Contribution à l'étude des différents types de conduction électrique dans les structures Métal-Isolant-Métal (M.I.M.) Application à l'émission électronique PDF Download
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Author: Amar GUENNOUN
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Languages : fr
Pages : 202
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Author: Amar GUENNOUN
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Languages : fr
Pages : 202
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Author: Alain Bégon (auteur d'une thèse de physique).)
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Languages : fr
Pages : 98
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L'EFFET TUNNEL A TRAVERS LA COUCHE ISOLANTE JOUE UN ROLE IMPORTANT DANS LE COMPORTEMENT, MAIS CELUI-CI DEPEND BIEN SUR AUSSI DU SEMICONDUCTEUR. EXAMEN DES PHENOMENES AVEC LE SILICIUM ET LE GERMANIUM EN ENVISAGEANT 2 DOPAGES TRES DIFFERENTS. ON FAIT UNE PREMIERE ETUDE EN CONTINU AFIN DE DEDUIRE, DES CARACTERISTIQUES I-V, LES MODES DE CONDUCTION QUI INTERVIENNENT. LE PARAMETRE PHYSIQUE ESSENTIEL SERA LA TEMPERATURE. ENSUITE ON ETUDIE LE COMPORTEMENT DE CES STRUCTURES EN REGIME HARMONIQUE CE QUI NOUS PERMETTRA D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LES INTERFACES: ON UTILISE POUR CELA LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DIFFERENTIELLE ET DE LA CAPACITE DYNAMIQUE.
Author: Hao Nguyen Phu
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Languages : fr
Pages : 50
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L'aspect "modélisation" concerne l'effet des résistances parasites sur la performance des cellules photovoltaïques, les réponses spectrales théoriques des photopiles mis tunnel et ainsi que l'élaboration d'un modèle électrique constitué de capacités différentielles sur les mêmes structures. L'aspect "caractérisation" comporte la réalisation d'un ensemble expérimental de mesure de la variation de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans ITO/P-INP, l'étude de la modification des hauteurs de barrière au/oxyde/N-INP, et l'application des techniques de "caractérisation assistée par calculateur" pour déterminer les paramètres physiques à partir de courbes expérimentales
Author: Sandrine Merle
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Languages : fr
Pages : 211
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LES PERFORMANCES DES STRUCTURES METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR SONT CONDITIONNEES PAR LA QUALITE DE L'ISOLANT ET PAR LA MAITRISE DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES INTERFACES ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR ET METAL/ISOLANT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST DONC CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES DE DIFFERENTES COUCHES D'ALUMINE REALISEES SUR SUBSTRATS DE SILICIUM PAR PULVERISATION CATHODIQUE OU PAR EVAPORATION SOUS ULTRA-VIDE EN FONCTION DE DIVERS PARAMETRES EXPERIMENTAUX TELS QUE LA VITESSE D'EVAPORATION ET L'EPAISSEUR DES COUCHES DIELECTRIQUES. LA QUALITE DE CES COUCHES A ETE CONTROLEE PAR SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER (A.E.S.), PAR SPECTROSCOPIE DES PHOTOELECTRONS SOUS EXCITATION X (X.P.S.) ET PAR CARACTERISATION ELECTRIQUE C(V). NOUS AVONS CONSTATE QU'UN CHAUFFAGE DU SUBSTRAT DURANT LE DEPOT D'ALUMINE ET DES VITESSES D'EVAPORATION TROP IMPORTANTES SEMBLENT ETRE NEFASTES A LA