CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE PDF Download
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Author: D.. MENCARAGLIA
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Languages : fr
Pages : 35
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INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Author: D.. MENCARAGLIA
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Languages : fr
Pages : 35
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INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Author: Hassen Dahman
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Category :
Languages : fr
Pages : 167
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ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL
Author: Emmanuel Arene
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Languages : fr
Pages : 173
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Author: Hassan Hamdi
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Languages : fr
Pages : 444
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ETUDE PAR ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, RPE, PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE, PHOTOLUMINESCENCE, CONDUCTION THERMOSTIMULEE, SPECTRES RAMAN ET IR, DIFFRACTION RX. PROPOSITION D'UN MODELE STRUCTURAL BASE SUR UNE DOUBLE INHOMOGENEITE MACROSCOPIQUE ET MICROSCOPIQUE. DETERMINATION DE NIVEAUX D'ENERGIE ET DES DENSITES D'ETATS CORRESPONDANTES
Author: OLIVIER.. GLODT
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Languages : fr
Pages :
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LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Author: HAMID.. TOUIR
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Languages : fr
Pages : 251
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LE BUT DE CE TRAVAIL EST DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI REGISSENT, D'UNE PART LA MICROSTRUCTURE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DU SI TANT AMORPHE (A-SI 1 XH X) QUE MICROCRISTALLIN (C-SI), D'AUTRE PART LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL PAR RECUIT THERMIQUE AINSI QUE L'HYDROGENATION DE LA MATRICE AMORPHE. LES FILMS DE A-SI(: H) ETUDIES DANS CE TRAVAIL, SONT PREPARES PAR PULVERISATION R.F. ASSISTEE PAR MAGNETRON (RF MS). CES FILMS ONT ETE CARACTERISES PAR PLUSIEURS TECHNIQUES : DIFFRACTION DES RAYONS X (XRD), DIFFUSION RAMAN, SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE (IR), MESURES OPTIQUES EN TRANSMISSION COMPLETEES PAR LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). POUR LES FILMS DE A-SI NON HYDROGENES DEPOSES ET RECUITS THERMIQUEMENT DANS DES CONDITIONS ORIGINALES UN SPECTRE D'ABSORPTION OPTIQUE VOISIN DE CEUX DE FILMS DE A-SI : H OPTIMISES PREPARES PAR DECOMPOSITION DE SILANE ASSISTEE PAR PLASMA (PECVD) A ETE OBTENUE (600\C, 6 H) : FAIBLE ABSORPTION A BASSE ENERGIE ET BORD EXPONENTIEL BIEN VISIBLE. CECI SUGGERE QUE LE RECUIT DE A-SI PEUT ETRE COMPETITIF PAR RAPPORT = L'HYDROGENATION POUR REDUIRE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES (DEFAUTS) DANS LE GAP. EN ENTRE, LE FAIBLE GAP DE CES FILMS PAR RAPPORT A CELUI DE A-SI : H EST UN AVANTAGE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUE. DES FAIBLES DENSITES D'ETATS DE DEFAUTS ONT ETE EGALEMENT OBSERVEES DANS DES FILMS DE A-SI : H DEPOSES A GRANDES VITESSES DANS DES CONDITIONS DE VIDE SECONDAIRE ET DEPOSES. CE MATERIAU EST COMPARABLE AU A-SI : H PREPARE PAR PECVD DANS UN ENVIRONNEMENT ULTRAVIDE. CE RESULTAT MONTRE QUE LA RF MS PEUT ETRE UNE TECHNIQUE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR L'OBTENTION DE A-SI : H DE QUALITE ELECTRONIQUE AVEC DES GRANDES VITESSES DE DEPOT. MAIS IL FAUDRAIT POUR CELA UTILISER DES CHAMBRE DE DEPOT EQUIPEES DE LA TECHNOLOGIE ULTRAVIDE. DANS LE CAS DES FILMS DE A-SI 1 XH X, DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ONT ETE DETECTEES PAR DES MESURES DE XRD ET DE DIFFUSION RAMAN. CES DOMAINES DESORDONNES AU VOISINAGES DES CAVITES ONT ETE IDENTIFIES A TRAVERS L'ANALYSE D'UNE PART DU PROFIL DU PREMIER HALO DU SPECTRE DE XRD ET D'AUTRE PART DU DE LA PARTIE