Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS PDF Download
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Author: Yazid Derouiche
Publisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783659558047
Category :
Languages : fr
Pages : 160
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Book Description
Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Author: Yazid Derouiche
Publisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783659558047
Category :
Languages : fr
Pages : 160
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Book Description
Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Author: Philippe Orhant
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Languages : fr
Pages : 216
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APRES UN RECENSEMENT DES DIFFERENTS MECANISMES D'INJECTION D'ELECTRONS "CHAUDS" DANS L'OXYDE DE GRILLE ET A L'INTERFACE SISIO2 D'UN TRANSISTOR NMOS, UNE TECHNOLOGIE ORIGINALE DE DETERMINATION DE LA ZONE DE DEGRADATION EST DEVELOPPEE. ELLE CONSISTE EN UNE COMPARAISON DE DEUX MESURES DE LA TENSION DE SEUIL OBTENUES, L'UNE PAR UNE "METHODE DE SATURATION DU DRAIN", L'AUTRE PAR UNE "METHODE DE SATURATION DE LA SOURCE". LE FAIT D'INVERSER LE ROLE DU DRAIN ET DE LA SOURCE PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LA DYSSIMETRIE DU TRANSISTOR DEGRADE. GRACE A CETTE NOUVELLE TECHNIQUE, NOUS AVONS PU SUIVRE L'EVOLUTION DE LA DEGRADATION DE 360 TRANSISTORS MICRONIQUES SOUMIS, EN REGIME STATIQUE, A DIFFERENTES CONTRAINTES EN TENSION ET EN TEMPERATURE PENDANT DEUX MILLE HEURES. CETTE ETUDE EXPERIMENTALE NOUS MONTRE QUE LA DEGRADATION EST PRINCIPALEMENT DUE A L'INJECTION, SUR TOUTE LA LONGUEUR DU CANAL, D'ELECTRONS EMIS A PARTIR DU COURANT DE SUBSTRAT. DE PLUS, ELLE MONTRE QUE CE COURANT EST LE PARAMETRE ELECTRIQUE ACCELERATEUR DU MECANISME DE DEFAILLANCE. UNE ETUDE D'UN ACCELERE UTILISANT DES COURANTS DE SUBSTRATS ELEVES, NOUS PERMET DE PROPOSER UN MODELE MATHEMATIQUE RELIANT LA DUREE DE VIE DU TRANSISTOR AU PARAMETRE ACCELERATEUR. CE TEST, UTILISABLE POUR EVALUER LA FIABILITE DE TOUTE TECHNOLOGIE MOS, NOUS A PERMIS DE DETERMINER LES LIMITES TEMPORELLES DIMENSIONNELLLES ET ELECTRIQUES DE TRANSISTORS NMOS FABRIQUES PAR MATRA HARRIS SEMICONDUCTEUR
Author: Marc Faurichon de la Bardonnie
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Languages : fr
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CE TRAVAIL PROPOSE UNE METHODE NOUVELLE POUR L'ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS REALISES POUR LES COMPOSANTS DE TRES HAUTE INTEGRATION. ELLE EST APPLIQUEE A L'ETUDE DES DEGRADATIONS DE LEURS PROPRIETES PRODUITS PAR DES PORTEURS CHAUDS PRODUISANT UN VIEILLISSEMENT RAPIDE DES TRANSISTORS MICRONIQUES. CETTE METHODE CONSISTE EN L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DE LA JONCTION SUBSTRAT-DRAIN PAR LA DETERMINATION DES COURANTS DE RECOMBINAISON ET DE DIFFUSION. LA DESCRIPTION DE