ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINTS PDF Download
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Author: Xavier Kleber
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Languages : fr
Pages : 237
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Book Description
DANS CE TRAVAIL, LE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINT EST ETUDIE. EN FABRIQUANT DES ANTIPOINTS QUANTIQUES PAR LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE ET ATTAQUE PLASMIQUE DANS UNE HETEROSTRUCTURE GAAS/ALGAAS, NOUS OBTENONS UNE MODULATION ELECTRIQUE DE FORME ET DE TAILLE BIEN CONTROLEES. NOUS MONTRONS L'IMPORTANCE ET LE ROLE DES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES DANS CES DISPOSITIFS, NOUS PERMETTANT D'EXPLIQUER LES ANOMALIES APPARAISSANT LORS DE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE. L'INFLUENCE DE LA GEOMETRIE DES ANTIPOINTS ET DE LA FORME DU RESEAU EST ETUDIEE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE COMPORTEMENT CHAOTIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL POUR EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES OBTENUES. EN APPLIQUANT UN CHAMP MAGNETIQUE SUR UN GAZ ELECTRONIQUE NON PLAN, NOUS DISPOSONS D'UN SYSTEME A MODULATION MAGNETIQUE. PAR L'ETUDE DU TRANSPORT, NOUS ANALYSONS LES DIFFERENTES INFLUENCES DU PROFIL MAGNETIQUE CREE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRONIQUE.
Author: Xavier Kleber
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Languages : fr
Pages : 237
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DANS CE TRAVAIL, LE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES A MODULATION ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE A BASE D'ANTIPOINT EST ETUDIE. EN FABRIQUANT DES ANTIPOINTS QUANTIQUES PAR LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE ET ATTAQUE PLASMIQUE DANS UNE HETEROSTRUCTURE GAAS/ALGAAS, NOUS OBTENONS UNE MODULATION ELECTRIQUE DE FORME ET DE TAILLE BIEN CONTROLEES. NOUS MONTRONS L'IMPORTANCE ET LE ROLE DES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES DANS CES DISPOSITIFS, NOUS PERMETTANT D'EXPLIQUER LES ANOMALIES APPARAISSANT LORS DE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE. L'INFLUENCE DE LA GEOMETRIE DES ANTIPOINTS ET DE LA FORME DU RESEAU EST ETUDIEE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE COMPORTEMENT CHAOTIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL POUR EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES OBTENUES. EN APPLIQUANT UN CHAMP MAGNETIQUE SUR UN GAZ ELECTRONIQUE NON PLAN, NOUS DISPOSONS D'UN SYSTEME A MODULATION MAGNETIQUE. PAR L'ETUDE DU TRANSPORT, NOUS ANALYSONS LES DIFFERENTES INFLUENCES DU PROFIL MAGNETIQUE CREE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRONIQUE.
