Étude d'un réacteur de dépôt de silice sur substrat silicium par plasma microondes pour la réalisation de guides optiques intègres PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Étude d'un réacteur de dépôt de silice sur substrat silicium par plasma microondes pour la réalisation de guides optiques intègres PDF full book. Access full book title Étude d'un réacteur de dépôt de silice sur substrat silicium par plasma microondes pour la réalisation de guides optiques intègres by Hervé Moisan. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Hervé Moisan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Get Book Here
Book Description
LES COMPOSANTS OPTIQUES INTEGRES PASSIFS SUR SILICIUM SONT PARMI LES CONSTITUANTS CLES DES FUTURS RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. L'ELEMENT DE BASE DE CES COMPOSANTS EST LE GUIDE OPTIQUE INTEGRE MONOMODE AUX LONGUEURS D'ONDES 1,3 ET 1,55 M. SA FABRICATION FAIT INTERVENIR LE DEPOT DE COUCHE DE SILICE PURE OU DOPEE DE FORTE EPAISSEUR (20 A 30 M) ET UNIFORMES. LA METHODE DE DEPOT ETUDIEE UTILISE UN REACTEUR A PLASMA MICROONDES ENTRETENU PAR DES ONDES DE SURFACE ET DES PRECURSEURS SOUS FORME DE CHLORURES. L'INTERET ESSENTIEL DE CE PROCEDE EST LA POSSIBILITE DE DEPOSER A RELATIVEMENT BASSE TEMPERATURE (600C) SANS LA NECESSITE D'UN RECUIT ULTERIEUR DU DEPOT. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A LA RECHERCHE DES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A DES COUCHES DE SILICE DENSES, PURES, ET HOMOGENES EN INDICE. LA SECONDE PARTIE PORTE SUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTION DES GAZ ET DE LA GEOMETRIE DU POMPAGE POUR ATTEINDRE L'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR SOUHAITEE. UN LOGICIEL DE SIMULATION EST MIS AU POINT ET PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTEUR SUR LA REGULARITE DE L'ECOULEMENT DES GAZ PRES DU SUBSTRAT. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMISEES (PRESSION DE 30 MTORR ET TEMPERATURE DE 600C) ONT PERMIS L'OBTENTION, AVEC UNE FORTE VITESSE DE DEPOT (200 NM/MIN) ET SANS RECUIT ULTERIEUR, DE COUCHES DE SILICE PURE OU DOPEE GERMANIUM, PRESENTANT UNE HOMOGENEITE D'EPAISSEUR DE 1% ET UNE REGULARITE D'INDICE DE 0,03%. L'ATTENUATION OPTIQUE DES PREMIERS GUIDES (0,2 DB/CM A 1,3 M ET 0,4 DB/CM A 1,55 M) EST COMPATIBLE AVEC LES FONCTIONS OPTIQUES VISEES
Author: Hervé Moisan
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Get Book Here
Book Description
