Conception et test d'inductances actives MMIC à base de transistors bipolaires à hétérojonction. Application à la réalisation de l'élément d'accord d'un oscillateur monolithique contrôlé en tension

Conception et test d'inductances actives MMIC à base de transistors bipolaires à hétérojonction. Application à la réalisation de l'élément d'accord d'un oscillateur monolithique contrôlé en tension PDF Author: Christine Zanchi
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Languages : fr
Pages : 16

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Book Description
UNE ALTERNATIVE A L'UTILISATION D'INDUCTANCES SPIRALES POUR L'INTEGRATION DE RESONATEURS EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE CONSISTE A REMPLACER CELLES-CI PAR DES CIRCUITS A FAIBLES PERTES. C'EST DANS CE CADRE QUE S'INSCRIT LE TRAVAIL QUE NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE QUI PORTE SUR LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION D'INDUCTANCES ACTIVES MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. L'APPLICATION DE L'INDUCTANCE ACTIVE A LA REALISATION DU CIRCUIT D'ACCORD D'UN OSCILLATEUR CONTROLE EN TENSION (OCT) LARGE BANDE PERMET ENFIN L'EVALUATION DES POTENTIALITES D'UN TEL CIRCUIT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH). APRES L'EXPOSE DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT, DES PARTICULARITES AINSI QUE DES APPLICATIONS DE CE COMPOSANT, NOUS PRESENTONS LES MODELES NON-LINEAIRE ET LINEAIRE DU TBH RETENUS. UNE ETUDE ANALYTIQUE DE L'INDUCTANCE ACTIVE FAIT L'OBJET DU DEUXIEME CHAPITRE. UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PRELIMINAIRE FAIT RESSORTIR LES LIMITATIONS DES INDUCTANCES ACTIVES REALISEES A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (TEC), ET LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DES TBHS POUR LA REALISATION DE CES CIRCUITS EST DEGAGEE. DEUX CIRCUITS SONT EXAMINES: UNE INDUCTANCE ACTIVE DE VALEUR FIXE ET UNE SECONDE DE VALEUR ACCORDABLE. LA CONCEPTION ET LE TEST DE TROIS INDUCTANCES ACTIVES MMIC REALISEES A BASE DE TBHS EN TECHNOLOGIE GAALAS/GAAS ET GAINP/GAAS SONT TRAITES DANS LA TROISIEME PARTIE. LES PERFORMANCES MESUREES SONT COMPAREES AUX RESULTATS DE SIMULATION. EN OUTRE, NOUS ETUDIONS LE COMPORTEMENT FORT SIGNAL AINSI QUE LES PERFORMANCES EN BRUIT DE L'INDUCTANCE ACTIVE CONCUE. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE ENFIN L'APPLICATION DE L'INDUCTANCE ACTIVE A LA REALISATION DU CIRCUIT D'ACCORD D'UN OSCILLATEUR CONTROLE EN TENSION (OCT). UNE BANDE D'ACCORD SUPERIEURE A 30% AUTOUR DE LA FREQUENCE CENTRALE DE 3.6 GHZ, UNE LINEARITE DE L'ACCORD DE 110 MHZ/V, UNE PUISSANCE DE SORTIE MOYENNE DE 9 DBM ET UN BRUIT DE PHASE DE -70 DBC/HZ A 100 KHZ DE LA PORTEUSE SONT LES PERFORMANCES MOYENNES QUI ONT ETE MESUREES POUR CET OCT

CONCEPTION ET REALISATION DE CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUES A LA BOUCLE A VERROUILLAGE DE PHASE

CONCEPTION ET REALISATION DE CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUES A LA BOUCLE A VERROUILLAGE DE PHASE PDF Author: JEAN-OLIVIER.. PLOUCHART
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Languages : fr
Pages : 243

