Contribution à la caractérisation optique des niveaux profonds dans l'arséniure de gallium par spectroscopie capacitive PDF Download
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Author: Francis Litty
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 168
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Book Description
DETERMINATION DES SECTIONS EFFICACES OPTIQUES DES TRANSITIONS ELECTRONIQUES SOUS EXCITATION OPTIQUE ENTRE LE NIVEAU PROFOND ET LES BANDES DE CONDUCTION ET DE VALENCE RESPECTIVEMENT. CETTE MESURE A ETE EFFECTUEE PAR UN COUPLAGE DES TECHNIQUES DE SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND (DLTS) ET DE SPECTROMETRIE OPTIQUE DE NIVEAU PROFOND (DLOS). DEUX CATEGORIES DE NIVEAUX PROFONDS ONT ETE CONSIDEREES. LA PREMIERE DUE AUX METAUX DE TRANSITION CR, FE, CU DONT LES DEUX PREMIERS ONT ETE ANALYSES EXTENSIVEMENT (SECTIONS EFFICACES OPTIQUES, CORRELATION AVEC LES SPECTRES D'EXCITATION DE LUMINESCENCE, IDENTIFICATION DES ETATS DE CHARGE, TRANSITIONS OPTIQUES); EN CE QUI CONCERNE LE CENTRE RELIE AU FER, IL Y A EU MISE EN EVIDENCE D'UN ETAT EXCITE SITUE A 0,2 ET AU-DESSUS DU NIVEAU FONDAMENTAL EV+0,4 EV. LA DEUXIEME CATEGORIE DE NIVEAUX PROFONDS CONSIDEREE EST D'ORIGINE INCONNUE, MAIS SPECIFIQUE DU MODE D'ELABORATION DU MATERIAU: CENTRES EL2, EL5, HL2(B) ET HL5(A)
Author: Francis Litty
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Languages : fr
Pages : 168
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Book Description
DETERMINATION DES SECTIONS EFFICACES OPTIQUES DES TRANSITIONS ELECTRONIQUES SOUS EXCITATION OPTIQUE ENTRE LE NIVEAU PROFOND ET LES BANDES DE CONDUCTION ET DE VALENCE RESPECTIVEMENT. CETTE MESURE A ETE EFFECTUEE PAR UN COUPLAGE DES TECHNIQUES DE SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND (DLTS) ET DE SPECTROMETRIE OPTIQUE DE NIVEAU PROFOND (DLOS). DEUX CATEGORIES DE NIVEAUX PROFONDS ONT ETE CONSIDEREES. LA PREMIERE DUE AUX METAUX DE TRANSITION CR, FE, CU DONT LES DEUX PREMIERS ONT ETE ANALYSES EXTENSIVEMENT (SECTIONS EFFICACES OPTIQUES, CORRELATION AVEC LES SPECTRES D'EXCITATION DE LUMINESCENCE, IDENTIFICATION DES ETATS DE CHARGE, TRANSITIONS OPTIQUES); EN CE QUI CONCERNE LE CENTRE RELIE AU FER, IL Y A EU MISE EN EVIDENCE D'UN ETAT EXCITE SITUE A 0,2 ET AU-DESSUS DU NIVEAU FONDAMENTAL EV+0,4 EV. LA DEUXIEME CATEGORIE DE NIVEAUX PROFONDS CONSIDEREE EST D'ORIGINE INCONNUE, MAIS SPECIFIQUE DU MODE D'ELABORATION DU MATERIAU: CENTRES EL2, EL5, HL2(B) ET HL5(A)
Author: ZOHEIR.. GUENNOUNI
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 194
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA COMPENSATION DES PORTEURS LIBRES ET DES CENTRES PROFONDS DANS LES ECHANTILLONS DE GAAS IMPLANTES OU CO-IMPLANTES EN OXYGENE ET EN SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE. LES PRINCIPES DES METHODES CLASSIQUES DLTS DE CARACTERISATION DES DEFAUTS ONT ETE DEVELOPPES ET PRESENTES. ON DECRIT EGALEMENT LA NOUVELLE METHODE FTDLTS (DLTS UTILISANT UNE TRANSFORMEE DE FOURIER) QUI PRESENTE UN MEILLEUR POUVOIR SEPARATEUR PERMETTANT DE MIEUX CARACTERISER LES DEFAUTS AYANT DES CONSTANTES DE TEMPS VOISINES. EN CE QUI CONCERNE LA COMPENSATION, ON MONTRE QUE CELLE-CI N'EST PAS DUE SEULEMENT A L'OXYGENE, QU'ELLE DIMINUE EN PRESENCE DE SILICIUM CO-IMPLANTE LORSQUE