LES COMPOSANTS OPTIQUES INTEGRES PASSIFS SUR SILICIUM SONT PARMI LES CONSTITUANTS CLES DES FUTURS RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. L'ELEMENT DE BASE DE CES COMPOSANTS EST LE GUIDE OPTIQUE INTEGRE MONOMODE AUX LONGUEURS D'ONDES 1,3 ET 1,55 M. SA FABRICATION FAIT INTERVENIR LE DEPOT DE COUCHE DE SILICE PURE OU DOPEE DE FORTE EPAISSEUR (20 A 30 M) ET UNIFORMES. LA METHODE DE DEPOT ETUDIEE UTILISE UN REACTEUR A PLASMA MICROONDES ENTRETENU PAR DES ONDES DE SURFACE ET DES PRECURSEURS SOUS FORME DE CHLORURES. L'INTERET ESSENTIEL DE CE PROCEDE EST LA POSSIBILITE DE DEPOSER A RELATIVEMENT BASSE TEMPERATURE (600C) SANS LA NECESSITE D'UN RECUIT ULTERIEUR DU DEPOT. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A LA RECHERCHE DES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A DES COUCHES DE SILICE DENSES, PURES, ET HOMOGENES EN INDICE. LA SECONDE PARTIE PORTE SUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTION DES GAZ ET DE LA GEOMETRIE DU POMPAGE POUR ATTEINDRE L'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR SOUHAITEE. UN LOGICIEL DE SIMULATION EST MIS AU POINT ET PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTEUR SUR LA REGULARITE DE L'ECOULEMENT DES GAZ PRES DU SUBSTRAT. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMISEES (PRESSION DE 30 MTORR ET TEMPERATURE DE 600C) ONT PERMIS L'OBTENTION, AVEC UNE FORTE VITESSE DE DEPOT (200 NM/MIN) ET SANS RECUIT ULTERIEUR, DE COUCHES DE SILICE PURE OU DOPEE GERMANIUM, PRESENTANT UNE HOMOGENEITE D'EPAISSEUR DE 1% ET UNE REGULARITE D'INDICE DE 0,03%. L'ATTENUATION OPTIQUE DES PREMIERS GUIDES (0,2 DB/CM A 1,3 M ET 0,4 DB/CM A 1,55 M) EST COMPATIBLE AVEC LES FONCTIONS OPTIQUES VISEES
Author: FRANCOIS.. PLAIS
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MISFET) SUR INP EST LE COMPOSANT SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX SPECIFICATIONS REQUISES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE. LA REALISATION DE CE COMPOSANT PASSE PAR LA MAITRISE DU DEPOT DE SILICE SUR INP ET LA REALISATION D'UNE INTERFACE SANS DEFAUTS. LES TECHNIQUES HABITUELLES DE DEPOT D'ISOLANT (DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, TEMPERATURE DE SUBSTRAT 250C) INDUISENT DES DEFAUTS DANS LE SUBSTRAT QUI NUISENT A LA QUALITE DU COMPOSANT REALISE. A TITRE D'ALTERNATIVE AUX PLASMAS RADIOFREQUENCES, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER LE FILM DE SILICE. LE PLASMA EST CREE, A BASSE PRESSION (10##3 MBAR), DANS UN MELANGE SIH#4-N#2O, PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LES FILMS OBTENUS A TEMPERATURE AMBIANTE PRESENTENT UNE FAIBLE CONTAMINATION (2 AT% D'AZOTE ET 5 AT% D'HYDROGENE MESURE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE), UNE FAIBLE VITESSE DE GRAVURE HUMIDE (3 FOIS CELLE DE LA SILICE THERMIQUE) ET UNE BONNE RESISTIVITE (10#1#5CM). NOUS AVONS ENSUITE CARACTERISE L'INTERFACE ENTRE LE FILM DE SILICE ET L'INP PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) SUR DES COUCHES MINCES OU