ETUDE DES DEFAUTS INTRINSEQUES DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM PDF Download
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Author: YONGQIANG.. JIA
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LE SUJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES DEFAUTS DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM. LES DEFAUTS SONT CARACTERISES PAR LA SPECTROSCOPIE DE LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. NOUS METTONS EN EVIDENCE POUR LA PREMIERE FOIS PAR RPE LA LACUNE DE GALLIUM ET L'ANTISITE DE GALLIUM QUI SONT OBSERVES DANS LES ECHANTILLONS DE TYPE P ET SEMI-ISOLANT APRES IRRADIATION ELECTRONIQUE. NOUS RAPPORTONS LEURS PROPRIETES PHYSIQUES CONCERNANT L'ETAT DE CHARGE, LE NIVEAU D'ENERGIE, LA SYMETRIE LOCALE, LE TAUX D'INTRODUCTION ET LA STABILITE THERMIQUE. NOUS PRESENTONS NOS RESULTATS DES DEFAUTS LIES A L'ANTISITE D'ARSENIC AUSSI BIEN DANS LES ECHANTILLONS MASSIFS IRRADIES QUE DANS LES COUCHES EPITAXIALES DE GAAS ELABOREES PAR LE JET MOLECULAIRE A BASSE TEMPERATURE. NOUS RAPPORTONS EGALEMENT NOS RESULTATS DE LA RECHERCHE DES LACUNES D'ARSENIC. LES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES SONT ANALYSEES DANS LE CONTEXTE DES CALCULS THEORIQUES EN LIAISONS FORTES DANS UN FORMALISME DES FONCTIONS DE GREEN
Author: YONGQIANG.. JIA
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LE SUJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES DEFAUTS DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM. LES DEFAUTS SONT CARACTERISES PAR LA SPECTROSCOPIE DE LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. NOUS METTONS EN EVIDENCE POUR LA PREMIERE FOIS PAR RPE LA LACUNE DE GALLIUM ET L'ANTISITE DE GALLIUM QUI SONT OBSERVES DANS LES ECHANTILLONS DE TYPE P ET SEMI-ISOLANT APRES IRRADIATION ELECTRONIQUE. NOUS RAPPORTONS LEURS PROPRIETES PHYSIQUES CONCERNANT L'ETAT DE CHARGE, LE NIVEAU D'ENERGIE, LA SYMETRIE LOCALE, LE TAUX D'INTRODUCTION ET LA STABILITE THERMIQUE. NOUS PRESENTONS NOS RESULTATS DES DEFAUTS LIES A L'ANTISITE D'ARSENIC AUSSI BIEN DANS LES ECHANTILLONS MASSIFS IRRADIES QUE DANS LES COUCHES EPITAXIALES DE GAAS ELABOREES PAR LE JET MOLECULAIRE A BASSE TEMPERATURE. NOUS RAPPORTONS EGALEMENT NOS RESULTATS DE LA RECHERCHE DES LACUNES D'ARSENIC. LES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES SONT ANALYSEES DANS LE CONTEXTE DES CALCULS THEORIQUES EN LIAISONS FORTES DANS UN FORMALISME DES FONCTIONS DE GREEN
Author: OLIVIER.. SIBOULET
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NOUS AVONS OBSERVE LA FACE (110) DE L'ARSENIURE DE GALLIUM PAR MICROSCOPIE A EFFET TUNNEL. APRES DES CONSIDERATIONS GENERALES SUR LA MICROSCOPIE A EFFET TUNNEL ET LA DESCRIPTION DU MONTAGE, LES RESULTATS SONT EXPOSES. NOUS AVONS IDENTIFIE DES DEFAUTS PONCTUELS COMME LES LACUNES, LES MULTILACUNES, ET LES COMPLEXES DE DEFAUTS. NOUS AVONS AUSSI OBSERVE DES MICROPRECIPITES D'ARSENIC ET DES ZONES DISLOQUEES