Author: Laurent Baudry
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Languages : fr
Pages : 202
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Ce mémoire présente une étude théorique du transport électronique dans les hétérostructures, réalisée dans le but de mieux comprendre le fonctionnement de composants comme le transistor à effet de champ pseudomorphique. Le mémoire est divisé en trois parties : 1) dans le premier chapitre, après avoir rappelé les aspects théoriques fondamentaux, nous décrivons les effets de la contrainte sur les propriétés physiques du matériau GaInAs. Puis, à l'aide d'un modèle Monte-Carlo de transport en volume, nous discutons de l'influence de la contrainte sur les propriétés de transport dans ce matériau ; 2) le deuxième chapitre est consacré à une étude de l'interaction des électrons avec les impuretés ionisées, prenant en compte le phénomène d'écrantage. Successivement, nous examinons les cas des matériaux en volume, des gaz d'électrons bidimensionnels et unidimensionnels. Par la méthode du temps de relaxation du moment, nous calculons la contribution de cette interaction à la mobilité électronique, ce qui nous permet de déterminer l'influence des principaux paramètres physiques sur ce mécanisme d'interaction ; 3) dans le troisième chapitre, nous proposons un modèle Monte-Carlo de transport électronique prenant en compte les effets quantiques caractéristiques des hétérostructures à gaz bidimensionnel d'électrons. Tous les phénomènes physiques importants y sont inclus (dégénérescence, structure de bande multivallées...), ce qui lui confère un domaine de validité très large. Ce modèle est ensuite appliqué à l'étude de structures adaptées en maille et pseudomorphiques
Author: Olivier Mouton
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Languages : fr
Pages : 210
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CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE
Author: LALEH.. PEYMAYECHE
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Languages : fr
Pages : 206
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CETTE THESE ABORDE DIFFERENTS ASPECTS DE LA MODELISATION NUMERIQUE DES SEMICONDUCTEURS. DANS UN PREMIER TEMPS, UNE ETUDE DU MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE EST EFFECTUEE EN UTILISANT LES ELEMENTS FINIS NODAUX. CE MODELE EST DERIVE DU MODELE HYDRODYNAMIQUE DE TRANSPORT. IL EST FONDE SUR LE CALCUL DES MOMENTS D'ORDRE 0 A 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN, SOUS CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CES EQUATIONS REPRESENTENT LA CONSERVATION DE CHARGES, DE LA QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE L'ENERGIE DES PORTEURS. NOTRE MODELE UTILISE DE NOUVELLES VARIABLES QUASI-ENTROPIQUES PAR ANALOGIE AVEC LES MODELES DE FLUIDES. CES VARIABLES PERMETTENT DE SYMETRISER LE SYSTEME D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES FORME PAR LES MOMENTS D'ORDRE 1 ET 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN. CE MODELE EST VALIDE SUR LES COMPOSANTS A EFFET DE CHAMP, AVEC OU SANS HETEROJONCTIONS, SUR SUBSTRAT GAAS ET DE LONGUEUR DE GRILLE SUBMICRONIQUE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS MODELISE UN SYSTEME EXPERIMENTAL, LE SCANNING TRANSMISSION ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT (STEBIC), A L'AIDE D'UN MODELE DE TRANSPORT DE TYPE DERIVE-DIFFUSION. LE PRINCIPE DU STEBIC REPOSE SUR LA MESURE DU COURANT INDUIT PAR UN FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS UNE SECTION TRANSVERSE D'UNE DIODE (PAR EXEMPLE) TRANSPARENTE AUX ELECTRONS. CETTE METHODE DE MICROSCOPIE PAR TRANSMISSION PERMET DE LOCALISER LA POSITION DE LA JONCTION P/N DE LA DIODE AVEC UNE RESOLUTION DE 13 NM QUI EST DE L'ORDRE DE GRANDEUR DU DIAMETRE DU FAISCEAU ELECTRONIQUE. LA MODELISATION A PERMIS VALIDER LES MODELES DE PARAMETRES PHYSIQUES TELS QUE LA MOBILITE DES PORTEURS, LES TAUX DE RECOMBINAISON ET DE GENERATION DE PAIRES ELECTRONS-TROUS. LA MODELISATION EST VALIDEE PAR LA SIMULATION DE DIODES IMPATT.
Author: Olivier Mouton
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.
Author: Serge Lefrant
Publisher: Taylor & Francis
ISBN: 1000443647
Category : Social Science
Languages : en
Pages : 583
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First published in 2004. Le Carbone Dans Tous Ses États fait le bilan des connaissnances actuells sur l'élément carbone et, en particulier, sur les diverse formes cristallines qu'il permet de générer: diamant, graphite at fullerène. Se placant d'abord dans le cadre historique des études sur ces matériaux, pour arriver aux récentes découvertes des moléculs de la familie du C60, les auteurs passent en revue les aspects chimiques at physiques de ces systémes. Les propriétés (thermodynamiques, structurales, électroniques, électriques, optiques, magnétiques) sont cécrites at, le cas échéant, less applucations technologiques potentielles sont discutées. Ce livre s'adresse à tours les étudiants, enseignants et cherceheurs qui s'intéressent à la matière en général, au matièriaux avancés et à leurs applications.