PAR ANALYSE I(V)-C(V) SUR DES COUCHES EPAISSES. ON MONTRE PAR XPS QUE LE DEPOT DE SILICE OXYDE FORTEMENT LE SUBSTRAT D'INP. LE CHAMP CRITIQUE, POUR LEQUEL LA DENSITE DE COURANT DE FUITE EST INFERIEURE A 1 NA CM##2, DEPASSE 5 MV CM##1, RESULTAT COMPARABLE A LA STRUCTURE SILICE THERMIQUE - SI (ANALYSE I(V) QUASISTATIQUE). LA DISPERSION EN FREQUENCE DES CARACTERISTIQUES C(V) EST NULLE ET L'ANALYSE TERMAN INDIQUE UN MINIMUM DE DENSITES D'ETATS D'INTERFACE EGAL A 2 10#1#1 CM##2 EV##1
Author: STEPHANE.. CHEVILLARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 138
Get Book Here
Book Description
LES OBJECTIFS FIXES DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL ETAIENT D'UNE PART DE CHOISIR UN COUPLE DE PRECURSEURS POUR LE DEPOT SIMULTANE DE ZIRCONE ET D'YTTRINE ET D'AUTRE PART DE CONCEVOIR UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA MICRO-ONDE CAPABLE DE DEPOSER DE LA ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE, A PARTIR DES PRECURSEURS CHOISIS, AVEC DE FORTES VITESSES DE DEPOT (SUPERIEURE A 50 MICROMETRE PAR HEURE) ET SANS HETEROGENEITE D'EPAISSEUR SUR SUBSTRAT PLAN DE 20 MM DE DIAMETRE. IL A ETE CHOISI RESPECTIVEMENT, POUR LE PRECURSEUR DE ZIRCONIUM ET POUR LE PRECURSEUR D'YTTRIUM, LE TETRACHLORURE DE ZIRCONIUM ET LE TETRAMETHYLHEPTANDIONATE D'YTTRIUM. LE REACTEUR PECVD A PERMIS DE REALISER, A PARTIR DE CES PRECURSEURS, DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE COLONNAIRE AVEC UNE VITESSE DE DEPOT ELEVEE MAIS SANS TOUTEFOIS REPONDRE AU CRITERE D'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR. BIEN QUE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT AIT PEU D'INFLUENCE SUR LA VITESSE DE DEPOT, ELLE JOUE UN ROLE MAJEUR, DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE EXPLORE (400 A 750 DEGRE CELSIUS), SUR LA PURETE DES DEPOTS ET SUR LA POROSITE. EN EFFET, UNE TEMPERATURE ELEVEE D'UNE PART D'EVITER L'INCORPORATION D'IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE ET LE CHLORE ET D'AUTRE PART D'OBTENIR DES DEPOTS PLUS DENSES. L'ETUDE STRUCTURALE MONTRE QUE LE RETOUR A L'ETAT D'EQUILIBRE LORS DE RECUIT A 1200C SOUS AIR DES DEPOTS DE ZIRCONE YTTRIEE STABILISES DANS LA PHASE T' EST EN ACCORD AVEC LES TRAVAUX DEJA PUBLIES. TOUTEFOIS, IL EST A REMARQUER QUE CE RETOUR VERS L'ETAT D'EQUILIBRE EST RELATIVEMENT RAPIDE COMPARE A DES REVETEMENTS SIMILAIRES ELABORES PAR PROJECTION PLASMA. CETTE ACCELERATION EST VRAISEMBLABLEMENT DUE A LA FORTE POROSITE DU DEPOT (54 POUR CENT) QUI FACILITERAIT LA DIFFUSION DES CATIONS Y#3#+. ENFIN, UNE ETUDE DE LA DECHARGE MICRO-ONDE PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES ESPECES INTERMEDIAIRES RESPONSABLES DU DEPOT DE ZIRCONE YTTRIEE, IL S'AGIT DE ZRO, YO, O ET/OU O#2.