Author: Dominique Pons
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Pages : 146
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ETUDE EXPERIMENTALE DES DEFAUTS PONCTUELS INTRODUITS PAR IRRADIATION ELECTRONIQUE: EFFET DE LA DOSE D'IRRADIATION, PROPRIETES DE RECUIT ET CINETIQUES DE CAPTURE D'ELECTRONS PAR LE PIEGE ELECTRONIQUE E1. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT CONFRONTES AUX PREVISIONS THEORIQUES D'UN CALCUL VARIATIONNEL
Author: MOHAMMED.. MIKOU
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Languages : fr
Pages : 204
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PLUSIEURS ECHANTILLONS DE GAAS DE TYPE N ET DE TYPE P ELABORES PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (CZ, MOCVD ET MBE) ONT ETE IRRADIES A GANIL AVEC DES IONS DES PLUS LEGERS (OXYGENE) AUX PLUS LOURDS (PLOMB) ET AVEC DES ENERGIES COMPRISES ENTRE 163MEV ET 5730MEV. LES MESURES IN SITU DE RESISTIVITE ET D'EFFET HALL REALISEES AU COURS DE L'IRRADIATION ONT REVELE LA DIMINUTION DE LA DENSITE DES PORTEURS ET LA DEGRADATION DE LEUR MOBILITE DANS LE CAS DES DEUX TYPES DE MATERIAUX. CES EFFETS SONT DUS AUX DEFAUTS CREES PAR L'IRRADIATION AUX IONS RAPIDES. DES MESURES DE SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS (DLTS) DANS LE CAS DU MATERIAU DE TYPE N ONT PERMIS DE DEDUIRE LA NATURE DISCRETE DE CES DEFAUTS CREES QUI SONT ESSENTIELLEMENT LIES A LA PAIRE LACUNE-INTERSTITIEL D'ARSENIC. CES DEFAUTS SONT REPRESENTES ELECTRIQUEMENT PAR DES NIVEAUX PROFONDS CREES DANS LA BANDE INTERDITE DU SEMI-CONDUCTEUR AVEC DIFFERENTS ETATS DE CHARGE. CES NIVEAUX PIEGENT LES PORTEURS LIBRES ET CONDUISENT A L'AUGMENTATION DE LA RESISTIVITE DU MATERIAU. LA DEGRADATION DE LA MOBILITE EST DUE A LA DIFFUSION DES PORTEURS SUR LES DEFAUTS CREES PAR IRRADIATION (EN PARTICULIER, LES DEFAUTS CHARGES). DES MODELES DE SIMULATION DES VARIATIONS, AVEC LA FLUENCE, DE LA CONCENTRATION ET DE LA MOBILITE DE HALL SONT DEVELOPPES ET FONT EN PARTICULIER APPEL A UN MODELE DE CONDUCTION A DEUX BANDES (DE CONDUCTION ET D'IMPURETES) POUR LE TYPE N. LES RESULTATS PERMETTENT DE PRECISER LES ETATS DE CHARGE DE LA LACUNE D'ARSENIC ET FOURNISSENT DES TAUX DE PRODUCTION DE DEFAUTS IDENTIQUES POUR LES IRRADIATIONS EFFECTUEES A 77K ET A 300K. L'ANALYSE PAR PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS IRRADIES MONTRE QUE L'INTENSITE DES RAIES OBSERVEES DECROIT EN FONCTION DE LA FLUENCE DES IONS INCIDENTS. CETTE DECROISSANCE EST DUE A LA CREATION PAR IRRADIATION D'AUTRES NIVEAUX NON RADIATIFS QUI CONDUISENT A LA DIMINUTION DE L'EFFICACITE QUANTIQUE DES TRANSITIONS RADIATIVES ET AUSSI A LA DIMINUTION DE LA CONCENTRATION DES CENTRES RADIATIFS. ENFIN, LES RESULTATS NORMALISES DES VARIATIONS, EN