PRISE EN COMPTE DES EFFETS DE LA DOSE CUMULEE DE RAYONNEMENTS IONISANTS DANS L'ETUDE DU TRANSISTOR DE TYPE MOS PDF Download
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Author: PATRICK.. VILLARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 187
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Book Description
CETTE ETUDE EST CONSACREE AUX EFFETS DE LA DOSE CUMULEE DE RAYONNEMENTS IONISANTS SUR LES TRANSISTORS MOS. LES EFFETS PHYSIQUES DE LA DOSE CUMULEE, QUI COMPRENNENT TROUS PIEGES DANS L'OXYDE DE GRILLE ET ETATS D'INTERFACE A LA FRONTIERE SILICIUM/ISOLANT, SONT DECRITS, AINSI QUE LEURS CONSEQUENCES SUR LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS MOS. PUIS NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXPERIMENTALE, QUI NOUS A MONTRE LE CARACTERE DETERMINISTE DE LA REPONSE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS INTEGRES SIMPLES. CETTE VERIFICATION FAITE, NOUS PROPOSONS UN MODELE PHYSIQUE UNIDIMENSIONNEL PERMETTANT DE CALCULER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES D'UN TRANSISTOR MOS IRRADIE, DONT LA DENSITE DE TROUS PIEGES ET LA DISTRIBUTION ENERGETIQUE D'ETATS D'INTERFACE SONT SUPPOSEES CONNUES. LA MISE EN UVRE DU MODELE, DANS LE CADRE DU SIMULATEUR ELECTRIQUE OMEGA, DEVELOPPE A SUPELEC, NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'INFLUENCE DE LA FORME DE CETTE DISTRIBUTION SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN MOSFET EN FAIBLE INVERSION. LES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS SONT VALIDES PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE SUR PLUSIEURS TYPES DE TECHNOLOGIES. ENFIN, NOUS DECRIVONS UNE METHODE ORIGINALE, DEDUITE DU MODELE PROPOSE, QUI PERMET DE MESURER LA CHARGE TOTALE, SOMME DE LA CHARGE DES TROUS PIEGES ET DE CELLE DES ETATS D'INTERFACE, COMME FONCTION DU POTENTIEL DE SURFACE
Author: PATRICK.. VILLARD
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Languages : fr
Pages : 187
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Book Description
CETTE ETUDE EST CONSACREE AUX EFFETS DE LA DOSE CUMULEE DE RAYONNEMENTS IONISANTS SUR LES TRANSISTORS MOS. LES EFFETS PHYSIQUES DE LA DOSE CUMULEE, QUI COMPRENNENT TROUS PIEGES DANS L'OXYDE DE GRILLE ET ETATS D'INTERFACE A LA FRONTIERE SILICIUM/ISOLANT, SONT DECRITS, AINSI QUE LEURS CONSEQUENCES SUR LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS MOS. PUIS NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXPERIMENTALE, QUI NOUS A MONTRE LE CARACTERE DETERMINISTE DE LA REPONSE DES TRANSISTORS ET CIRCUITS INTEGRES SIMPLES. CETTE VERIFICATION FAITE, NOUS PROPOSONS UN MODELE PHYSIQUE UNIDIMENSIONNEL PERMETTANT DE CALCULER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES D'UN TRANSISTOR MOS IRRADIE, DONT LA DENSITE DE TROUS PIEGES ET LA DISTRIBUTION ENERGETIQUE D'ETATS D'INTERFACE SONT SUPPOSEES CONNUES. LA MISE EN UVRE DU MODELE, DANS LE CADRE DU SIMULATEUR ELECTRIQUE OMEGA, DEVELOPPE A SUPELEC, NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'INFLUENCE DE LA FORME DE CETTE DISTRIBUTION SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES D'UN MOSFET EN FAIBLE INVERSION. LES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS SONT VALIDES PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE SUR PLUSIEURS TYPES DE TECHNOLOGIES. ENFIN, NOUS DECRIVONS UNE METHODE ORIGINALE, DEDUITE DU MODELE PROPOSE, QUI PERMET DE MESURER LA CHARGE TOTALE, SOMME DE LA CHARGE DES TROUS PIEGES ET DE CELLE DES ETATS D'INTERFACE, COMME FONCTION DU POTENTIEL DE SURFACE
Author: T. P. Ma
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 9780471848936
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 616
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Book Description
The first comprehensive overview describing the effects of ionizing radiation on MOS devices, as well as how to design, fabricate, and test integrated circuits intended for use in a radiation environment. Also addresses process-induced radiation effects in the fabrication of high-density circuits. Reviews the history of radiation-hard technology, providing background information for those new to the field. Includes a comprehensive review of the literature and an annotated listing of research activities in radiation-hardness research.