Author: THIERRY.. SINDZINGRE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 173
Get Book Here
Book Description
LE DEVELOPPEMENT DES FUTURES FILIERES DE FABRICATION DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REQUIERT LA MAITRISE D'UN PROCEDE DE DEPOT DE MATERIAU DIELECTRIQUE PLANARISANT, CAPABLE DE REMPLIR DES TRANCHEES ET D'APLANIR LES RELIEFS PRESENTS A LA SURFACE DES CIRCUITS. LE BUT DE CETTE THESE EST DE CONCEVOIR ET D'EVALUER LES PERFORMANCES D'UN NOUVEAU REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR UN PLASMA CAPABLE DE REPONDRE A CE BESOIN EN DEPOSANT DES COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PLANARISEES. CE REACTEUR MET EN OEUVRE SIMULTANEMENT UN PLASMA, ENTRETENU PAR UNE ONDE DE SURFACE GENEREE PAR DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES DE LA GAMME DES HYPERFREQUENCES, ET UN BOMBARDEMENT IONIQUE DU SUBSTRAT CONTROLE PAR UNE POLARISATION RADIOFREQUENCE. LA PHASE GAZEUSE EST UN MELANGE D'ARGON, D'OXYGENE ET DE SILANE, LE SILANE ETANT INJECTE INDEPENDAMMENT DES DEUX AUTRES GAZ, JUSTE AU DESSUS DU SUBSTRAT. LES CONDITIONS OPERATOIRES DES DEPOTS ONT ETE OPTIMISEES POUR OBTENIR LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE LA VITESSE DE DEPOT, L'UNIFORMITE EN EPAISSEUR DES COUCHES MINCES SUR DES SUBSTRATS DE DIAMETRE 4 POUCES, LEUR QUALITE ET LEUR APTITUDE A LA PLANARISATION. LES CONDITIONS LES PLUS FAVORABLES SONT CELLES QUI UTILISENT UNE POLARISATION RADIOFREQUENCE DE PUISSANCE COMPRISE ENTRE 100 W ET 150 W ET LES VALEURS ELEVEES DE LA GRANDEUR R DEFINIE PAR LE RAPPORT DU DEBIT D'OXYGENE SUR LE DEBIT DE SILANE (R PLUS GRAND QUE 4). DANS CES CONDITIONS, LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES COUCHES MINCES SONT VOISINES DE CELLES DE LA SILICE THERMIQUE (STOECHIOMETRIE PROCHE DE 2) ET L'APTITUDE AU REMPLISSAGE DES TRANCHEES EST LARGEMENT SATISFAISANTE POUR LES FUTURES FILIERES TECHNOLOGIQUES 0,35 ET 0,25 MICRON. CEPENDANT, IL EST PARFOIS DIFFICILE D'OBTENIR UNE SURFACE PARFAITEMENT PLANE.
Author: NADIA.. BENISSAD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 196
Get Book Here
Book Description
CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).
Author: MIREILLE.. FRANCOU
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 230
Get Book Here
Book Description
DANS LE DOMAINE DES MICROTECHNOLOGIES, LA REALISATION DE MICROCAPTEURS NECESSITE LA MAITRISE DE PROCEDES D'USINAGE EN VOLUME DU SILICIUM. LA GRAVURE HUMIDE, COURAMMENT UTILISEE CONNAIT AUJOURD'HUI DES LIMITATIONS DUES PRINCIPALEMENT A LA DIFFICULTE DE REALISATION DE GEOMETRIES PARTICULIERES. LA GRAVURE PAR PLASMA S'AVERE DONC INTERESSANTE POUR OUTREPASSER CES LIMITATIONS, CAR ELLE DEVRAIT PERMETTRE UNE PLUS GRANDE LIBERTE QUAND AUX GEOMETRIES OBTENUES. LES RECHERCHES ENTREPRISES EN GRAVURE SECHE ONT PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DE PROCEDES POUR DES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES. POUR UNE APPLICATION MICROTECHNOLOGIQUE, CELA SUPPOSE LA MISE AU POINT DE PROCEDE DE GRAVURE PROFONDE SUPERIEURE A 10 MICRONS. LE TRAVAIL PRESENTE ICI PORTE SUR LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE PROFONDE DU SILICIUM PAR PLASMA, EN ASSOCIANT L'ACTION D'UNE CHIMIE NON POLYMERISANTE (SF#6, AR, O#2) CONDUISANT A LA FORMATION D'UNE COUCHE BLOQUANTE SUR LES FLANCS DES TRANCHEES, A UN REFROIDISSEMENT A BASSE TEMPERATURE DU SUBSTRAT. L'ETUDE A ETE REALISEE DANS UN REACTEUR SURFAGUIDE HAUTE DENSITE PERMETTANT DE DISSOCIER LA FONCTION DE CREATION DE LA DECHARGE DE LA FONCTION D'ACCELERATION DES ESPECES IONISEES. LE SUBSTRAT EST MAINTENU PAR CLAMPAGE MECANIQUE AVEC INJECTION D'HELIUM EN FACE ARRIERE ET REFROIDI PAR AZOTE LIQUIDE. DANS UNE PREMIERE PARTIE, L'ETUDE PARAMETRIQUE A CONDUIT A LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE ANISOTROPE. ELLE A MIS EN EVIDENCE QUE LES DEUX PARAMETRES DETERMINANTS ETAIENT LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT ET LA CONCENTRATION EN OXYGENE. UNE DEUXIEME PARTIE A ETE CONSACREE AU CHOIX D'UN PROCEDE DE GRAVURE RESULTANT DE L'ETUDE PARAMETRIQUE ET DE SON OPTIMISATION A DES PROFONDEURS SUPERIEURES A 20 MICRONS. A TRAVERS CETTE ETUDE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX LIMITES DU PROCEDE TELLES QUE LA PROFONDEUR DE SATURATION, LA DEGRADATION DES MOTIFS ET LES RUGOSITES DE SURFACE
Author: LUCIEN.. DATE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 167
Get Book Here
Book Description
DANS CE MEMOIRE, NOUS AVONS ETUDIE LE PROCEDE DE DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX N 2O/SIH 4. LE DEBIT DE N 2O ETANT TRES LARGEMENT SUPERIEUR A CELUI DE SIH 4 DANS LES MELANGES CONSIDERES, LA DECOMPOSITION DE N 2O DANS LE PLASMA A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE PRECISE. LES DONNEES PROVENANT DE LA LITTERATURE ET DE LA MODELISATION DE LA DECHARGE ONT PERMIS DE DEVELOPPER UN MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE QUI REPRODUIT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX CONCERNANT LA CONSOMMATION DE N 2O ET LA PRODUCTION N 2 ET O 2, EN FONCTION DE LA DENSITE DE PUISSANCE. EN CE QUI CONCERNE LE PROCEDE N 2O/SIH 4, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES SUR LE PROFIL DES VITESSES DE DEPOT. NOUS AVONS OBSERVE UNE INHOMOGENEITE IMPORTANTE DES COUCHES SYNTHETISEES, QUAND LES GAZ REACTIFS SONT EPUISES RAPIDEMENT DES L'ENTREE DANS LE REACTEUR. MALGRE LA COMPLEXITE DES PHENOMENES MIS EN JEU AU COURS DU PROCESSUS DE DEPOT, LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE A PERMIS DE REPRODUIRE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, EN CONSIDERANT QUE H 2SIO EST LE PRECURSEUR PRINCIPAL DE DEPOT. CONCERNANT LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A MONTRE QUE C'EST AUX TEMPERATURES ELEVEES ET AVEC UNE DILUTION IMPORTANTE DE N 2O/SIH 4 PAR L'HELIUM QUE L'ON PARVIENT A AUGMENTER REELLEMENT LA DENSITE DE LIAISONS SI-O AU DETRIMENT DES LIAISONS OH. LA COMPOSITION DES COUCHES (O, SI, N) TRAITEE PAR LA MICROSONDE ELECTRONIQUE A REVELE UNE ABSENCE D'AZOTE, ET UN RAPPORT O/SI CROISSANT ET QUI TEND VERS 2, DE L'ENTREE VERS LA SORTIE DU REACTEUR. CONCERNANT LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COUCHES D'OXYDE, NOUS AVONS MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE DU DEPOT, DU RAPPORT DES DEBITS N 2O/SIH 4 ET DE DILUTION PAR L'HELIUM FAVORISENT UNE DIMINUTION DE LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES ET D'ETATS D'INTERFACE LIEE A LA NATURE PHYSICO-CHIMIQUE DU MATERIAU.