QUALITE DES COMPOSANTS. LA DETERMINATION DES PROPRIETES DE SURFACE DES COUCHES ISOLANTES A ETE OBTENUE PAR X.P.S. CETTE DERNIERE ETUDE EST TRES IMPORTANTE CAR LES CHANGEMENTS DE STOECHIOMETRIE, D'ORDRE ET DE STRUCTURE ELECTRONIQUE DE LA SURFACE DE L'ALUMINE VONT JOUER UN ROLE SUR LA CROISSANCE, LA MORPHOLOGIE ET LA STABILITE DU METAL DEPOSE. APRES AVOIR OPTIMISE LA QUALITE DES COUCHES DIELECTRIQUES, NOUS AVONS REALISE DES STRUCTURES M.I.S. A BASE D'INP (100). LA COMBINAISON DE L'A.E.S. ET DE MESURES ELECTRIQUES MONTRE QUE LA STABILITE DE L'INP (100), NETTOYE IONIQUEMENT, EST AMELIOREE LORSQUE LE SEMI-CONDUCTEUR EST RESTRUCTURE PAR EVAPORATION D'ATOMES D'ANTIMOINE. EN EFFET, UNE COUCHE TAMPON D'INSB EST CREEE EMPECHANT LA MIGRATION DES ATOMES DE PHOSPHORE ET D'INDIUM AU TRAVERS DE LA COUCHE D'ALUMINE. DE PLUS, LORS DE LA METALLISATION DE CES STRUCTURES, PAR EVAPORATION D'ATOMES D'OR, NOUS AVONS CONSTATE UNE AMELIORATION DES RESULTATS ELECTRIQUES LORSQUE LE DEPOT EST EFFECTUE SUR ALUMINE ENRICHIE EN ALUMINIUM.
Author: François Ropars
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Languages : fr
Pages : 228
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Author: François Papini
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Languages : fr
Pages : 115
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Author: Marc Jourdain
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Languages : fr
Pages : 292
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ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
Author: ABDELOIHAD.. ABBAS
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Languages : fr
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LES OXYDES A LA SURFACE DES METAUX REMPLISSENT DEUX FONCTIONS EN MICROELECTRONIQUE: L'ISOLATION ELECTRIQUE ET LA PROTECTION CONTRE LA CORROSION. UN COMPROMIS EST RECHERCHE ENTRE UNE MEILLEURE PROTECTION CONTRE LA CORROSION ET UNE ISOLATION ELECTRIQUE MINIMUM. POUR L'INVESTIGATION DE CETTE DUALITE CORROSION-PASSIVATION, NOUS AVONS ETUDIE LE TRANSFERT DE CHARGE ELECTRIQUE DANS DES STRUCTURES METAL/OXYDE/ELECTROLYTE ET METAL/OXYDE/METAL. LA MESURE D'IMPEDANCE COMPLEXE ET LE SUIVI DU POTENTIEL D'ABANDON APPLIQUES AU SYSTEME ALCU/OXYDE/ELECTROLYTE ONT CONSTITUE UNE BONNE APPROCHE POUR EVALUER LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES DU FILM D'OXYDE FORME SUR L'ALLIAGE AVEC OU SANS TRAITEMENT DE SURFACE. DES ANALYSES PHYSIQUES DE SURFACE PAR E.S.C.A. ET SPECTROSCOPIE AUGER COMPLETENT L'ETUDE ELECTROCHIMIQUE. D'AUTRE PART, L'ETUDE DES SYSTEMES ALCU/OXYDE/METAL A PERMIS DE CARACTERISER LES MODES DE CONDUCTION DE TROIS TYPES D'OXYDE A LA SURFACE DE L'ALLIAGE ALCU 4%
Author: Serge Monchaud
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Languages : fr
Pages : 108
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RAPPEL DES EQUATIONS GENERALES DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL, CONDUCTION ELECTRIQUE A TRAVERS UN FILM METALLIQUE GRANULAIRE. TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE FABRICATION ET DE MESURES ELECTRIQUES DES ECHANTILLONS. ETUDE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE A TRAVERS UNE STRUCTURE MIM CONTENANT DANS L'ISOLANT UN FILM GRANULAIRE DE PARTICULES METALLIQUES MAGNETIQUES
Author: Jacques Beaumont (docteur en Génie électronique)
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Languages : fr
Pages : 148
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