Etude par microscopie électronique du silicium aux petites échelles PDF Download
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Author: Amina Merabet
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Book Description
De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.
Author: Amina Merabet
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De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.
Author: CHRISTIANE.. DIANTEILL
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Languages : fr
Pages : 157
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APRES AVOIR DEVELOPPE, DANS UN PREMIER CHAPITRE, LES PHENOMENES PHYSIQUES REAGISSANT LA CREATION DE PAIRES ELECTRON-TROU DANS SI PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS, PRESENTATION, DANS LE SECOND CHAPITRE, DES DIFFERENTS ASPECTS DES JOINTS DE GRAINS DANS SI POLYCRISTALLIN: LEUR ACTIVITE ELECTRIQUE ET LEUR STRUCTURE CRISTALLINE. LE TROISIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU PRINCIPE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE EN MODE DE COURANT INDUITE (EBIC), APRES AVOIR DECRIT LES CARACTERISTIQUES DE JONCTIONS 8N ON SCHOTTKY NECESSAIRES A CETTE TECHNIQUE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE LES MATERIAUX ETUDIES AINSI QUE LES METHODES DE PREPARATION DES ECHANTILLONS POUR LA METHODE EBIC ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LE DERNIER CHAPITRE EXPOSE LES RESULTATS DE CORRELATION ENTRE L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA STRUCTURE CRISTALLINE DE JOINTS DE GRAINS PARTICULIERS. ETUDE DU ROLE DES IMPURETES PAR DES RECUITS
Author: Mohamed Ambri
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Languages : fr
Pages : 99
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CARACTERISATION PAR CANALISATION D'ELECTRONS DES DEFAUTS INDUITS PAR LE RECUIT PAR FAISCEAU PULSE D'ELECTRONS. CORRELATION DES RESULTATS AVEC LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. MISE EN EVIDENCE DE LA RECRISTALLISATION DES COUCHES IMPLANTEES, DE LA DISTRIBUTION ET DE LA DENSITE DES DEFAUTS. LA MORPHOLOGIE ET LA DENSITE DES DEFAUTS EN FONCTION DE L'ENERGIE DEPOSEE PAR LE RECUIT PERMET D'EXPLIQUER LA DETERIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE JONCTIONS OBTENUES PAR CE TYPE DE RECUIT
Author: SEUNG JOO.. LEE
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Languages : fr
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Book Description
LA MICROSTRUCTURE DU CARBURE DE SILICIUM DOPE A L'ALUMINIUM A ETE ETUDIEE A L'ETAT BRUT DE FRITTAGE ET APRES DEFORMATION A 1600#OC PAR FLEXION TROIS POINTS ET PAR COMPRESSION A 1900#OC. LES EXAMENS DES ECHANTILLONS DEFORMES ONT ETE EFFECTUES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LES ECHANTILLONS NON DEFORMES CONTIENNENT UN NOMBRE IMPORTANT DES FAUTES DE CROISSANCE ET DE RESEAUX DE DISLOCATIONS DANS LES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM 4H ET 6H. L'ANALYSE DE QUELQUES DEFAUTS EST PRESENTEE. L'EXAMEN DES ECHANTILLONS DEFORMES MET EN EVIDENCE L'ACTIVATION DU SYSTEME DE GLISSEMENT BASAL. LE CARACTERE DES DISLOCATIONS GLISSILES A PU ETRE DETERMINE DANS DE NOMBREUX CAS. CES DISLOCATIONS SONT DISSOCIEES DANS LE PLAN DE BASE EN DISLOCATIONS PARTIELLES DE SHOCKLEY. DES PHENOMENES DE MONTEE DES DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES ET PLUSIEURS MECANISMES ONT PU ETRE PROPOSES. DANS CERTAINS CAS IL Y A NUCLEATION DE BOUCLES SUR LA DISLOCATION PARTIELLE. LA MONTEE DES DISLOCATIONS EST ALORS ACCOMPAGNEE DE LA FORMATION DE DEBRIS SOUS FORME DE NOMBREUSES BOUCLES NUCLEEES AUTOUR DES DISLOCATIONS. DANS D'AUTRES EXEMPLES, LA MONTEE DES DISLOCATIONS S'EFFECTUE DANS LES PLANS PRISMATIQUES 1010 SANS FORMATION APPARENTE DE BOUCLES RESIDUELLES. DES MECANISMES DE GLISSEMENT DEVIE ONT ETE OBSERVES POUR LES DISLOCATIONS A CARACTERE VIS ET DANS PLUSIEURS EXEMPLES LE PLAN DE DEVIATION A ETE DETERMINE. DE FORTES INTERACTIONS ENTRE LES DISLOCATIONS VIS (B//C) ONT ETE MISES EN EVIDENCE. IL EXISTE EGALEMENT UNE DEFORMATION INTERGRANULAIRE IMPORTANTE SE TRADUISANT PAR LA FORMATION DE RESEAUX DE DISLOCATIONS INTERGRANULAIRES RESULTANT DE L'ACTIVATION DE SOURCES DANS LES JOINTS DE GRAINS SANS CAVITATION NOTABLE AUX JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS DE GRAINS A ETE SOUVENT OBSERVEE SOUS LA FORME D'UN MICROFACETTAGE CONS
Author: Abdellatif Oueldennaoua
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Languages : fr
Pages : 178
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LES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE PERMETTENT DE DETERMINER LA DENSITE DES DISLOCATIONS ET LA CONTRAINTE LOCALE DEDUITE DE LA MESURE DES RAYONS DE COURBURE DES SEGMENTS DE DISLOCATIONS MOBILES. CALCUL DE LA VITESSE MOYENNE DES DISLOCATIONS ET DE LA VITESSE DE DEFORMATION
Author: MAGALI.. LAMY
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Languages : fr
Pages : 211
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NOUS PRESENTONS L'ETUDE STRUCTURALE ET CHIMIQUE DES INTERFACES FORMEES LORS DU BRASAGE DU CARBURE DE SILICIUM PAR PLUSIEURS SILICIURES METALLIQUES. NOUS AVONS DANS UN PREMIER TEMPS ETUDIE LE SILICIURE DE COBALT BIPHASE : L'EUTECTIQUE COSI-COSI 2. NOUS NOUS SOMMES ENSUITE INTERESSES AUX SILICIURES MONOPHASES COSI, FESI ET NISI. L'OUTIL ESSENTIEL UTILISE POUR REALISER CETTE ETUDE MULTI-ECHELLES EST LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION EN MODE CONVENTIONNEL, HAUTE RESOLUTION, SPECTROSCOPIE ET IMAGERIE DE PERTE D'ENERGIE DES ELECTRONS. L'ETUDE QUANTITATIVE DES INTERFACES A MONTRE LEURS SIMILITUDES A L'ECHELLE NANOMETRIQUE : ELLES SONT ABRUPTES ET IL N'EXISTE PAS DE RELATION D'ORIENTATION SIMPLE ET SYSTEMATIQUE ENTRE LE SIC ET LE SILICIURE. NOUS POUVONS DONC DIRE QU'A CETTE ECHELLE, LE CARACTERE DE L'ADHESION DEPEND DES LIAISONS SE FORMANT A L'INTERFACE QUI SONT PRINCIPALEMENT DES LIAISONS COVALENTES FORTES. LES DIFFERENCES DE COMPORTEMENT ENTRE LES MATERIAUX ONT ETE OBSERVEES A L'ECHELLE MESOSCOPIQUE ET CONCERNENT PRINCIPALEMENT LES REPARTITIONS DE FISSURES ET DE DISLOCATIONS A L'INTERIEUR DES SILICIURES. NOUS AVONS MONTRE QUE LA DIFFERENCE MAJEURE ENTRE TOUS LES MATERIAUX VIENT DU COMPORTEMENT DUCTILE-FRAGILE DE LA BRASURE QUI EST GOUVERNE PAR DEUX FACTEURS ESSENTIELS : SON ORIENTATION PAR RAPPORT A LA DIRECTION DE LA SOLLICITATION THERMIQUE ET DONC PAR RAPPORT A SIC ET SA VITESSE DE REFROIDISSEMENT. POUR EVITER LA FISSURATION, LE SILICIURE A TOUT INTERET DE SUBIR UN IMPORTANT EPISODE PLASTIQUE DURANT SON REFROIDISSEMENT. LES PRECIPITES DE COSI DANS COSI 2 SONT ALORS POSITIFS POUR LA PLASTICITE CAR ILS CONSTITUENT DES SOURCES DE DISLOCATIONS. CEPENDANT, DANS LE CAS DES MATERIAUX ETUDIES, NOUS AVONS MONTRE QUE, MEME AVEC UN IMPORTANT EPISODE PLASTIQUE, LA FISSURATION A TOUJOURS LIEU POUR UNE CERTAINE EPAISSEUR DE BRASURE. CECI EST D'AUTANT PLUS NUISIBLE QUE LES FISSURES SE PROPAGENT DANS SIC.
