Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales de l'arséniure de gallium en couches minces évaporées sous vide

Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales de l'arséniure de gallium en couches minces évaporées sous vide PDF Author: Pierre Bourgeois
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Languages : fr
Pages : 186

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Contribution à l'étude de l'élaboration de couches minces d'arséniure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur à partir des complexes monochlorodiéthylgallium-trialkylarsine

Contribution à l'étude de l'élaboration de couches minces d'arséniure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur à partir des complexes monochlorodiéthylgallium-trialkylarsine PDF Author: Aref Rateb Zaouk
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Pages : 108

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POSSIBILITE D'ELABORER DES COUCHES DE GAAS A PARTIR D'UN COMPOSE DE COORDINATION CONTENANT AS ET GA DANS LE RAPPORT 1/1. ETUDE DES PARAMETRES FAVORABLES A LA CROISSANCE EPITAXIQUE: CHOIX DU SUPPORT, GEOMETRIE DU REACTEUR, CHOIX DE LA TEMPERATURE, CONCENTRATION EN COMPLEXE, VITESSE DU FRONT GAZEUX. ETUDE DU DEPOT PAR DIFFRACTION RX, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE, DIFFRACTION ELECTRONIQUE EN REFLEXION, ANALYSE PAR ENERGIE DISPERSIVE DES RX. PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES

Contribution à l'étude des couches minces d'arséniure de Gallium amorphe

Contribution à l'étude des couches minces d'arséniure de Gallium amorphe PDF Author: Lhousseine Alimoussa
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Pages : 210

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MISE EN EVIDENCE D'UN LARGE DOMAINE DE TEMPERATURE DU SUPPORT DANS LEQUEL IL EST POSSIBLE D'OBTENIR DU GAAS AMORPHE. LA DETECTION DES IMPURETES EST FAITE PAR SPECTROMETRIE IR DONT L'EFFET DE LA CONCENTRATION EST IMPORTANT DANS LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU HYDROGENE

Contribution à l'étude des propriétés mécaniques des solutions solides diluées fer-gallium à basse température

Contribution à l'étude des propriétés mécaniques des solutions solides diluées fer-gallium à basse température PDF Author: Paul Blanchart
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Languages : fr
Pages : 89

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