LE RECUIT EST EFFECTUE A HAUTE TEMPERATURE ET QU'ELLE NE SEMBLE PAS LIEE NON PLUS AUX DEFAUTS DU TYPE EL2. EN CE QUI CONCERNE LES CENTRES PROFONDS, DEUX GROUPES DE DEFAUTS ONT ETE MIS EN EVIDENCE. LE PREMIER GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 220-280 K OU QUATRE DEFAUTS U1, U2, U3 ET U4 DONT LES ENERGIES D'ACTIVATION DES TAUX D'EMISSION SONT CENTREES SUR CELLE DU NIVEAU EL3 ONT ETE CARACTERISES. CES DEFAUTS SEMBLENT ETRE LIES AU DESORDRE DU RESEAU CRISTALLIN DU SUBSTRAT. LE DEUXIEME GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 280-450 K OU LES SIGNATURES DES TROIS DEFAUTS E1, E2, ET E3 DE LA FAMILLE DE DEFAUTS EL2 DU GAAS ONT PU ETRE EVALUEES. LE DEFAUT E1 SEMBLE ETRE UN COMPLEXE DONT FAIT PARTIE L'OXYGENE IMPLANTE, LE DEFAUT E2 EST LIE AUX CONDITIONS DE PREPARATION DU SUBSTRAT ET LE DEFAUT E3 CORRESPOND PROBABLEMENT A EL2
Author: Hong Lam Tran
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 61
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![Caractérisation optique de l'implantation ionique à haute énergie dans l'arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/Z1osNAEACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Richard Arès
Publisher: Montréal : Service des archives, Université de Montréal, Section Microfilm
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: Richard Arès
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 200
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Author: ABDELALI.. EN NOURI
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Languages : fr
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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET A L'OPTIMISATION DES PROPRIETES DU MATERIAU PHOTOREFRACTIF BI#1#2GEO#2#0 (BGO). UN DES OBJECTIFS POURSUIVIS CONSISTE A ETENDRE LA PHOTOSENSIBILITE VERS LE PROCHE INFRA-ROUGE PAR DOPAGE AVEC DES METAUX DE TRANSITION. SEUL LE CUIVRE EST EFFICACE. UNE PARTIE IMPORTANTE EST CONSACREE A LA CARACTERISATION DES NIVEAUX PROFONDS PAR SPECTROSCOPIE THERMIQUE, PHOTOELECTRIQUE ET OPTIQUE (UNE DESCRIPTION DETAILLEE DES TECHNIQUES EST DONNEE) ET A UNE DISCUSSION GLOBALE DES RESULTATS S'APPUYANT EGALEMENT SUR LES PUBLICATIONS D'AUTRES AUTEURS. UN MODELE DE NIVEAUX EST PROPOSE SE DISTINGUANT NETTEMENT DU MODELE ORIGINAL A DEUX NIVEAUX. UNE MEME ESPECE DE DEFAUTS INTRINSEQUES X (ANTISITE BI#G#E, LACUNE V#G#E), POUVANT PRESENTER TROIS ETATS DE CHARGE X#, X#0, X#+. X#0 DOMINE LARGEMENT MEME DANS LE MATERIAU DOPE. SEUL LE CENTRE X#0 EST OPTIQUEMENT ACTIF ET LES TROIS BANDES D'ABSORPTION ENTRE 1.3 ET 3.1 EV PEUVENT LUI ETRE ATTRIBUEES. L'INSERTION EN SITE GE, OU EVENTUELLEMENT EN SITE BI, D'UN ACCEPTEUR, ENTRAINE LE BLANCHIMENT D'UNE PROPORTION PLUS OU MOINS IMPORTANTE DE CENTRES X#0 (FORMATION DE X#+). CEPENDANT, DANS LE CAS OU L'ACCEPTEUR EST OPTIQUEMENT IONISABLE, LA LUMIERE AMBIANTE A POUR EFFET DE MAINTENIR UNE FRACTION DES CENTRES DANS L'ETAT NEUTRE, OU MEME DANS CERTAINS CAS (CRISTAL DOPE AU CUIVRE) DE RENFORCER LEUR CONCENTRATION. LA DEUXIEME PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA REALISATION D'UN MONTAGE POUR LA MESURE DE LA MOBILITE DES PHOTOPORTEURS PAR LA TECHNIQUE DU TEMPS DE VOL. DES VALEURS COMPRISES ENTRE 0.3 ET 1 CM#2.V##1.S##1 ONT ETE OBTENUES AVEC DES CRISTAUX NON DOPES
