Contribution à l'étude des propriétés électriques et cristallographiques de l'oxyde de silicium en couches minces PDF Download
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Author: Jacques Pivot
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 110
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Author: Jacques Pivot
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Languages : fr
Pages : 110
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Author: Damien Zander
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Languages : fr
Pages : 179
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L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégradation du courant de fuite de grille (LVSILC) et de l'interface Si/SiO2, sous différentes contraintes électriques. A partir de nos résultats, nous avons montré que l'augmentation du LVSILC n'était pas due simplement à l'augmentation des états d'interface mais qu'il pouvait y avoir une contribution de pièges dans l'oxyde, induit par la libération d'espèces hydrogénées dans le volume de l'oxyde.
Author: Daniel Malhiet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 65
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Author: AOMAR.. HALIMAOUI
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Languages : fr
Pages :
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE
Author: DIDIER.. GOGHERO
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Category :
Languages : fr
Pages : 166
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CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.
Author: René Nannoni
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 154
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Author: Bécharia Nadji
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 148
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DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
Author: Philippe Collot
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 152
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Influence de paramètres de dépôt comme l'énergie du bombardement électronique, la température de croissance sur le processus de croissance. Caractérisation physico-chimique associée à des mesures électriques permettant de considérer la nature des oxydes ultraminces
Author: Annie Guedj
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Languages : fr
Pages : 170
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LES CARACTERISTIQUES DE "L'OXYDE LASER" OBTENU SONT ETUDIEES: 1)GRACE AU CONTROLE DE TEMPERATURE PAR PYROMETRIE EN CE QUI CONCERNE LA CINETIQUE DE CROISSANCE. 2) A PARTIR DE MESURES C(V) ET I(V) EN CE QUI CONCERNE LES PROPRIETES ELECTRIQUES. 3) PAR SPECTROMETRIE IR EN CE QUI CONCERNE LES PROPRIETES PHYSIQUES. CES CARACTERISTIQUES SONT ENSUITE COMPAREES A CELLES DE L'OXYDE THERMIQUE CONVENTIONNEL. ENFIN, PAR LA REALISATION DE TRANSISTORS M.O.S. A "OXYDE LASER" (OXYDE DE GRILLE), NOUS AVONS MONTRE QUE CE MODE D'OXYDATION ASSISTEE PAR LASER PEUT ETRE UTILISE DANS LES TECHNOLOGIES M.O.S.
Author: AHMAD.. BENAMAR
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Languages : fr
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LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES
