Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs PDF Download
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Author: Antoine Marty
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 245
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Author: Antoine Marty
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 245
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Author:
Publisher:
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Category : Physics
Languages : en
Pages : 548
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Author: Antoine Marty
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Category :
Languages : fr
Pages : 245
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ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES GAALAS(N)/GAAS(P)/GAAS(N). ANALYSE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES HETEROJONCTION ET PROPOSITION D'UN MODELE DE DIFFUSION DU TYPE A CONTROLE DE CHARGE. ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. ETUDE EXPERIMENTALE DES HETEROJONCTIONS ET HETEROTRANSISTORS GAALAS/GAAS
Author: DAVID.. ANKRI
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 187
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ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION
Author: Kaouther Kétata
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 268
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CETTE THESE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES ELEMENTAIRES PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATIONS A TRES LARGE BANDE. L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE TYPE P POUR CONTACT DE BASE A ABOUTI A L'INTEGRATION DE CETTE ETAPE DANS LES PROCEDES DE FABRICATION DES TRANSISTORS, EN REMPLACEMENT DE LA DIFFUSION
Author: Antoine Marty
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 245
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Author: David Ankri
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 272
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Author: Philippe Boissenot
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 187
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Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
Author: Thierry Camps
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 140
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Author: BAMUENI.. BIMUALA
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Category :
Languages : fr
Pages :
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UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
