei Grebennikov
Publisher: Academic Press
ISBN: 0128227540
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 840
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Book Description
Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers, Third Edition is an essential reference book on developing RF and microwave switchmode power amplifiers. The book combines theoretical discussions with practical examples, allowing readers to design high-efficiency RF and microwave power amplifiers on different types of bipolar and field-effect transistors, design any type of high-efficiency switchmode power amplifiers operating in Class D or E at lower frequencies and in Class E or F and their subclasses at microwave frequencies with specified output power, also providing techniques on how to design multiband and broadband Doherty amplifiers using different bandwidth extension techniques and implementation technologies. This book provides the necessary information to understand the theory and practical implementation of load-network design techniques based on lumped and transmission-line elements. It brings a unique focus on switchmode RF and microwave power amplifiers that are widely used in cellular/wireless, satellite and radar communication systems which offer major power consumption savings. Provides a complete history of high-efficiency Class E and Class F techniques Presents a new chapter on Class E with shunt capacitance and shunt filter to simplify the design of high-efficiency power amplifier with broader frequency bandwidths Covers different Doherty architectures, including integrated and monolithic implementations, which are and will be, used in modern communication systems to save power consumption and to reduce size and costs Includes extended coverage of multiband and broadband Doherty amplifiers with different frequency ranges and output powers using different bandwidth extension techniques Balances theory with practical implementation, avoiding a cookbook approach and enabling engineers to develop better designs, including hybrid, integrated and monolithic implementations
Author: Andrei Grebennikov
Publisher: Newnes
ISBN: 0080550649
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 443
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Book Description
A majority of people now have a digital mobile device whether it be a cell phone, laptop, or blackberry. Now that we have the mobility we want it to be more versatile and dependable; RF power amplifiers accomplish just that. These amplifiers take a small input and make it stronger and larger creating a wider area of use with a more robust signal.Switching mode RF amplifiers have been theoretically possible for decades, but were largely impractical because they distort analog signals until they are unrecognizable. However, distortion is not an issue with digital signals—like those used by WLANs and digital cell phones—and switching mode RF amplifiers have become a hot area of RF/wireless design. This book explores both the theory behind switching mode RF amplifiers and design techniques for them.*Provides essential design and implementation techniques for use in cma2000, WiMAX, and other digital mobile standards*Both authors have written several articles on the topic and are well known in the industry*Includes specific design equations to greatly simplify the design of switchmode amplifiers
Author: Martin Lindstrom
Publisher: Currency
ISBN: 0385523890
Category : Business & Economics
Languages : en
Pages : 274
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Book Description
NEW YORK TIMES BESTSELLER • “A fascinating look at how consumers perceive logos, ads, commercials, brands, and products.”—Time How much do we know about why we buy? What truly influences our decisions in today’s message-cluttered world? In Buyology, Martin Lindstrom presents the astonishing findings from his groundbreaking three-year, seven-million-dollar neuromarketing study—a cutting-edge experiment that peered inside the brains of 2,000 volunteers from all around the world as they encountered various ads, logos, commercials, brands, and products. His startling results shatter much of what we have long believed about what captures our interest—and drives us to buy. Among the questions he explores: • Does sex actually sell? • Does subliminal advertising still surround us? • Can “cool” brands trigger our mating instincts? • Can our other senses—smell, touch, and sound—be aroused when we see a product? Buyology is a fascinating and shocking journey into the mind of today's consumer that will captivate anyone who's been seduced—or turned off—by marketers' relentless attempts to win our loyalty, our money, and our minds.
Author: Philostratus (the Athenian)
Publisher:
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Category :
Languages : en
Pages : 280
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Book Description
Author: Robert Wodrow
Publisher: BoD – Books on Demand
ISBN: 3385129664
Category : Fiction
Languages : en
Pages : 410
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Book Description
Reprint of the original, first published in 1842.
Author: Robert Salas
Publisher: Career Press
ISBN: 9781601633422
Category : Body, Mind & Spirit
Languages : en
Pages : 0
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Book Description
In 1969 the U.S. Air Force issued a statement that read' "No UFO reported, investigated and evaluated by the Air Force was ever an indication of threat to our national security." This statement is patently false. It has been proven untrue by the testimony of many military officers and airmen and documentation of incidents involving UFOs and nuclear weapons, testimonies of which the U.S. Air Force was fully aware. Unidentified details many of these testimonies, some for the first time. As partial justification for its position, the Air Force cites a University of Colorado study that was contracted and paid for by federal funds. Unidentified reveals how this study was actually just another part of the plan to cover up the reality of the UFO phenomenon. For the first time, Unidentified publishes evidence that the investigators for the Colorado study knew about the UFO-related missile shutdown incidents but did not investigate them or include them in their final report.
Author: Canada. Patent Office
Publisher:
ISBN:
Category : Copyright
Languages : en
Pages : 1070
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