SES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION PERMET D'EXTRAIRE DES PARAMETRES LIES A SA STRUCTURE. L'ETUDE EXPERIMENTALE A ETE FAITE EN UTILISANT DES PLAQUETTES DE TEST REALISEES EN TECHNOLOGIE CMOS AVEC DES TRANSISTORS DE LARGEURS ET LONGUEURS DE GRILLE COMPRISES ENTRE 25M ET 0.8M. CES PARAMETRES ONT ETE OBTENUS DEPENDANTS DES DIMENSIONS ET DE VALEURS SENSIBLES AUX CONTRAINTES ELECTRIQUES APPLIQUEES. CETTE ETUDE A PERMIS DE MONTRER QUE LES DEFAUTS INDUITS SONT LOCALISES AU NIVEAU DU DRAIN ET RELIES AUX IMPERFECTIONS DE STRUCTURE APPARAISSANT SUR LES POURTOURS DES ZONES ACTIVES. CES RESULTATS PERMETTENT D'ENVISAGER LE DEVELOPPEMENT D'UNE METHODE DE TEST DES COMPOSANTS PAR UNE ANALYSE INITIALE A DES FINS DE SELECTION POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES
Author: FABIEN.. NEBEL
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Languages : fr
Pages : 170
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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DEGRADATION INDUITE PAR UNE INJECTION D'ELECTRONS DANS L'OXYDE DE GRILLE DES TRANSISTORS NMOS. NOUS AVONS SOUMIS DES TRANSISTORS D'EPAISSEUR DE GRILLE VARIANT DE 17 A 5 NM, A UNE INJECTION D'ELECTRONS DE TYPE TUNNEL FOWLER-NORDHEIM A PARTIR DE LA GRILLE OU DU SUBSTRAT ; CE TYPE D'INJECTION A ETE CHOISI CAR IL EST SOUVENT UTILISE POUR LA PROGRAMMATION (ECRITURE ET EFFACEMENT) DES MEMOIRES EEPROM. NOUS AVONS ETUDIE L'UN DES MECANISMES POSSIBLES DE GENERATION DE DEFAUTS DANS L'OXYDE : LE MECANISME D'INJECTION DE TROUS PAR L'ANODE. IL RESSORT PRINCIPALEMENT QUE C'EST LE COURANT DE TROUS DANS L'OXYDE QUI GENERE LA CHARGE POSITIVE ET QUE POUR DES EPAISSEURS D'OXYDE INFERIEURES A 5 NM, CE MECANISME NE DEVRAIT PLUS ETRE PREPONDERANT. NOUS AVONS EGALEMENT MIS EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DU CHAMP DE CONTRAINTE SUR LA DEGRADATION POUR LES FAIBLES EPAISSEURS D'OXYDE. NOUS PRESENTONS AUSSI UNE ETUDE COMPLETE SUR L'ASYMETRIE DE LA CREATION DES ETATS D'INTERFACE ; NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LE ROLE IMPORTANT DE L'EPAISSEUR D'OXYDE DANS LES MECANISMES DE CREATION DES ETATS D'INTERFACE. DANS LA CONTINUITE D'UNE TECHNIQUE DEVELOPPEE AU LABORATOIRE POUR DES CAPACITES MOS, METTANT EN UVRE LES EFFETS DES CHAMPS ELECTRIQUES NON CONTRAIGNANTS SUR LA CHARGE POSITIVE D'OXYDE, NOUS AVONS DETERMINE LA CHARGE NETTE DES TROUS PIEGES DANS L'OXYDE APRES CONTRAINTE. UNE ETUDE DE LA LOCALISATION SPATIALE DES DEFAUTS PRESENTS DANS L'OXYDE, DE L'INTERFACE OXYDE/SILICIUM A ENVIRON 2,5 NM DE CETTE INTERFACE, AVANT ET APRES CONTRAINTE, A ETE MENEE. LES MEMES PROFILS DE REPARTITION DES DEFAUTS SONT TROUVES, QUE LE TRANSISTOR SOIT DEGRADE OU NON. PAR INTEGRATION DE CE PROFIL SUR DES DISTANCES JUDICIEUSEMENT CHOISIES, NOUS AVONS DETERMINE LES DENSITES DES ETATS D'INTERFACE ET DES ETATS LENTS ; CES RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC CEUX TROUVES PAR D'AUTRES METHODES.