Author: STEPHANE.. BECHU
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 253
Get Book Here
Book Description
CETTE THESE PRESENTE L'ETUDE D'UN REACTEUR DE DEPOT, OU DE TRAITEMENT, SUR DE GRANDES SURFACES DONT LA SOURCE D'ESPECES ACTIVES EST UN PLASMA MICRO-ONDES (2,45 GHZ) DE GRAND DIAMETRE (120 MM). AFIN D'ETUDIER L'HOMOGENEITE DU PLASMA, IL A ETE ESSENTIEL D'EFFECTUER DES MESURES LOCALES DE DENSITES ELECTRONIQUES ET D'INTENSITE LUMINEUSE SUR LE PLASMA. LE CHAPITRE I RESUME LES CONCEPTS DE CE TYPE DE PLASMA. LE CHAPITRE II PRESENTE LES TECHNIQUES DE SONDES MISES AU POINT POUR NOTRE PLASMA H.F. DE FORTE DENSITE ELECTRONIQUE (10#1#1 CM#-#3). LE CHAPITRE III DECRIT LA METHODE NUMERIQUE ITERATIVE EMPLOYEE POUR MESURER L'EMISSIVITE RADIALE LOCALE D'APRES DES MESURES OPTIQUES INTEGREES. LE DERNIER CHAPITRE DETAILLE LA CONCEPTION DU REACTEUR ET PRESENTE UN BILAN DES MESURES REALISEES DANS L'ARGON ET L'OXYGENE, POUR DIFFERENTES PRESSIONS, ENTRE 6 MTORR ET 1TORR, ET PUISSANCES, DE 100 A 1500 W. LES MESURES DE SPECTROSCOPIE INTEGREES FONT APPARAITRE UNE PUISSANCE SEUIL, FONCTION DE LA PRESSION ET DE LA NATURE DU GAZ, POUR ASSURER L'ETABLISSEMENT DU MODE PRINCIPAL DE PROPAGATION A SYMETRIE AZIMUTALE HEXAPOLAIRE TM#3#0*. LES MESURES DE SONDES EFFECTUEES DANS LA DECHARGE ET EN POST-DECHARGE, SUR TROIS DEMI CERCLES ONT DEMONTRE L'HOMOGENEITE AZIMUTALE DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE DES PARTICULES CHARGEES SUR UNE SECTION. UNE PRESSION PERMETTANT D'ATTEINDRE UNE DENSITE MAXIMALE, 1,2 10#1#2 CM#-#3 A 300 W DANS L'ARGON, A ETE OBSERVEE. LES MESURES D'EMISSIVITE RADIALE FONT APPARAITRE LES DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENTS DU REACTEUR SELON LA PRESSION ET LA NATURE DU GAZ (DIFFUSION AMBIPOLAIRE OU RECOMBINAISON EN VOLUME). TOUTES CES MESURES, ASSOCIES A L'ACTINOMETRIE, MONTRENT QUE LA DIFFUSION SUFFIT POUR HOMOGENEISER LES DISTRIBUTIONS D'ESPECES CHARGEES ET D'OXYGENE ATOMIQUE, RESULTATS PROMETTEUR POUR LES APPLICATIONS DEPOTS
Author: Lise Layeillon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Get Book Here
Book Description
LE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTE PAR PLASMA (PECVD) A PARTIR DU SILANE EST UN PROCEDE COURAMMENT EMPLOYE POUR LA FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES, D'ECRANS PLATS DE VISUALISATION, OU DE DETECTEURS DIVERS. MALGRE L'EXISTENCE DE NOMBREUX TRAVAUX CONCERNANT L'ANALYSE DE PHENOMENES PARTICULIERS ELECTRIQUES OU CHIMIQUES DANS CES DECHARGES, AUCUNE ETUDE COMPLETE DU COMPORTEMENT DE REACTEURS INDUSTRIELS, INTEGRANT EN PARTICULIER L'EXAMEN DES PHENOMENES DE TRANSPORT, N'AVAIT ETE ENTREPRISE JUSQU'A PRESENT. NOUS AVONS DONC DEMARRE DE TELS TRAVAUX DANS LE CADRE D'UNE ACTION DE RECHERCHE COORDONNEE DU CNRS, EN VUE D'ELABORER UN MODELE DE SIMULATION LOCAL ET BIDIMENSIONNEL, TRES DETAILLE, QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE, DE CONCENTRATION DES ESPECES GAZEUSES ET LES