Mesure de la densité électronique d'un plasma par interférométrie laser He-Ne (Lambda PDF Download
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Author: Pierre Belland
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 138
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Book Description
Author: Pierre Belland
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 138
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Book Description
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 796
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 1174
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Research
Languages : en
Pages : 1180
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Author: B. Fontaine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Technology
Languages : en
Pages : 974
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Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 1172
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Author: Maher el- Tamer
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 170
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DANS CETTE THESE, NOUS PRESENTONS L'OBSERVATION ET LA DETERMINATION DES PROFILS DE DENSITES ELECTRONIQUES DES PLASMAS DENSES CREES SUR DES MICRO-SPHERES, EN SILICIUM, PAR UN FAISCEAU LASER A NEODYME DE LONGUEUR D'ONDE LAMBDA =1060 NM, AYANT DES IMPULSIONS DE 100 PS DONT L'INTENSITE EST DE L'ORDRE DE 10**(15) W/CM**(2). LES TECHNIQUES UTILISEES SONT L'INTERFEROMETRIE-HOLOGRAPHIQUE ET L'INTERFEROMETRIE PAR PRISME DE WOLLASTON. LES MONTAGES EXPERIMENTAUX SONT PRESENTES. LE FAISCEAU SONDE UTILISE A UNE LONGUEUR D'ONDE DE 633 NM CHOISI POUR MINIMISER L'EFFET DE LA REFRACTION DU AUX GRADIENTS DE DENSITES. LES INTERFEROGRAMMES OBTENUS SONT ENREGISTRES SUR DES FILMS. POUR ANALYSER LES DIAGRAMMES, NOUS AVONS FAIT RECOURS A L'INVERSION D'ABEL POUR REMONTER A LA DENSITE ELECTRONIQUE DONT ON PRESENTE LES PROFILS. L'EFFET DE LA REFRACTION SERA ENCORE DISCUTE
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Physics
Languages : en
Pages : 916
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Author: Albert G. Baca
Publisher: IET
ISBN: 9780863413537
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 372
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Book Description
This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing and gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) and FETs (Field Effect Transistors), how these relate to processing choices, and special processing issues such as wet oxidation, which are especially important in optoelectronic devices. This book is suitable for both new and practising engineers.