BASSES FREQUENCES DU SPECTRE RAMAN. LA DIMINUTION DE CES INHOMOGENEITES, EN FONCTIONS DES CONDITIONS DE PREPARATIONS, SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DES ETATS LOCALISES DANS LE GAP. LORSQU'IL EXISTE EGALEMENT UNE HETEROGENEITE CHIMIQUE MISE EN EVIDENCE PAR LA PRESENCE DES BANDES IR A 2090 ET 2000 CM - 1, ATTRIBUEES RESPECTIVEMENT A H LIE DANS LES GROUPEMENTS (SIH 2) N ET SIH, UNE CORRELATION A ETE ETABLIE ENTRE L'ABSORPTION INTEGREE DE LA COMPOSANTE A 2090 CM - 1 ET LES INHOMOGENEITES STRUCTURALES VUES PAR DIFFUSION RAMAN, CE QUI SUGGERE QUE LES GROUPEMENTS (SIH 2) N SONT LOCALISES DANS CES DOMAINE DESORDONNES. L'EXISTENCE DE FORTES CONCENTRATIONS TOTALES D'HYDROGENE (H LIE ET H 2) DANS LES FILMS DE A-SI : H QUI PRESENTENT CEPENDANT DE NOMBREUSES LIAISONS PENDANTES (DB) LAISSE PENSER QU'IL Y A UN EQUILIBRE ENTRE DB ET H 2. UN MODELE A 2 NIVEAUX, QUI TIENT EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ET CHIMIQUES, A ETE DEVELOPPE POUR EXPLIQUER AUSSI BIEN LE DEGRE DE PASSIVATION DES DB QUE LA STABILITE DE CES FILMS. DANS LE CAS DES FILMS DE C-SI OBTENUS PAR RECUIT DES FILMS PRESENTANT DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES (POUR A-SI) ET CHIMIQUES (POUR A-SI : H), UNE BI-DISPERSION DE LA TAILLE DES GRAINS A ETE IDENTIFIEE PAR XRD ET DIFFUSION RAMAN. CETTE BI-DISPERSION RESULTE D'UN EFFET DE MEMOIRE DES INHOMOGENEITES DE LA PHASE AMORPHE DE DEPART. LA DISTORSION MOYENNE DES ANGLES DE LIAISONS, , DANS CES FILMS DE C-SI, A ETE CARACTERISEE PAR DIFFUSION RAMAN. LE DECALAGE DU PIC CRISTALLIN NE PEUT PAS ETRE INTERPRETE COMME DU A L'EFFET DE LA TAILLE DES GRAINS ESTIMEE PAR XRD. IL S'EXPLIQUE PLUTOT PAR L'EFFET DES CONTRAINTES DANS LES JOINTS DE GRAINS ET/OU A L'INTERIEUR DES GRAINS. UN MODELE DEVELOPPE POUR PRENDRE EN COMPTE DE CET EFFET INDIQUE DES VARIATIONS DE DE L'ORDRE DE 1 A 2\. LE CALCUL DE LA DENSITE D'ETATS DE PHONONS INCOMPLETE G Q M A X LIMITEE AU CENTRE DE LA ZONE DE BRILLOUIN (DE RAYON Q M A X) MONTRE QUE LE MAXIMUM DE G Q M A X SE DEPLACE VERS LES BASSES FREQUENCES QUAND Q M A X AUGMENTE. CE RESULTAT PEUT EXPLIQUER LE DEPLACEMENT DU PIC AMORPHE DES SPECTRES RAMAN DU C-SI, PAR RAPPORT A SA POSITION DANS LES FILMS AMORPHES. LE BORD D'ABSORPTION OPTIQUE DES FILMS DU C-SI EST DECALE VERS LES BASSES ENERGIES PAR RAPPORT AU MONOCRISTAL. CE DEPLACEMENT A ETE INTERPRETE PAR UN EFFET DU DESORDRE QUI SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DE LA COHERENCE DES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES ET QUI SE TRADUIT PAR LE BROUILLAGE DES BANDES DE CONDUCTION.
Author: Christophe Longeaud
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 111
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MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Author: N'GUESSAN.. KRE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 120
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)
Author: Philippe Bouchut
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 100
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Book Description
MISE EN OEUVRE DES TECHNIQUES DE REFLEXIONS TOTALES MULTIPLES ATTENUEES POUR L'OBSERVATION DES MODES INFRAROUGE LOCALISES DE VIBRATION DE L'HYDROGENE DANS ASIH, D'OPTIQUE GUIDEE PERMETTANT D'AVOIR ACCES AUX PARAMETRES OPTIQUES DU GUIDE D'ONDE, DE PHOTOCONDUCTIVITE PAR PROPAGATION D'ONDE GUIDEE, DE MICROSCOPIE A BALAYAGE ET DE TRANSMISSION, DE SPECTROPHOTOMETRIE DE TRANSMISSION-REFLEXION, DE REPONSE SPECTRALE DE DISPOSITIFS. MISE EN EVIDENCE DE DEUX TYPES D'HYDROGENE LIE DANS ASIH, L'UN UNIFORMEMENT REPARTI, DE CONFIGURATION =-SI-H, L'AUTRE LOCALISE SUR/OU AU VOISINAGE DE CAVITES A PAROIS PLATES EN CONCENTRATION PLUS ELEVEE. LA REPONSE SPECTRALE DE DIODE SCHOTTKY DONNE LE PRODUIT DES PORTEURS MINORITAIRES ET LA MEME REPONSE SUR DISPOSITIF A ELECTRODES COPLANAIRES DONNE LE PRODUIT DES ELECTRONS. DEPENDANCE SPECTRALE DE L'ABSORPTION DU MATERIAU
Author: Jean-Christophe Flachet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 96
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Book Description
Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau
