CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI PDF Download
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Author: Nadia Benjelloun
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 283
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Book Description
LA METHODE EST UTILISEE POUR L'ETUDE DE LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ET SUR CDIN::(2)S::(4). LA CARACTERISATION DES NIVEAUX AYANT DES ENERGIES D'IONISATION THERMIQUE ENTRE 0,1 EV ET 0,9 EV, LE MODELE DE TRANSFERT DE CHARGE DECRIVANT L'EFFET PHOTOREFRACTIF ET L'EVALUATION DU NIVEAU DE RECOMBINAISON, SONT FAITS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF. LES EFFETS DU DOPAGE (FER) ET DU CODOPAGE (FER, VANADIUM) SUR LES NIVEAUX SONT CONSIDERES. LE CENTRE RESPONSABLE DE LA CAPTURE D'ELECTRONS EST AUSSI ETUDIE PAR ABSORPTION OPTIQUE ET PHOTOCONDUCTIVITE PHOTOINDUITES. LES RESULTATS S'ACCORDENT AVEC CEUX DES MESURES DE PHOTOREFRACTIVITE
Author: Nadia Benjelloun
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LA METHODE EST UTILISEE POUR L'ETUDE DE LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ET SUR CDIN::(2)S::(4). LA CARACTERISATION DES NIVEAUX AYANT DES ENERGIES D'IONISATION THERMIQUE ENTRE 0,1 EV ET 0,9 EV, LE MODELE DE TRANSFERT DE CHARGE DECRIVANT L'EFFET PHOTOREFRACTIF ET L'EVALUATION DU NIVEAU DE RECOMBINAISON, SONT FAITS DANS LE MATERIAU PHOTOREFRACTIF. LES EFFETS DU DOPAGE (FER) ET DU CODOPAGE (FER, VANADIUM) SUR LES NIVEAUX SONT CONSIDERES. LE CENTRE RESPONSABLE DE LA CAPTURE D'ELECTRONS EST AUSSI ETUDIE PAR ABSORPTION OPTIQUE ET PHOTOCONDUCTIVITE PHOTOINDUITES. LES RESULTATS S'ACCORDENT AVEC CEUX DES MESURES DE PHOTOREFRACTIVITE
Author: ABDELALI.. EN NOURI
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Languages : fr
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Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET A L'OPTIMISATION DES PROPRIETES DU MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO). UN DES OBJECTIFS POURSUIVIS CONSISTE A ETENDRE LA PHOTOSENSIBILITE VERS LE PROCHE INFRA-ROUGE PAR DOPAGE AVEC DES METAUX DE TRANSITION. SEUL LE CUIVRE EST EFFICACE. UNE PARTIE IMPORTANTE EST CONSACREE A LA CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS PAR SPECTROSCOPIE THERMIQUE, PHOTOELECTRIQUE ET OPTIQUE (UNE DESCRIPTION DETAILLEE DES TECHNIQUES EST DONNEE) ET A UNE DISCUSSION GLOBALE DES RESULTATS S'APPUYANT EGALEMENT SUR LES PUBLICATIONS D'AUTRES AUTEURS. UN MODELE DE NIVEAUX EST PROPOSE SE DISTINGUANT NETTEMENT DU MODELE ORIGINAL A DEUX NIVEAUX. UNE MEME ESPECE DE DEFAUTS INTRINSEQUES X (ANTISITE BI#G#E, LACUNE V#G#E), POUVANT PRESENTER TROIS ETATS DE CHARGE X#, X#0, X#+. X#0 DOMINE LARGEMENT MEME DANS LE MATERIAU DOPE. SEUL LE CENTRE X#0 EST OPTIQUEMENT ACTIF ET LES TROIS BANDES D'ABSORPTION ENTRE 1.3 ET 3.1 EV PEUVENT LUI ETRE ATTRIBUEES. L'INSERTION EN SITE GE, OU EVENTUELLEMENT EN SITE BI, D'UN ACCEPTEUR, ENTRAINE LE BLANCHIMENT D'UNE PROPORTION PLUS OU MOINS IMPORTANTE DE CENTRES X#0 (FORMATION DE X#+). CEPENDANT, DANS LE CAS OU L'ACCEPTEUR EST OPTIQUEMENT IONISABLE, LA LUMIERE AMBIANTE A POUR EFFET DE MAINTENIR UNE FRACTION DES CENTRES DANS L'ETAT NEUTRE, OU MEME DANS CERTAINS CAS (CRISTAL DOPE AU CUIVRE) DE RENFORCER LEUR CONCENTRATION. LA DEUXIEME PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA REALISATION D'UN MONTAGE POUR LA MESURE DE LA MOBILITE DES PHOTOPORTEURS PAR LA TECHNIQUE DU TEMPS DE VOL. DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0.3 ET 1 CM#2.V##1.S##1 ONT ETE OBTENUES AVEC DES CRISTAUX NON DOPES
