Etude de l'influence du recul de l'oxygène sur le silicium implanté à travers oxyde PDF Download
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Author: Béatrice Biasse
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Languages : fr
Pages : 116
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Book Description
LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS
Author: Béatrice Biasse
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Languages : fr
Pages : 116
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LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS
Author: DANIEL.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 86
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Book Description
ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
Author: JOCELYNE.. LEROUEILLE
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Languages : fr
Pages : 89
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LE CARBONE EN SUBSTITUTION DANS LE SILICIUM DETERMINE UNE DES ETAPES DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL. IL Y A FORMATION DE COMPLEXES QUI EVOLUENT LORS DE TRAITEMENTS THERMIQUES ET DEVIENNENT DONNEURS. A HAUTE TEMPERATURE, LES DONNEURS SI-O::(2) SE DISSOLVENT ET LES COMPLEXES, CARBONE-OXYGENE PIEGENT DAVANTAGE D'OXYGENE. A 600**(O)C, UNE DES FORMES D'EQUILIBRE DES COMPLEXES C-O POSSEDE UN CARACTERE DONNEUR. LES METHODES UTILISEES SONT LA CONDUCTIVITE (METHODES DES 4 POINTES) ET L'ABSORPTION IR
Author: Allal Serrari
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Languages : fr
Pages : 194
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Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.
Author: Pierre Juliet
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Colette Meyer
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Languages : fr
Pages : 52
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Author: Florent Tanay
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Languages : fr
Pages : 228
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Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
Author: Philippe Thevenin
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Languages : fr
Pages : 134
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Author: Véronique Robert
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Languages : fr
Pages : 143
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C'EST DANS LE CONTEXTE ACTUEL DE LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES CIRCUITS INTEGRES OU LA QUALITE DU SUBSTRAT DE SILICIUM CZ EST PRIMORDIALE, QUE SE SITUE CETTE ETUDE SUR LE COMPORTEMENT DE L'OXYGENE PRESENT DANS LE SILICIUM. CELLE-CI EST REALISEE DANS LES CONDITIONS REELLES D'UNE TECHNOLOGIE CMOS. LES NOMBREUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS CONCERNENT LA CINETIQUE DE PRECIPITATION DE L'OXYGENE, L'EVOLUTION DE LA DENSITE DE PRECIPITES ET DE LA ZONE DENUDEE AU COURS DES PRERECUITS A DES TEMPERATURES COMPRISES ENTRE 950C ET 1100C AINSI QU'APRES L'OXYDATION A HAUTE TEMPERATURE (1160C) CARACTERISTIQUE D'UNE TECHNOLOGIE CMOS. NOUS MONTRONS QUE CETTE CINETIQUE DE PRECIPITATION PEUT SE MODELISER PAR LA THEORIE DE HAM, QUE L'EVOLUTION DE LA DENSITE ET DE LA TAILLE DES PRECIPITES AU COURS DES TRAITEMENTS THERMIQUES PEUT ETRE EXPLIQUEE PAR UN MODELE DE CROISSANCE SELECTIVE DES PRECIPITES ET QU'IL Y A UN LIEN ENTRE LA PROFONDEUR DE LA ZONE DENUDEE ET LA DENSITE DE PRECIPITES. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION SONT UTILISEES ET COMPAREES. ENFIN, L'INFLUENCE DE LA PRECIPITATION EST CONTROLEE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES COMPOSANTS CONDUISANT A DES RECOMMANDATIONS PRATIQUES
