ETUDE DES MECANISMES DE CREATION DE DEFAUTS LORS DE LA REALISATION DE STRUCTURES MINCES SILICIUM-SUR-ISOLANT PAR LES PROCEDES SIMOX FAIBLE DOSE ET SMART-CUT# PDF Download
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Author: CAROLINE.. GUILHALMENC
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 149
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Book Description
LES MATERIAUX SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) PRESENTENT DE NOMBREUX AVANTAGES POUR LA PRODUCTION DE NOUVELLES GENERATIONS DE CIRCUITS INTEGRES FONCTIONNANT A TRES BASSES TENSIONS. ILS CONSTITUENT DESORMAIS L'UNE DES VOIES PRINCIPALES DE RECHERCHE DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE A TRES GRANDE DENSITE D'INTEGRATION. POUR CELA, IL EST NECESSAIRE DE METTRE AU POINT DES TECHNIQUES PERMETTANT D'OBTENIR DES MATERIAUX SOI DE BONNE QUALITE, CAPABLES DE RIVALISER AVEC LE SILICIUM MASSIF. LES MECANISMES DE CREATIONS DE DEFAUTS LORS DE LA REALISATION DE DEUX TYPES DE SUBSTRATS SOI, SIMOX FAIBLE DOSE ET UNIBOND# (OBTENUS RESPECTIVEMENT PAR LES TECHNIQUES SIMOX ET SMART-CUT), ONT ETE ETUDIES. APRES IMPLANTATION DE FAIBLES DOSES D'OXYGENE (TECHNIQUE SIMOX), LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES D'OXYDE AU COURS DU RECUIT A HAUTE TEMPERATURE A ETE APPREHENDEE. L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE ET DE COALESCENCE DES PRECIPITES D'OXYDE A HAUTE TEMPERATURE A PERMIS D'AMELIORER LA QUALITE DIELECTRIQUE DES COUCHES ENTERREES DE SILICE. ENFIN, UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DES DEFAUTS (DISLOCATIONS, FAUTES D'EMPILEMENT) ET DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS DE SILICIUM DE CES DEUX MATERIAUX, A ETE MENEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. ELLE CONSTITUE LA PREMIERE SYNTHESE COMPARATIVE DES QUALITES DE CES MATERIAUX SOI, QUI PRESENTENT ACTUELLEMENT UN FORT POTENTIEL POUR LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES TRES PERFORMANTS.
Author: CAROLINE.. GUILHALMENC
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Languages : fr
Pages : 149
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Book Description
LES MATERIAUX SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) PRESENTENT DE NOMBREUX AVANTAGES POUR LA PRODUCTION DE NOUVELLES GENERATIONS DE CIRCUITS INTEGRES FONCTIONNANT A TRES BASSES TENSIONS. ILS CONSTITUENT DESORMAIS L'UNE DES VOIES PRINCIPALES DE RECHERCHE DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE A TRES GRANDE DENSITE D'INTEGRATION. POUR CELA, IL EST NECESSAIRE DE METTRE AU POINT DES TECHNIQUES PERMETTANT D'OBTENIR DES MATERIAUX SOI DE BONNE QUALITE, CAPABLES DE RIVALISER AVEC LE SILICIUM MASSIF. LES MECANISMES DE CREATIONS DE DEFAUTS LORS DE LA REALISATION DE DEUX TYPES DE SUBSTRATS SOI, SIMOX FAIBLE DOSE ET UNIBOND# (OBTENUS RESPECTIVEMENT PAR LES TECHNIQUES SIMOX ET SMART-CUT), ONT ETE ETUDIES. APRES IMPLANTATION DE FAIBLES DOSES D'OXYGENE (TECHNIQUE SIMOX), LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES D'OXYDE AU COURS DU RECUIT A HAUTE TEMPERATURE A ETE APPREHENDEE. L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE ET DE COALESCENCE DES PRECIPITES D'OXYDE A HAUTE TEMPERATURE A PERMIS D'AMELIORER LA QUALITE DIELECTRIQUE DES COUCHES ENTERREES DE SILICE. ENFIN, UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DES DEFAUTS (DISLOCATIONS, FAUTES D'EMPILEMENT) ET DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS DE SILICIUM DE CES DEUX MATERIAUX, A ETE MENEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. ELLE CONSTITUE LA PREMIERE SYNTHESE COMPARATIVE DES QUALITES DE CES MATERIAUX SOI, QUI PRESENTENT ACTUELLEMENT UN FORT POTENTIEL POUR LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES TRES PERFORMANTS.
Author: CHRISTOPHE.. MALENILLE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 214
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Book Description
LE MATERIAU SOI PRESENTE DE NOMBREUX AVANTAGES POUR LES COMPOSANTS BASSE CONSOMMATION ET BASSE TENSION, CE QUI LE POSITIONNE COMME MATERIAU DE BASE POUR LES APPLICATIONS MICROELECTRONIQUES FUTURES. LE NOUVEAU PROCEDE SMART-CUT, PERMETTANT LA FABRICATION DE MATERIAU SOI, COMBINE DEUX TECHNOLOGIES DE BASE : L'IMPLANTATION D'HYDROGENE ET LE COLLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE, ASSURANT AINSI LA POSSIBILITE DE PRODUCTION DE FORT VOLUME A FAIBLE COUT. CETTE THESE TRAITE DE L'ETAPE DE COLLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE, DU RECUIT HAUTE TEMPERATURE DE LA STRUCTURE SOI ET DES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU FINI. LES MECANISMES DE FORMATION DES DEFAUTS MACROSCOPIQUES LORS DU TRANSFERT DU FILM SOI ONT ETE IDENTIFIES ; IL A ALORS ETE POSSIBLE DE DEVELOPPER UNE SEQUENCE DE NETTOYAGE AVANT COLLAGE OPTIMISEE, EVITANT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. LA MISE EN OEUVRE D'UN OUTIL SPECIFIQUE PERMETTANT UNE ANALYSE PAR REFLEXIONS INTERNES MULTIPLES, EN SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, DES STRUCTURES COLLEES A PERMIS D'OBSERVER L'EVOLUTION CHIMIQUE DE L'INTERFACE DE COLLAGE DANS LE CAS DE COLLAGES SILICIUM/SILICIUM, SILICIUM/OXYDE THERMIQUE ET SILICIUM/OXYDE THERMIQUE IMPLANTE. LA CORRELATION DE CES RESULTATS MICROSCOPIQUES AVEC UNE CARACTERISATION MACROSCOPIQUE DE L'ENERGIE DU COLLAGE A MENE A LA COMPREHENSION DES MECANISMES DE COLLAGE. LES SPECIFICITES DU RECUIT HAUTE TEMPERATURE ET DE L'OXYDATION DE LA STRUCTURE SOI ONT ETE APPREHENDEES. CETTE ETAPE DE RECUIT A ALORS ETE OPTIMISEE. LE MATERIAU SOI-UNIBOND ALORS OBTENU EST COMPATIBLE AVEC LES BESOINS DE L'INDUSTRIE ULSI.
