CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES D'INTERFACES DANS LES STRUCTURES METAL, CONDUCTEUR IONIQUE, METAL ET COUCHES MINCES PDF Download
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Author: ABDEL ILLAH.. HAKAM
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 62
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Author: ABDEL ILLAH.. HAKAM
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 62
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Author: Marc Jourdain
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 292
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ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
Author: Jean-Christian Bernède
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Category :
Languages : fr
Pages : 172
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ETUDE DES COMMUTATIONS REVERSIBLES D'UN ETAT CONDUCTEUR A UN ETAT ISOLANT, LIEES A DES PHENOMENES DE DIFFUSION IONIQUE DANS DIVERS TYPES DE STRUCTURES: MSM, MIS, MIM. CARACTERISTIQUES COURANT TENSION. POSSIBILITE DE RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE
Author: Gérard Couturier
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 312
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PREPARATION ET CARACTERISATION DES COUCHES MINCES DE PBF::(2), PBSNF::(4), DES INTERFACES AU-PBF::(2); ETUDE DE CONDUCTIVITE IONIQUE. PROPRIETES ELECTRIQUES DES INTERFACES METAL-CONDUCTEUR IONIQUE. INFLUENCE DE LA CONDUCTION ELECTRONIQUE SUR LE COMPORTEMENT DES STRUCTURES METAL-CONDUCTEUR IONIQUE-METAL. CAPTEURS DE GAZ UTILISANT LES MATERIAUX FLUORES
Author: Abdelbacet Khelil
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Languages : fr
Pages : 356
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Author: François Papini
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Languages : fr
Pages : 115
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Author: GHOLAMREZA.. BROJERDI
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Languages : fr
Pages : 224
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CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES INTERFACES ENTRE UN SEMICONDUCTEUR LAMELLAIRE (INSE) ET UN VERRE CONDUCTEUR IONIQUE ET RECIPROQUEMENT AFIN DE PRECISER LES PHENOMENES PHYSIQUES LIES AU TRANSPORT DE MASSE ET DE CHARGE A TRAVERS CES INTERFACES DU POINT DE VUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES. LES TECHNIQUES UTILISEES SONT LA DIFFRACTION DES ELECTRONS RAPIDES (RHEED) ET DE RAYON X, LA PHOTOEMISSION X ET LA SPECROSCOPIE RAMAN INSE EST SOIT UN CRISTAL MASSIF CLIVE SOIT DES COUCHES MINCES PREPAREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). L'EPITAXIE DE INSE SUR SI(111) 7X7 PROPRE MONTRE UNE CROISSANCE BIDIMENSIONNELLE REALISEE DES LE PREMIER FEUILLET TELLE QUE LE PLAN (00.1) DE INSE PARALLELE AU PLAN (111) DU SILICIUM ET QUE L'AXE C DE INSE COINCIDE AVEC LA NORMALE DE LA SURFACE DE SI(111). LES RESULTATS RAMAN MONTRENT QUE TOUS LES MODES DE VIBRATION CARACTERISTIQUES DU MONOCRISTAL DE INSE SONT OBSERVES DANS LES COUCHES EPITAXIEES MAIS LES INTENSITES DES PICS VARIENT EN FONCTION DES CONDITIONS DE CROISSANCE. DES COUCHES MINCES DE VERRE CONDUCTEUR IONIQUE (B#2O#3-O,8LI20-0,8LI#2SO#4) SONT PREPAREES PAR PULVERISATION CATHODIQUES. ELLES ONT UNE COMPOSITION EN ACCORD AVEC LA COMPOSITION THEORIQUE ATTENDUE SI LE SUBSTRAT EST ISOLANT OU SEMICONDUCTEUR ISOLE ELECTRIQUEMENT ET REFROIDI. POUR L'INTERFACE SEMICONDUCTEUR LAMELLAIRE INSE SUR CONDUCTEUR IONIQUE, LA CROISSANCE EST BIDIMENSIONNELLE ET L'INTERFACE EST ABRUPTE. POUR L'INTERFACE CONDUCTEUR IONIQUE SUR INSE. LES RESULTATS SONT DIFFERENTS SI LE SUBSTRAT EST ISOLE OU NON. SI LE SUBSTRAT EST ISOLE, LE LITHIUM EST PRESENT EN SURFACE, ET DEUX SORTES D'INDIUM APPARAISSENT: L'UN CORRESPOND A INSE ET L'AUTRE SUGGERE UNE REACTION D'INTERFACE AVEC FORMATION D'UN COMPOSE AVEC LE LITHIUM OU L'INDIUM AURAIT UN CARACTERE PLUS IONIQUE QUE INSE. SUR LE SUBSTRAT NON ISOLE ELECTRIQUEMENT LE LITHIUM N'EST PAS PRESENT EN SURFACE ET DEUX TYPES D'INDIUM SONT OBSERVES: L'UN CORRESPOND A INSE, L'AUTRE AURAIT UN CARACTERE PROCHE DE CELUI DU METAL SUGGERANT UNE DIFFUSION DE LITHIUM. POUR MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES D'INTERCALATION, NOUS AVONS ETUDIE L'INTERFACE SODIUM SUR INSE ET SON COMPORTEMENT EN FONCTION DES RECUITS. NOUS OBSERVONS DES DIFFERENCES REMARQUABLES ENTRE LE SODIUM SUR INSE MASSIF CLIVE ET LE SODIUM SUR INSE COUCHE MINCE SUR SI(111) HYDROGENE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE ROLE DE L'EPAISSEUR DU SEMICONDUCTEUR SUR L'INSERTION DE SODIUM. UNE INSERTION EN VOLUME EST SUGGEREE POUR LE INSE MASSIF. POUR INTERPRETER LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION X, NOUS DISTINGUONS LES DEPLACEMENTS CHIMIQUES DES EFFETS DE COURBURE DE BANDES. POUR NA/INSE/SI(111) HYDROGENE, NOUS TROUVONS UNE PHASE INSE ET UNE PHASE PROCHE DU METAL. POUR NA/INSE MASSIF, DEUX PHASES D'INSERTION SONT MISES EN EVIDENCE, UNE PHASE COMPLEXE RICHE EN SODIUM ET UNE PHASE DE INSE MODIFIEE PAR DU SODIUM EN SURFACE
Author: Jacques Gaudron
Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 78
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Author: André Guivarc'h
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Languages : fr
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Dans une première partie, étude des processus induits par implantation ionique utilisée en tant que méthode de dopage du silicium et méthode de formation de couches isolantes. La seconde partie traite du problème des interfaces métal-silicium qui occupent une position centrale dans la technologie des circuits intègres: l'étude, axée sur l'aspect métallurgique du problème, est limitée au cas du platine, du molybdène et du chrome, métaux susceptibles de former avec le silicium des composes définis. Enfin, la dernière partie est consacrée a l'élaboration et a la caractérisation d'un matériau nouveau, le carbure de silicium hydrogène dépose en couches minces par pulvérisation cathodique réactive.
Author: Georges Delaunay
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Languages : fr
Pages : 252
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