Author: ELISABETH.. LAURENT-PINSON
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UNE ETUDES DES JOINTS DE GRAINS A ETE REALISEE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DANS LE CARBURE DE SILICIUM ALPHA. DIFFERENTES NUANCES ONT ETE ETUDIEES DONT UNE APRES DEFORMATION A 1600 C. L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE DES JOINTS DE GRAINS Q NECESSITE L'ETABLISSEMENT DES LISTES DE COINCIDENCE. LES MODELES DES RESEAUX DE COINCIDENCE ONT ALORS ETE APPLIQUES AUX DEUX POLYTYPES 4H ET 6H AINSI QU'AU CAS PARTICULIER DES JOINTS ENTRE POLYTYPES DIFFERENTS. UN NOMBRE IMPORTANT DE RELATIONS D'ORIENTATION A ETE DETERMINE EXPERIMENTALEMENT DANS LES DIFFERENTES NUANCES. UNE DESCRIPTION EN COINCIDENCE TRIDIMENSIONNELLE A PU ETRE REALISEE DANS UN NOMBRE LIMITE DE CAS ET L'ECART A LA POSITION DE COINCIDENCE EST EN GENERAL IMPORTANT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ONT MONTRE L'IMPORTANCE DE LA NATURE CRISTALLOGRAPHIQUE DU PLAN DU JOINT. SI LA CONFIGURATION LA PLUS FREQUENTE EST DEFINIE PAR LE PLAN DE BASE ET UN PLAN D'INDICES ELEVES, D'AUTRES PLANS PEUVENT DONNER LIEU A DES CONFIGURATIONS DE BASSES ENERGIES. UNE BONNE CONTINUITE DES PLANS PRISMATIQUES DE PART ET D'AUTRE DE L'INTERFACE EST OBSERVEE FREQUEMMENT. L'OBSERVATION DES JOINTS DE GRAINS DANS LA NUANCE DEFORMEE A MIS EN EVIDENCE UNE MODIFICATION IMPORTANTE DU PLAN DE JOINT SE TRADUISANT PAR UN FACETTAGE TRES FREQUENT. DES RESEAUX DE DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES DANS LES JOINTS DE GRAINS DU MATERIQU DEFORME ET INTERPRETES COMME UNE CONSEQUENCE D'UN GLISSEMENT INTERGRANULQIRE. DES IMAGES HAUTE RESOLUTION DE QUELQUES INTERFACES ONT REVELE LA COMPLEXITE DE CELLES-CI, TRES SOUVENT MICROFACETTEES A L'ECHELLE DE LA MAILLE DU CRISTAL
Author: Christiane Dianteill
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Languages : fr
Pages : 298
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Author: Monique Grosmaire-Vandorpe
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Languages : fr
Pages : 88
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Author: FREDERIC.. BROUTET
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Languages : fr
Pages : 214
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ETUDE AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE DES EFFETS LIES A LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER. MISE EN EVIDENCE DE CELLULES DE SEGREGATION ANALOGUES A CELLES CREEES APRES IMPLANTATION ET RECUIT LASER POUR UN DOPAGE A L'INDIUM ET AU GALLIUM, ET DE STRUCTURES ORIGINALES DE SEGREGATION POUR LE BISMUTH. PARFAITE RECRISTALLISATION DE L'ECHANTILLON. PROPOSITION D'UN MODELE SIMPLIFIE DECRIVANT LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER
