Contribution à l'étude des interfaces et des oxydes en lame mince dans les structures métal-SiO-Si et métal-TaO-Si PDF Download
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Author: Georges Seve
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Languages : fr
Pages : 458
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Author: Georges Seve
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Pages : 458
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Author: Georges Sève
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Languages : fr
Pages : 458
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ETUDE DES PROPRIETES DES INTERFACES ET DE L'OXYDE DANS LES STRUCTURES MOS DU TYPE SI-SIO::(2)-METAL ET SI-TA::(2)O::(5)-METAL. ON A PRECISE LES CARACTERISTIQUES DES INTERFACES ET L'INFLUENCE DES MATERIAUX UTILISES POUR LES ELECTRODES SUR LES BARRIERES EN UTILISANT LES METHODES PHOTOELECTRIQUES ET A COURANT THERMIQUEMENT STIMULE. L'ETUDE DU TRANSPORT DES ELECTRONS AINSI PHOTOEMIS DANS LA BANDE DE CONDUCTION DE L'OXYDE A PERMIS DE PRECISER LE PIEGEAGE. L'ETUDE DES STRUCTURES SI-TA::(2)O::(5)-AL REALISEE A L'AIDE DES METHODES C (V) ET DE STIMULATION THERMIQUE A PERMIS DE DETAILLER LE COMPORTEMENT DE L'OXYDE. L'ETUDE DU PIEGEAGE NOUS A PERMIS DE MONTRER QU'IL EXISTAIT DANS L'OXYDE DES CENTRES PIEGES CARACTERISES PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION (EP
Author: Georges Seve
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Georges Seve
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Languages : fr
Pages : 444
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Author: Thomas Pierron
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce manuscrit de thèse est dédié à l'étude des oxydes de silicium (SiO) et de germanium (GeO) sous forme ultramince. Elaborés par épitaxie par jet moléculaire à la surface d'un cristal de ruthénium (0001), ces systèmes peuvent exister sous deux phases stables. La première est constituée d'une monocouche connectée au substrat par des liaisons covalentes formant une interface métal oxyde. La seconde est quant à elle constituée d'une bicouche en interaction faible déconnectée du substrat. La faiblesse des interactions de Van der Waals permet son exfoliation pour l'intégrer dans des hétérostructures fonctionnelles. Dans cette thèse nous étudions la relation entre structure et propriétés électroniques de ces matériaux bidimensionnels (2D) en combinant la microscopie champ proche (STM), la photoémission X et UV résolue en angle (XPS, ARPES), la diffraction X de surface (SXRD) et la modélisation par des méthodes DFT. Une partie de nos mesures (XPS, ARPES et SXRD) ont été obtenues à l'aide du rayonnement synchrotron. Si les propriétés de la bicouche d'oxyde de silicium (SiO) sont bien comprises, la description des propriétés électroniques de l'interface métal-oxyde s'avère plus complexe avec l'impossibilité de réconcilier les calculs emph{ab initio} avec nos mesures ARPES. Pour comprendre l'origine de ce désaccord, nous avons étudié l'interface GeO/Ru(0001) dans le régime de la monocouche. Nos études STM et XPS ont permis de valider le modèle atomique proposé par la DFT, incluant la rotation des liaisons Ge-O-Ge et la présence d'un oxygène interstitiel. Des études structurales complémentaires par SXRD ont permis de valider la relation d'épitaxie proposée par le calcul. Enfin, la structure de bande mesurée se rapproche des prédictions DFT contrairement au SiO même s'il persiste un faible désaccord. Celui-ci peut s'interpréter comme une surestimation de la force de la liaison métal/oxyde par le calcul introduisant une bande interdite au point Gamma et au point K non visibles expérimentalement en ARPES dans le cas de SiO. Des mesures SXRD complémentaires à venir sur SiO permettront d'étayer cette hypothèse.
Author: Alain Cachard
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Languages : fr
Pages : 330
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Author: Marc Jourdain
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Languages : fr
Pages : 292
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ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
Author: Abdellah Mir
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Languages : fr
Pages : 176
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L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
Author: Brahim Lamine
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Languages : fr
Pages : 362
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ETUDE "IN SITU" DE L'OXYDATION DE LAMES MINCES; ETUDE DE LA GERMINATION ET DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE ET DETERMINATION DES RELATIONS D'ORIENTATION MUTUELLE METAL/OXYDE. GRACE AU FORMALISME DU RESEAU "O", DEFINITION DES RELATIONS D'ORIENTATION LES PLUS PROBABLES. CARACTERISATION EGALEMENT DE COUCHES MINCES TIO::(2) DETACHEES DE LEUR SUPPORT METALLIQUE ET ETUDE DE L'INFLUENCE DU RECUIT SOUS VIDE SUR LA STRUCTURE ET LA MORPHOLOGIE DES COUCHES TIO::(2) AU NIVEAU DES INTERFACES INTERNE ET EXTERNE. D'AUTRE PART, L'OBSERVATION DE L'INTERFACE METAL-OXYDE MONTRE UNE STRUCTURE DUPLEX DES COUCHES NIO ET TIO::(2). OBSERVATION EGALEMENT D'UNE OXYDATION PREFERENTIELLE DES JOINTS DE GRAIN DU METAL SOUS-JACENT A LA COUCHE D'OXYDE
Author: Thien Phap Nguyen
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Languages : fr
Pages : 478
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ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION THERMIQUE DE LA POUDRE DE MONOXYDE DE SILICIUM DANS DES CONDITIONS PRECISES SOUS FORME DE STRUCTURES SYMETRIQUES AL-SIO-AL OU DISSYMETRIQUES AL-SIO-NI