VITESSES DE DEPOT DANS UN REACTEUR DE GEOMETRIE CLASSIQUE. AU VU DES PREMIERS RESULTATS, NOUS AVONS PU SIMPLIFIER CE LOGICIEL, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL D'UTILISATION PLUS RAPIDE. IL NOUS A AINSI ETE POSSIBLE D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE ET DE L'INFLUENCE DES DONNEES CINETIQUES CORRESPONDANTES. LA CONFRONTATION ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DES LOGICIELS, A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DES MODELES. NOUS AVONS PU, AINSI, AMELIORER LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA, ET CONSTITUER DES LOGICIELS SUSCEPTIBLES D'ETRE UTILISES POUR OPTIMISER LES EXPLOITATIONS D'EQUIPEMENTS DE DEPOT
Author: Nicolas Bertrand
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 196
Get Book Here
Book Description
CETTE ETUDE PORTE SUR DES REVETEMENTS DE SILICE EN COUCHES MINCES DESTINES A MODIFIER LES PROPRIETES DE SURFACE D'UN MATERIAU, EN PARTICULIER L'ACIER. LES COUCHES SONT DEPOSEES A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET D'OXYGENE A DES PRESSIONS DE QUELQUES M TORR DANS UN REACTEUR A PLASMA DE CONFIGURATION IDECR, EXTRAPOLABLE AUX GRANDES SURFACES. LES PROPRIETES DES COUCHES DE SILICE SONT D'ABORD ANALYSEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA. ON MONTRE QUE L'ON PEUT, DANS LE REACTEUR IDECR, DEPOSER DE LA SILICE DENSE A TEMPERATURE AMBIANTE ET SANS UTILISER DE BOMBARDEMENT IONIQUE, A DES VITESSES ALLANT JUSQU'A 2,4 NANOMETRES PAR SECONDES. LE DEPOT A LIEU A PARTIR DE REACTIONS DE SURFACE ENTRE GAZ REACTIFS ET/OU DISSOCIES, COMBINEES A UN BOMBARDEMENT IONIQUE DE FORT FLUX ET DE FAIBLE ENERGIE. LA COMPARAISON, PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU, DE L'EVOLUTION DES PROPRIETES VIBRATIONNELLES DE LA SILICE IDECR EN COURS DE CROISSANCE AVEC CELLES D'UNE SILICE DEPOSEE A PLUS HAUTE PRESSION MONTRE LA FORMATION D'INTERFACES ABRUPTES PAR IDECR ET LE ROLE IMPORTANT DE LA FAIBLE INCORPORATION D'HYDROGENE. L'ADHESION DES COUCHES DE SILICE, MESUREE SUR ACIER INOXYDABLE ET ORDINAIRE, EST AMELIOREE GRACE A DES PRETRAITEMENTS PLASMA DU SUBSTRAT. LEURS EFFETS SONT ETUDIES PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU ET PAR D'AUTRES TECHNIQUES EX SITU (XPS, AES, SIMS). CES PRETRAITEMENTS PERMETTENT D'AUGMENTER L'ENERGIE DE SURFACE DE L'ACIER PAR LE NETTOYAGE DE LA SURFACE (TOUS PLASMAS) OU LA REDUCTION DE L'OXYDE NATIF (HYDROGENE). L'AUGMENTATION DE LA DURETE SUPERFICIELLE ET LA FORMATION DE PONTS METAL-N-SI A L'INTERFACE CONTRIBUENT EGALEMENT DANS LE CAS DE PLASMAS D'AMMONIAC ET D'AZOTE. LES PROPRIETES MORPHOLOGIQUES (DENSITE, RUGOSITE) SONT EGALEMENT ETUDIEES PAR REFLECTIVITE DES RAYONS X ET DES RESULTATS PROMETTEURS SONT OBTENUS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES. CES DERNIERS RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU CHAUFFAGE (250C) ET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT PENDANT LE DEPOT.