Author: ALAIN.. BRAVAIX
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Languages : fr
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEGRADATIONS DU TRANSISTOR PMOS SOUMIS AUX INJECTIONS DE PORTEURS HAUTEMENT ENERGETIQUES GENERES PAR L'ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES LIES A LA MINIATURISATION DE SA GEOMETRIE. CES MECANISMES DE DEGRADATIONS SE MANIFESTENT PAR LES DERIVES TEMPORELLES DES PARAMETRES ELECTRIQUES REPRESENTATIFS DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR, EN RAISON DE PIEGEAGE DE CHARGES DANS L'OXYDE ET DE LA GENERATION D'ETATS ELECTRONIQUES A L'INTERFACE OXYDE-SILICIUM. CETTE ETUDE PRESENTE TOUT D'ABORD UN BREF RAPPEL DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR AINSI QU'UN MODELE SIMPLE DE LA GENERATION DES PORTEURS CHAUDS PAR LE PROCESSUS D'IONISATION PAR IMPACT. NOUS PRESENTONS L'ANALYSE DES DEGRADATIONS DU TRANSISTOR PMOS A L'AIDE DE METHODES COMPLEMENTAIRES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES EN COURANT-TENSION PUIS PAR UNE TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES QUI NOUS PERMETTRONT DE DISSOCIER LES TYPES DE DEFAUTS INDUITS. A L'AIDE DE CES DEUX PREMIERES TECHNIQUES NOUS DEVELOPPONS DES METHODES DE PREDICTION DE DUREE DE VIE QUI TIENNENT COMPTE DES ASPECTS SPECIFIQUES DU VIEILLISSEMENT DU TRANSISTOR PMOS. ENFIN, CES TECHNIQUES DE MESURES COUPLEES A UNE TECHNIQUE DITE DE LA GRILLE FLOTTANTE ET A DES SIMULATIONS BI-DIMENSIONNELLES NOUS PERMETTRONT D'ELABORER UNE ETUDE APPROFONDIE DES DEFAUTS INDUITS PAR DES CHARGES FIXES D'OXYDE JUSQUE DANS LA REGION DE RECOUVREMENT GRILLE-DRAIN DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR PMOS
Author: Damien Lachenal
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Languages : fr
Pages : 215
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L'intégration de transistors haute tension sur une base CMOS afin de créer des systèmes sur puce plus complets implique une augmentation des problèmes de fiabilité dont l'origine provient des forts champs électriques utilisés vis-à-vis de l'épaisseur d'oxyde de grille déposée. Ce manuscrit de thèse évalue la fiabilité du transistor NLDMOS en technologie SOI pour différentes conditions de stress (Ibmax, Vgmax, ON, OFF à fort Vds). Selon le type de stress appliqué, la localisation des états d'interfaces est différente. Les différentes cinétiques de dégradation du courant linéaire ont été modélisées grâce à l'enrichissement du modèle R-D ainsi que par la mise en place d'une nouvelle méthode permettant d'extraire rapidement avec plus de précision les durées de vie et tensions maximums applicables sur le drain. Finalement, l'évaluation de la fiabilité d'un circuit analogique basée sur le vieillissement du NLDMOS a été réalisée à partir des modèles semi-empiriques proposés.
Author: Nathalie Revil
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Languages : fr
Pages : 174
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CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A L'ANALYSE DE LA DEGRADATION ENGENDREE PAR LES INJECTIONS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ET MESOSCOPIQUES. LE PREMIER CHAPITRE DECRIT LES PRINCIPES DE BASE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN INSISTANT SUR LES EFFETS DE CANAUX COURTS ET, PLUS PARTICULIEREMENT, SUR LES PHENOMENES DE GENERATION ET INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION DE LA DEGRADATION INDUITE SONT ENSUITE RESUMEES ET COMPAREES DANS UN DEUXIEME CHAPITRE, CECI TOUT EN SOULIGNANT LE CARACTERE INHOMOGENE DE LA ZONE DE DEFAUTS. LE TROISIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DE TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ISSUS DE FILIERES CMOS AVANCEES. L'ETUDE MENEE SUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL (0,4 M A 2 M) A PERMIS DE REVELER DE NOUVEAUX MODES DE DEFAILLANCE QUI SE MANIFESTENT AVEC LA REDUCTION DES DIMENSIONS ET, PAR SUITE, DE PREDIRE A CHAQUE INSTANT LE PARAMETRE LE PLUS SENSIBLE AU VIEILLISSEMENT. LA COMPARAISON DES DEGRADATIONS INDUITES DANS LES TRANSISTORS N- ET P-MOS PAR DES CONTRAINTES STATIQUES, ALTERNEES ET DYNAMIQUES, A CONFIRME LES DIFFERENTS MECANISMES DE DEFAILLANCE ET PERMIS DE DEFINIR UNE PROCEDURE POUR LA QUALIFICATION EN PORTEURS CHAUDS DES FILIERES CMOS. LE DERNIER CHAPITRE REPOSE SUR L'ANALYSE DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS N-MOS ULTRA-COURTS (L=0,1 M). DE NOUVEAUX PHENOMENES DE TRANSPORT ONT ETE MIS EN EVIDENCE AINSI QU'UNE ZONE DE DEFAUTS UNIFORME APRES INJECTION DE PORTEURS CHAUDS. ENFIN, NOS RESULTATS MONTRENT POUR CES DISPOSITIFS UNE DUREE DE VIE SUPERIEURE A 10 ANS, CE QUI PERMET D'ETRE TOUT A FAIT OPTIMISTE POUR UNE UTILISATION FUTURE
