Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin PDF full book. Access full book title Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin by MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 120
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR DE GRANDES PROFONDEURS DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. TROIS TYPES D'ECHANTILLONS ONT ETE ANALYSES. LE PREMIER ET LE SECOND AYANT RESPECTIVEMENT COMME PLAN DE SURFACE (111) ET (001), PRESENTENT UNE COUCHE IMPLANTEE SITUEE ENTRE 20 M ET 50 M DE LA SURFACE. LE TROISIEME, DE PLAN DE SURFACE (111) EST IMPLANTE DEPUIS LA SURFACE JUSQU'A 50 M. CES DIFFERENTS ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES A LA SUITE DE RECUITS THERMIQUES DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE L'AMBIANTE JUSQU'A 1100#OC. PAR DIFFUSION DIFFUSE DES RX, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE D'AMAS DE DEFAUTS PONCTUELS (BOUCLES D'INTERSTITIELS 15 ATOMES) DONT LA TAILLE RESTE CONSTANTE JUSQU'A 400#OC DANS LA REGION 0-20 M DES ECHANTILLONS 1 ET 3, MONTRANT AINSI QUE L'HYDROGENE NE PERTURBE PAS LA CINETIQUE DE MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS. L'ETUDE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE COUPES PERPENDICULAIRES A LA SURFACE MET EN EVIDENCE DEUX NOUVEAUX TYPES DE DEFAUTS (A ET B) LIES A L'HYDROGENE, REPARTIS DE MANIERE DIFFERENTE SELON L'ECHANTILLON (1, 2 OU 3) POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES OU EGALES A 300#OC. UNE ETUDE APPROFONDIE DE LA STRUCTURE DE CES DEFAUTS NOUS A CONDUIT A MODELISER LEUR FORMATION ET LEUR CROISSANCE DE MANIERE A RENDRE COMPTE DE LEUR MORPHOLOGIE PARTICULIERE
Author: MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 120
Get Book Here
Book Description
CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR DE GRANDES PROFONDEURS DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. TROIS TYPES D'ECHANTILLONS ONT ETE ANALYSES. LE PREMIER ET LE SECOND AYANT RESPECTIVEMENT COMME PLAN DE SURFACE (111) ET (001), PRESENTENT UNE COUCHE IMPLANTEE SITUEE ENTRE 20 M ET 50 M DE LA SURFACE. LE TROISIEME, DE PLAN DE SURFACE (111) EST IMPLANTE DEPUIS LA SURFACE JUSQU'A 50 M. CES DIFFERENTS ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES A LA SUITE DE RECUITS THERMIQUES DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE L'AMBIANTE JUSQU'A 1100#OC. PAR DIFFUSION DIFFUSE DES RX, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE D'AMAS DE DEFAUTS PONCTUELS (BOUCLES D'INTERSTITIELS 15 ATOMES) DONT LA TAILLE RESTE CONSTANTE JUSQU'A 400#OC DANS LA REGION 0-20 M DES ECHANTILLONS 1 ET 3, MONTRANT AINSI QUE L'HYDROGENE NE PERTURBE PAS LA CINETIQUE DE MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS. L'ETUDE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE COUPES PERPENDICULAIRES A LA SURFACE MET EN EVIDENCE DEUX NOUVEAUX TYPES DE DEFAUTS (A ET B) LIES A L'HYDROGENE, REPARTIS DE MANIERE DIFFERENTE SELON L'ECHANTILLON (1, 2 OU 3) POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES OU EGALES A 300#OC. UNE ETUDE APPROFONDIE DE LA STRUCTURE DE CES DEFAUTS NOUS A CONDUIT A MODELISER LEUR FORMATION ET LEUR CROISSANCE DE MANIERE A RENDRE COMPTE DE LEUR MORPHOLOGIE PARTICULIERE
Author: François-Xavier Darras
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 167
Get Book Here
Book Description
Dans les instants qui suivent l'implantation d'ions hydrogène dans du silicium monocristallin à température ambiante, des défauts complexes se forment et une contrainte en compression apparaît dans les plans parallèles à la surface du wafer. L'évolution thermique de ce système au cours du recuit conduit à la co-précipitation d'atomes d'hydrogène et de lacunes de silicium sous la forme de cavités plates (platelets) localisées dans deux familles de plans. Ces platelets sont à l'origine d'un phénomène de fracture utilisé par l'industrie pour la fabrication de substrats SOI innovants et le mécanisme conduisant à leur formation doit être approfondi. Dans ce travail, nous avons tout d'abord décrit la formation, à température ambiante, des complexes résultants de la rencontre entre les défauts ponctuels initialement générés par l'implantation. Le modèle proposé dépend des concentrations et des diffusivités de ces défauts ponctuels ainsi que des énergies de formation des complexes considérés. Nous avons relié ces concentrations à la contrainte générée ainsi qu'à la déformation du cristal en résultant. Des mesures expérimentales de ces grandeurs nous ont permis de calibrer notre modèle et de proposer une explication quant à la réaction mécanique du silicium à l'implantation d'hydrogène. Nous avons ensuite calculé la variation de l'énergie libre de Gibbs du système consécutive à la nucléation d'un platelet. Dans un cristal non contraint, cette énergie ne dépend que de la famille de plans à laquelle appartient le platelet. Dans un système sous contrainte, nous montrons que cette énergie dépend également d'un terme décrivant le couplage entre cette contrainte et le champ de déformation généré par le platelet. Puisque ces énergies contrôlent les taux de nucléation respectifs des différents variants d'orientation des platelets, nous avons pu calibrer notre modèle à partir d'observations expérimentales par TEM des occurrences des différents variants, en fonction de l'amplitude et de la direction de la contrainte, c'est-à-dire en fonction de l'orientation des wafers et de la profondeur considérée. Les modèles proposés dans ce travail, bien qu'appliqués à l'implantation d'hydrogène dans le silicium, sont tout à fait génériques. Ils montrent comment contraintes et défauts interagissent en fin d'implantation et en tout début de recuit thermique. Ils devraient permettre d'optimiser le procédé industriel Smart Cut(tm) en imposant des conditions favorisant la formation de " platelets utiles " à la fracture, mais au-delà, de manipuler l'orientation de nano-précipités dans des matrices cristallines, ouvrant ainsi la voie à la fabrication contrôlée de nanostructures fonctionnelles.