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CE TRAVAIL MONTRE LA DEMARCHE SUIVIE POUR CONCEVOIR ET REALISER DES CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. LE TBH GAAS/GAA1AS EST PRESENTE D'UN POINT DE VUE THEORIQUE, EN DECRIVANT LES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT LORS DE SON FONCTIONNEMENT. LE TRANSISTOR EST MODELISE DANS LES DOMAINES LINEAIRES ET NON-LINEAIRE POUR LA CONCEPTION DES MMIC. LES CIRCUITS RADIOFREQUENCES INTERVENANT DANS LES RADIOTELEPHONES DE 2 GENERATION, ET LES CIRCUITS RAPIDES DES LIAISONS A HAUT DEBIT PAR FIBRE OPTIQUE SONT DECRITS. LE PRINCIPE DE LA PLL ET SES APPLICATIONS POUR LA SYNTHESE DE FREQUENCE ET LA RECUPERATION D'HORLOGE SONT ENSUITE PRESENTES. LA FILIERE TECHNOLOGIQUE MMIC TBH A ETE SPECIFIE ET OPTIMISE DE MANIERE A REALISER EN SEULEMENT 12 ETAPES DES FONCTIONS ANALOGIQUES, NUMERIQUES ET DE PUISSANCE. NOUS AVONS OPTIMISE ET MESURE UN ENSEMBLE DE 8 MMIC POUR LES APPLICATIONS A 1,8 GHZ (RADIOTELEPHONE) ET A 10 GHZ (COMMUNICATIONS OPTIQUES HAUT DEBIT). NOUS AVONS REALISE 4 DIVISEURS DE FREQUENCE FONCTIONNANT ENTRE 1 ET 18,5 GHZ ; UN MELANGEUR LARGE BANDE AYANT UN GAIN DE CONVERSION POSITIF JUSQU'A 18,5 GHZ ; DEUX VCO FONCTIONNANT DANS LES BANDES 1,4-1,8 GHZ ET 8-11 GHZ ; UN SYNTHETISEUR DE FREQUENCE EN BANDE L. LES RESULTATS OBTENUS DEMONTRENT L'INTERET DU TBH POUR CE TYPE D'APPLICATION

Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension

Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension PDF Author: Jean-Marc Diénot
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Languages : fr
Pages : 170

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CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION FORT SIGNAL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TBH GAALAS/GAAS), COMPOSANT POTENTIEL POUR LES APPLICATIONS MICROONDES ACTUELLES ET FUTURES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES DIFFERENTS MODELES ELECTRIQUES NON-LINEAIRES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE, CE QUI NOUS PERMET DE PROPOSER UN MODELE SIMILAIRE POUR LE TBH, BASE SUR UNE ANALYSE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SPECIFIQUES AU TBH DANS LES DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. NOUS AVONS ETE AMENES A DEVELOPPER UNE CARACTERISATION EN REGIME IMPULSIONNEL POUR S'AFFRANCHIR DES EFFETS THERMIQUES, QUI SONT CRITIQUES DANS CES STRUCTURES A BASE DE GAAS. LA MISE EN UVRE D'UN BANC AUTOMATISE REALISANT CETTE OPERATION AUTORISE UNE CARACTERISATION NON LINEAIRE APPROPRIEE DU TBH. ASSOCIEE A UNE METHODOLOGIE D'EXTRACTION DES PARAMETRES, ELLE PERMET D'ABOUTIR A UN MODELE PRECIS DE CE COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE PERMET DE VALIDER L'ENSEMBLE DE LA PROCEDURE MODELISATION-CARACTERISATION PAR UNE COMPARAISON SIMULATIONS-MESURES DU TBH EN REGIME FAIBLE ET FORT NIVEAUX. CE MODELE EST ALORS UTILISE LORS DE LA CONCEPTION D'UN OSCILLATEUR ACCORDABLE ELECTRONIQUEMENT (VCO) A LA FREQUENCE DE 1.8 GHZ, ET PERMET DE PRESENTER LES PERFORMANCES OBTENUES EN SIMULATION A PARTIR DE CE CIRCUIT

Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe

Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe PDF Author: Jérémy Raoult
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Languages : fr
Pages : 195

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L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.