Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF Download
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![Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/snioSgAACAAJ?fife=w150-h200)
Author: Abdellah Azelmad
Publisher: Bibliothèque nationale du Canada
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248
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![Implantation ionique à haute énergie du silicium dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/snioSgAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Abdellah Azelmad
Publisher: Bibliothèque nationale du Canada
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248
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![Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/Z1osNAEACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Richard Arès
Publisher: Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Kamel Touhouche
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 376
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Author: Richard Arès
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Philippe Thevenin
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 134
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