Author: Timothée Pingault
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
La motivation de cette thèse est la production innovante de germes ultra-minces de silicium cristallin. L'utilisation de tels germes dans un procédé de fabrication de cellules solaires permettrait une réduction importante de la consommation de silicium, qui compte déjà pour 60% du coût de production des panneaux solaires de première génération. Dans le cadre de cette thèse, une méthode pionnière de détachement de germes minces a été mise en oeuvre. Dans cette méthode, une contrainte induite mécaniquement est guidée par des défauts étendus induits par l'implantation d'hydrogène. Par cette méthode, le détachement de germes minces d'environ 710nm d'épaisseurs a été obtenu. Le but est ensuite d'utiliser ces germes pour faire croitre du silicium cristallin avec des épaisseurs variables à souhait, soit une technique kerf-free : sans pertes. Cette étude présente ainsi les étapes menant à la mise en oeuvre de ce procédé : en premier lieu, un état de l'art des méthodes de détachement de films ultra-minces existants est réalisé. Celui-ci nous a ainsi guidés vers l'implantation d'hydrogène en tant que méthode viable du guidage de la fracture. Par la suite, différents tentatives de détachement de germes ultra-minces ont été réalisés puis caractérisés, notamment par MEB, MET, AFM et DRX. Dans de bonnes conditions de collage et de croissance de défauts, le détachement de germes ultra-minces de silicium cristallin a été réalisé. Par la suite, la croissance et la cristallisation de couches de silicium amorphe a été réalisée sur les germes détachés. Pour finir, certaines couches détachées ont été utilisées pour la production de cellules solaires prototypes.
Author: Moulay abdelmjid Sebbar
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 130
Get Book Here
Book Description
Cette thèse décrit l'influence de l'hydrogène sur les propriétés électroniques du silicium polycristallin moulé. Les hydrogénations ont été faites à des températures modérées (≤300ʻC) en utilisant l'implantation d'ions à faible énergie (≤ 1,4 keV) ou l'adsorption de gaz, pour passiver les défauts cristallographiques. Les effets sont évaluées par des mesures de longueur de diffusion, des analyses LBIC et EBIC, faites avant et après traitement aux mêmes endroits. Les deux techniques d'hydrogénation améliorent le matériau.Si les meilleurs résultats sont obtenus par implantation, les effets de l'hydrogène moléculaire sont directement liés aux densités de défauts (dislocations, joints de grains). A 300ʻC, l'implantation d'ions compense le matériau au voisinage de la surface et fait apparaître une structure photovoltaîque.
Author: Larbi Ammor
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 208
Get Book Here
Book Description
DETERMINATION DE L'INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU SILICIUM. MISE EN EVIDENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA PRESENCE DE DENSITES ELEVEES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LA PRESENCE DE PRECIPITES ET LES CONCENTRATIONS DE CARBONE DEPASSANT LA LIMITE DE SOLUBILITE. EFFET D'UN RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'IONS H**(+) PENDANT QUELQUES MINUTES. L'IMPORTANCE DU PHENOMEME DE PASSIVATION PAR RAPPORT A LA PRESENCE DE DISLOCATIONS EST SOULIGNEE
Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659
Get Book Here
Book Description
This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Alfred Gordon
Publisher:
ISBN:
Category : English language
Languages : en
Pages : 180
Get Book Here
Book Description
Author: Stuart Hill
Publisher: Birkhäuser
ISBN: 3034863101
Category : Science
Languages : en
Pages : 364
Get Book Here
Book Description
Author: John Wilfred Orton
Publisher:
ISBN: 0199695822
Category : Science
Languages : en
Pages : 529
Get Book Here
Book Description
The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.
Author: Isaac Asimov
Publisher: Doubleday Books
ISBN:
Category : Nature
Languages : en
Pages : 372
Get Book Here
Book Description
A collection of 43 essays on many subjects, from the various sciences to essays about society.