FONCTION DE LA FLUENCE, DE LA RESISTIVITE ET DE LA PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS IRRADIES, ASSOCIES AUX RESULTATS DE LA COMPARAISON ENTRE LES TAUX DE CREATION DE DEFAUTS DEDUITS DES CALCULS DE SIMULATIONS ET LES TAUX THEORIQUES DE DEPLACEMENTS ATOMIQUES (NDPA/E), CALCULES UNIQUEMENT A PARTIR DES COLLISIONS NUCLEAIRES, REVELENT QUE LE POUVOIR D'ARRET ELECTRONIQUE NE CONTRIBUE PAS DE FACON NOTABLE A LA CREATION DE DEFAUTS, MAIS IL CONDUIT PEUT ETRE AU RECUIT D'UNE PARTIE DE CES DERNIERS
Author: Didier Stiévenard
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Pages : 212
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Etude des défauts créés par RPE et spectrométrie transitoire de niveau profond. Etude particulière du défaut EL2 identifié comme antisite d'As associé à un interstitiel d'arsenic
Author: LAURENT.. GUILBERT
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Languages : fr
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UN EQUIPEMENT CZOCHRALSKI SILICIUM A ETE TRANSFORME POUR ELABORER DES LINGOTS DE GAAS DE 3 POUCES SOUS PRESSION REDUITE. UN PROCEDE ORIGINAL A ETE MIS EN UVRE POUR REALISER LA SYNTHESE DU COMPOSE AVANT LE TIRAGE DU CRISTAL SOUS ENCAPSULANT. DES MESURES THERMIQUES IN SITU MONTRENT QUE LES GRADIENTS SONT 2 A 4 FOIS PLUS FAIBLES QUE DANS UN FOUR CZOCHRALSKI HAUTE PRESSION, ET QUE LES ECHANGES S'OPERENT PRINCIPALEMENT PAR RADIATION A TRAVERS L'ENCAPSULANT. L'INFLUENCE DES CONDITIONS THERMIQUES SUR LA FORME D'INTERFACE ET LA GENERATION DES DEFAUTS EST ETUDIEE. LES REVELATIONS CHIMIQUES FONT APPARAITRE UNE STRUCTURE CELLULAIRE ANALOGUE A CELLE DU MATERIAU HAUTE PRESSION, AVEC TOUTEFOIS UNE DENSITE MOINDRE DE DISLOCATIONS, DES CELLULES PLUS GRANDES ET DES REGIONS EXEMPTES DE CELLULES. L'ETUDE DES PRECIPITES D'ARSENIC ATTACHES AUX DISLOCATIONS MONTRE QUE LE POINT DE FUSION CONGRUENTE DE GAAS EST DECALE VERS L'ARSENIC, QUE LA PRECIPITATION EST INACHEVEE DANS LE MATERIAU LEC BRUT DE CROISSANCE, ET QU'ELLE NECESSITE UN VIEILLISSEMENT PREALABLE DES DISLOCATIONS. PARTANT D'UNE SOLUTION SOLIDE GAAS INTRINSEQUE HOMOGENE ET SANS DISLOCATIONS AU POINT DE FUSION, LES PROCESSUS SUCCESSIFS METTANT EN JEU LES DISLOCATIONS ET LES DEFAUTS PONCTUELS SONT ENVISAGES. LES CONSEQUENCES SUR LA SEGREGATION ET SUR LA NUCLEATION DE L'ARSENIC EN EXCES SONT ETUDIEES. LES PREDICTIONS DE CE MODELE QUANT A LA MICROSTRUCTURE ET AUX HETEROGENEITES DU MATERIAU SONT EN ACCORD AVEC NOS OBSERVATIONS ET AVEC DE NOMBREUX RESULTATS DE PHOTOLUMINESCENCE, TOMOGRAPHIE ET MICROSCOPIQUE ELECTRONIQUE FOURNIS PAR D'AUTRES AUTEURS
Author: ZOHEIR.. GUENNOUNI
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Languages : fr
Pages : 194