Author: Fabien Nebel
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Author: FEDERICO.. FACCIO
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Languages : fr
Pages : 169
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NOUS AVONS ETUDIE LA PERFORMANCE ANALOGIQUE ET LE COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT RADIATIF DE LA TECHNOLOGIE DURCIE HSOI3-HD EN VUE D'APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE DU LHC, FUTUR ACCELERATEUR DE PARTICULES DU CERN. CETTE TECHNOLOGIE CMOS SUR SOI N'EST PAS SENSIBLE AU LATCH-UP ET SON SEUIL DE SENSIBILITE POUR L'ALEA LOGIQUE (SEU) EST TRES ELEVE. NOUS AVONS MESURE ET ANALYSE LES EFFETS DE LA DOSE INTEGREE SUR LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES TRANSISTORS, ET VERIFIE QUE LE DURCISSEMENT JUSQU'A 25 MRAD EST SATISFAISANT POUR LES APPLICATIONS VISEES. LES EFFETS DES IRRADIATIONS AVEC PROTONS ET NEUTRONS ONT ETE MESURES, ET MONTRENT QUE LES EFFETS D'IONISATION DOMINENT SUR LES EFFETS DE DEPLACEMENT PROVOQUES PAR CES PARTICULES. LORS DE L'ETUDE DU BRUIT, NOUS AVONS OBSERVE UNE COMPOSANTE ADDITIONNELLE QUI APPARAIT DANS LE SPECTRE ET SE SUPERPOSE AUX SOURCES DE BRUIT 1/F ET BLANC. CETTE COMPOSANTE SE PRESENTE COMME UNE BOSSE QUI SE DEPLACE EN AMPLITUDE ET FREQUENCE EN FONCTION DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT ET DU FILM (BODY). LE MODELE QUE NOUS PROPOSONS SUR SON ORIGINE MET EN JEU LA RESISTANCE DU FILM, QUI GENERE UN BRUIT BLANC FILTRE PAR LA CAPACITE CONSTITUEE PAR LES GRILLES DE FACE AVANT ET DE FACE ARRIERE DU TRANSISTOR. LE BRUIT DE LA RESISTANCE EST TRANSMIS EN COURANT AU DRAIN, ET ATTENUE A PARTIR DE LA FREQUENCE DE COUPURE DU FILTRE. NOUS PRESENTONS UNE SERIE DE VERIFICATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE, REALISEES SUR DES STRUCTURES SPECIALEMENT CONCUES. UN CIRCUIT CONVERTISSEUR NON LINEAIRE A 11 BITS DE DYNAMIQUE, FONCTIONNANT A 5 MHZ AVEC UNE CONSOMMATION INFERIEURE A 50 MW, A ETE CONCU ET FABRIQUE. L'IRRADIATION A 10 MRAD A COMPROMIS LE FONCTIONNEMENT CORRECT DU CIRCUIT, CE QUI N'EST PAS EXPLICABLE A PARTIR DES MESURES STATISTIQUES SUR LES TRANSISTORS FABRIQUES EN MEME TEMPS. IL SEMBLE DONC NECESSAIRE, DANS L'EVALUATION DU DURCISSEMENT D'UNE TCHNOLOGIE, DE PASSER PAR UNE PHASE DE QUALIFICATION DES CIRCUITS TYPIQUES DE L'APPLICATION SOUHAITEE.
Author: Christelle Bénard
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Languages : fr
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Book Description
Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peut subir un transistor MOSFET. Les deux modes de dégradation étudiés sont la dégradation par porteurs chauds, HC, et la dégradation NBTI. Dans une première partie, nous étudions de façon détaillée les phénomènes de relaxation caractéristiques des défauts générés par NBTI, afin de mieux comprendre les instabilités qui rendent si complexe la caractérisation de la fiabilité NBTI. Nous examinons, dans une seconde partie, les différentes méthodes de caractérisation du NBTI existantes à ce jour. Il en ressort que la seule technique aujourd'hui valable est la mesure ultra rapide de la tension de seuil évitant les phénomènes de relaxation. Ces études nous ont permis de mieux appréhender les dégradations NBTI en elles-mêmes. Nous avons pu décrire un modèle physique de dégradation NBTI, approuvé sur une vaste gamme de transistors (Tox=23Å jusque Tox=200Å). D'après ce modèle, un double phénomène de génération de défauts est à l'origine de la dérive des paramètres : la rupture d'une liaison Si-H qui génère un état d'interface et un piège à trous dans l'oxyde et le piégeage sur des défauts préexistants (important dans les oxydes fins Tox