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Category : Electronics
Languages : fr
Pages : 390
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Author:
Publisher: Elsevier
ISBN: 0080461247
Category : Science
Languages : en
Pages : 641
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The developments of nanofabrication in the past years have enabled the design of electronic systems that exhibit spectacular signatures of quantum coherence. Nanofabricated quantum wires and dots containing a small number of electrons are ideal experimental playgrounds for probing electron-electron interactions and their interplay with disorder. Going down to even smaller scales, molecules such as carbon nanotubes, fullerenes or hydrogen molecules can now be inserted in nanocircuits. Measurements of transport through a single chain of atoms have been performed as well. Much progress has also been made in the design and fabrication of superconducting and hybrid nanostructures, be they normal/superconductor or ferromagnetic/superconductor. Quantum coherence is then no longer that of individual electronic states, but rather that of a superconducting wavefunction of a macroscopic number of Cooper pairs condensed in the same quantum mechanical state. Beyond the study of linear response regime, the physics of non-equilibrium transport (including non-linear transport, rectification of a high frequency electric field as well as shot noise) has received much attention, with significant experimental and theoretical insights. All these quantities exhibit very specific signatures of the quantum nature of transport, which cannot be obtained from basic conductance measurements. Basic concepts and analytical tools needed to understand this new physics are presented in a series of theoretical fundamental courses, in parallel with more phenomenological ones where physics is discussed in a less formal way and illustrated by many experiments.· Electron-electron interactions in one-dimensional quantum transport· Coulomb Blockade and Kondo physics in quantum dots· Out of equilibrium noise and quantum transport· Andreev reflection and subgap nonlinear transport in hybrid N/S nanosructures.· Transport through atomic contacts · Solid state Q-bits · Written by leading experts in the field, both theorists and experimentalists
Author: A. Athanassios N. Yiannopoulos
Publisher: Martinus Nijhoff Publishers
ISBN: 9780792333616
Category : Law
Languages : en
Pages : 316
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The main thrust of this volume is the use of electronic bills of lading in lieu of the traditional documents. The advantages of electronic bills of lading are many, including lower cost, higher efficiency, improved security, and speedier delivery of goods at the end of the voyage (the collection of reports focus upon bills of lading for the international carriage of goods by sea). According to the contributors, the use of electronic bills of lading is, essentially, a business rather than a legal decision. The law may provide the legal framework for the function of electronic bills of lading in the same way and with the same effects as the traditional bills of lading. However, business interests will eventually determine whether the availability of, and the economic incentives for, the use of the electronic bills of lading outweigh concerns for privacy and the safeguarding of trade secrets, for accuracy of information, and for security transactions and acquisition. Such concerns call for technological rather than legal solutions. This book ahould appeal primarily to practitioners who are interested in economics and commerce.
Author: Jonathan P. Bird
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 1461504376
Category : Science
Languages : en
Pages : 481
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When I was contacted by Kluwer Academic Publishers in the Fall of 200 I, inviting me to edit a volume of papers on the issue of electron transport in quantum dots, I was excited by what I saw as an ideal opportunity to provide an overview of a field of research that has made significant contributions in recent years, both to our understanding of fundamental physics, and to the development of novel nanoelectronic technologies. The need for such a volume seemed to be made more pressing by the fact that few comprehensive reviews of this topic have appeared in the literature, in spite of the vast activity in this area over the course of the last decade or so. With this motivation, I set out to try to compile a volume that would fairly reflect the wide range of opinions that has emerged in the study of electron transport in quantum dots. Indeed, there has been no effort on my part to ensure any consistency between the different chapters, since I would prefer that this volume instead serve as a useful forum for the debate of critical issues in this still developing field. In this matter, I have been assisted greatly by the excellent series of articles provided by the different authors, who are widely recognized as some of the leaders in this vital area of research.