Author: Daniel Peyre
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 238
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Book Description
LES MECANISMES D'INTERACTION QUI SUIVENT UNE IRRADIATION IONISANTE AVEC LES SEMICONDUCTEURS ET ISOLANT ONT POUR EFFET DE PERTURBER LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. NOUS TRAITONS DANS CE MEMOIRE DES MECANISMES D'INTERACTION DES RAYONNEMENTS IONISANTS AVEC LES TRANSISTORS M.O.S. LES EFFETS SE TRADUISENT PAR LE PIEGEAGE DES CHARGES DANS L'ISOLANT SIO#2, LEUR GUERISON, ET L'APPARITION AU COURS DU TEMPS D'ETATS D'INTERFACE DONT LA CINETIQUE DE CONSTITUTION EST D'ORIGINE OBSCURE. LES DIFFERENTES PHASES DE LA REPONSE D'UN TRANSISTOR M.0.S. SONT RELIEES A UNE ORIGINE PHENOMENOLOGIQUE. UN MODELE GENERALISE DE TRANSPORT DE TROUS PARVIENT A SIMULER L'EVOLUTION DE LA DERIVE DE TENSION SEUIL DURANT LA PHASE DU TRANSPORT ET DE PIEGEAGE, JUSQU'A 0,1 S APRES L'IMPULSION. LES EFFETS DE GUERISON SONT ANALYSES, ET, SUR LA BASE D'EXPERIMENTATIONS DE COMMUTATION DE CHAMP, UN MECANISME DE GUERISON PEU CLASSIQUE ASSOCIE AUX CENTRES E EST PROPOSE. LA CONSTITUTION D'ETATS D'INTERFACE AU COURS DU TEMPS SEMBLE RELEVER D'UN PHENOMENE PLUS COMPLEXE QUE CELUI DECRIT PAR LE MODELE A DEUX ETAPES, ACTUELLEMENT EN VIGUEUR
Author: Daniel Peyre
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
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Book Description
Author: Gwenae͏̈l Prévost
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 282
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Book Description
LA REDUCTION DES COUTS CONDUIT LES INDUSTRIELS A DEFINIR DE NOUVELLES METHODES ET PROCEDURES POUR LE TEST DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES UTILISES DANS LES ENVIRONNEMENTS RADIATIFS. C'EST DANS CE CADRE QUE NOUS PRESENTONS CES TRAVAUX CONCERNANT LA RECHERCHE DE POINTS COMMUNS ENTRE LES EFFETS DES RADIATIONS ET DU STRESS ELECTRIQUE. LE COMPOSANT ETUDIE EST LE TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE TRES UTILISE DANS LES APPLICATIONS SPATIALES. UNE METHODE ORIGINALE DE POMPAGE DE CHARGE A ETE DEVELOPPEE ET APPLIQUEE POUR LA PREMIERE FOIS AUX TRANSISTORS DE PUISSANCE A STRUCTURE VERTICALE VDMOS. LES EFFETS SEPARES DE LA DOSE CUMULEE ET DU STRESS ELECTRIQUE ONT ETE ETUDIES SUR DES COMPOSANTS COMMERCIAUX STANDARDS. POUR CES DEUX TYPES D'AGRESSIONS, LES DEFAUTS GENERES (CHARGES PIEGEES DANS L'OXYDE ET ETATS D'INTERFACE) ONT DE NOMBREUX POINTS COMMUNS. L'EFFET DE LA DOSE CUMULEE SUR DES TRANSISTORS PRE-STRESSES ELECTRIQUEMENT EST AUSSI ETUDIE. L'ANALYSE DES DIFFERENTS RESULTATS PERMET FINALEMENT D'OBTENIR QUELQUES ELEMENTS DE REPONSE SUR L'EXISTENCE DE CORRELATIONS ENTRE LES EFFETS DE LA DOSE CUMULEE ET DU STRESS ELECTRIQUE.
Author: Abdellatif Bellaouar
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 187
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ETUDE DE LA SENSIBILITE ET DE LA STABILITE TEMPORELLE DE LA REPONSE AUX RAYONNEMENTS IONISANTS
Author: Yazid Derouiche
Publisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783659558047
Category :
Languages : fr
Pages : 160
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Book Description
Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Author: Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
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Book Description
ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN RAYONNEMENT IONISANT SUR LES PROPRIETES DE BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS. LES PROBLEMES D'IRRADIATION ET DE SURFACE SONT TRES LIES DE SORTE QUE LE RAYONNEMENT CONSTITUE UN OUTIL PERMETTANT DE MIEUX CONNAITRE LES PTES DE SURFACE ET LEUR INFLUENCE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU COMPOSANT. DESCRIPTION DU PROCEDE DE FABRICATION, ET A PARTIR DE L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES EN REGIME STATIQUE ET DU BRUIT DE FOND AUX BF ET MF, IDENTIFICATION DES MECANISMES PHYSIQUES REGISSANT LE COMPORTEMENT DES ZONES SUPERFICIELLES ET ESTIMATION DES PARAMETRES SPECIFIQUES DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE L'INTERFACE. INFLUENCE DU RAYONNEMENT, ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION, ETUDE DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE SURFACE INFLUENCANT LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR ET IDENTIFICATION DES PHENOMENES PHYSIQUES. MISE EN EVIDENCE DES EFFETS DE RADIATION SUR LES SOURCES DE BRUIT. REGLES DE POLARISATION POUR MINIMISER LES EFFETS DE RAYONNEMENTS SUR LE BRUIT DE FOND