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA COMPENSATION DES PORTEURS LIBRES ET DES CENTRES PROFONDS DANS LES ECHANTILLONS DE GAAS IMPLANTES OU CO-IMPLANTES EN OXYGENE ET EN SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE. LES PRINCIPES DES METHODES CLASSIQUES DLTS DE CARACTERISATION DES DEFAUTS ONT ETE DEVELOPPES ET PRESENTES. ON DECRIT EGALEMENT LA NOUVELLE METHODE FTDLTS (DLTS UTILISANT UNE TRANSFORMEE DE FOURIER) QUI PRESENTE UN MEILLEUR POUVOIR SEPARATEUR PERMETTANT DE MIEUX CARACTERISER LES DEFAUTS AYANT DES CONSTANTES DE TEMPS VOISINES. EN CE QUI CONCERNE LA COMPENSATION, ON MONTRE QUE CELLE-CI N'EST PAS DUE SEULEMENT A L'OXYGENE, QU'ELLE DIMINUE EN PRESENCE DE SILICIUM CO-IMPLANTE LORSQUE LE RECUIT EST EFFECTUE A HAUTE TEMPERATURE ET QU'ELLE NE SEMBLE PAS LIEE NON PLUS AUX DEFAUTS DU TYPE EL2. EN CE QUI CONCERNE LES CENTRES PROFONDS, DEUX GROUPES DE DEFAUTS ONT ETE MIS EN EVIDENCE. LE PREMIER GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 220-280 K OU QUATRE DEFAUTS U1, U2, U3 ET U4 DONT LES ENERGIES D'ACTIVATION DES TAUX D'EMISSION SONT CENTREES SUR CELLE DU NIVEAU EL3 ONT ETE CARACTERISES. CES DEFAUTS SEMBLENT ETRE LIES AU DESORDRE DU RESEAU CRISTALLIN DU SUBSTRAT. LE DEUXIEME GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 280-450 K OU LES SIGNATURES DES TROIS DEFAUTS E1, E2, ET E3 DE LA FAMILLE DE DEFAUTS EL2 DU GAAS ONT PU ETRE EVALUEES. LE DEFAUT E1 SEMBLE ETRE UN COMPLEXE DONT FAIT PARTIE L'OXYGENE IMPLANTE, LE DEFAUT E2 EST LIE AUX CONDITIONS DE PREPARATION DU SUBSTRAT ET LE DEFAUT E3 CORRESPOND PROBABLEMENT A EL2
Author: Ghanem Marrakchi
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Languages : fr
Pages : 103
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ETUDE DES EFFETS DE TRAITEMENTS THERMIQUES RAPIDES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'ASGA NON IMPLANTE. TROIS TYPES DE RECUIT ONT ETE CONSIDERES : ELECTRONIQUE PULSE PAR LASER CONTINU ET RAPIDE ISOTHERME PAR LAMPE. LES CARACTERISTIQUES CAPACITE-TENSION ET COURANT-TENSION ONT ETE OBTENUES; LES DEFAUTS ONT ETE ETUDIES PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND. L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS TYPES DE RECUIT INTRODUIT UNE DISCUSSION SUR LA TECHNOLOGIE LA PLUS APPROPRIEE AU TRAITEMENT THERMIQUE DE L'ASGA
Author: Xavier Boddaert
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Languages : fr
Pages : 146
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Étude expérimentale par spectrométrie transitoire de niveau profond. Étude du caractère métastable du défaut natif EL2. Mise en évidence de la bistabilité d'un défaut induit par plasma d'hydrogène. Détermination de son diagramme de configuration. Identification microscopique du défaut. Étude de la stabilité thermique des défauts
Author: Anca Marina Ionascut
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Languages : fr
Pages : 116
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