CONCEPTION ET REALISATION D'UNE SONDE DE MESURE MICROONDE UTILISANT UN REFLECTOMETRE SIX PORTES EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE INTEGREE MMIC SUR SUBSTRAT SILICIUM PDF Download
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Author: Mohamed Ratni
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 160
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Book Description
LE RECENT DEVELOPPEMENT DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS POUR DES APPLICATIONS GRAND PUBLIC, ASSOCIE AUX PROGRES ACCOMPLIS DANS LA TECHNOLOGIE SILICIUM, A CONTRAINT LES INDUSTRIELS DES SEMICONDUCTEURS A INTEGRER ET OPTIMISER LES PERFORMANCES DES SYSTEMES TOUT EN MAINTENANT DES COUT RELATIVEMENT FAIBLES. DANS LE DOMAINE DES MICROONDES, LES PERFORMANCES D'UN CIRCUIT SONT GENERALEMENT EVALUEES PAR LA MESURE DES PARAMETRES DE DISPERSION. LA MESURE DE CES DERNIERS S'EFFECTUE GENERALEMENT PAR DES ANALYSEURS DE RESEAUX VECTORIELS. CEPENDANT, DU A LEUR COMPLEXITE D'AUTOMATISATION, LEUR ENCOMBREMENT ET A LEUR ERGONOMIE, LEUR COUT PEUT ETRE TRES ELEVE. CONTRAIREMENT A CES APPAREILS, IL EXISTE DES SYSTEMES MOINS COMPLEXES QUI PEUVENT REALISER LES MEMES FONCTIONS. IL S'AGIT DES REFLECTOMETRES SIX-PORTES. LE SUJET DE CETTE THESE EST LE DEVELOPPEMENT D'UN CAPTEUR DE MESURE QUI EFFECTUE DES MESURES DE PARAMETRES DE DISPERSION D'UN DISPOSITIF SOUS TEST DANS LA BANDE DE FREQUENCE 0.9 - 3 GHZ. LE CAPTEUR PEUT ETRE UTILISE COMME APPAREIL DE CARACTERSATION ET DE CONTROLE DE CIRCUIT INTEGRE IN SITU PAR IMPLANTATION DU CAPTEUR AU NIVEAU DU COMPOSANT A TESTER. DANS LE CADRE DE NOTRE TRAVAIL, CE DERNIER EST UTILISE DANS LES SONDES DE MESURE SOUS POINTES EN TANT QUE REFLECTOMETRE. L'INTERET D'INTEGRER CE CAPTEUR EST ENCORE PLUS INTERESSANT PUISQUE L'ON SUPPRIME ENTRE AUTRE LES CONNECTIONS, DONC LES PERTES ET LES REFLECTIONS MULTIPLES ASSOCIEES. LE CAPTEUR D'UNE SURFACE DE 3 MM 2 EST CONSTITUE D'UN REFLECTOMETRE SIX-PORTES ET DE QUATRES DETECTEURS DE PUISSANCE A TRANSISTORS MOSFET, D'INTERRUPTEURS, D'UN AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL A COMMANDE DE GAIN AUTOMATIQUE ET D'UN CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMERIQUE. UNE MODELISATION LINEAIRE ET NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MOSFET A ETE DEVELOPPE AINSI, POUR DES APPLICATIONS DE DETECTION DE PUISSANCE RF. LE CIRCUIT SE DISTINGUE PAR SA TOPOLOGIE ORIGINALE QUI SUBSTITUE AUX DETECTEURS DE PUISSANCE A DIODES, SCHOTTKY DES DETECTEURS A TRANSISTORS MOSFET. CES DERNIERS ONT MONTRE UNE SENSIBILITE SUPERIEUR, DE PLUS L'UTILISATION DE LA TECHNOLOGIE CMOS SILICIUM, NOUS A PERMIS D'INTEGRER TOUTE LA CHAINE DE MESURE SUR LE MEME CIRCUIT.
Author: Mohamed Ratni
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LE RECENT DEVELOPPEMENT DES SYSTEMES DE COMMUNICATIONS POUR DES APPLICATIONS GRAND PUBLIC, ASSOCIE AUX PROGRES ACCOMPLIS DANS LA TECHNOLOGIE SILICIUM, A CONTRAINT LES INDUSTRIELS DES SEMICONDUCTEURS A INTEGRER ET OPTIMISER LES PERFORMANCES DES SYSTEMES TOUT EN MAINTENANT DES COUT RELATIVEMENT FAIBLES. DANS LE DOMAINE DES MICROONDES, LES PERFORMANCES D'UN CIRCUIT SONT GENERALEMENT EVALUEES PAR LA MESURE DES PARAMETRES DE DISPERSION. LA MESURE DE CES DERNIERS S'EFFECTUE GENERALEMENT PAR DES ANALYSEURS DE RESEAUX VECTORIELS. CEPENDANT, DU A LEUR COMPLEXITE D'AUTOMATISATION, LEUR ENCOMBREMENT ET A LEUR ERGONOMIE, LEUR COUT PEUT ETRE TRES ELEVE. CONTRAIREMENT A CES APPAREILS, IL EXISTE DES SYSTEMES MOINS COMPLEXES QUI PEUVENT REALISER LES MEMES FONCTIONS. IL S'AGIT DES REFLECTOMETRES SIX-PORTES. LE SUJET DE CETTE THESE EST LE DEVELOPPEMENT D'UN CAPTEUR DE MESURE QUI EFFECTUE DES MESURES DE PARAMETRES DE DISPERSION D'UN DISPOSITIF SOUS TEST DANS LA BANDE DE FREQUENCE 0.9 - 3 GHZ. LE CAPTEUR PEUT ETRE UTILISE COMME APPAREIL DE CARACTERSATION ET DE CONTROLE DE CIRCUIT INTEGRE IN SITU PAR IMPLANTATION DU CAPTEUR AU NIVEAU DU COMPOSANT A TESTER. DANS LE CADRE DE NOTRE TRAVAIL, CE DERNIER EST UTILISE DANS LES SONDES DE MESURE SOUS POINTES EN TANT QUE REFLECTOMETRE. L'INTERET D'INTEGRER CE CAPTEUR EST ENCORE PLUS INTERESSANT PUISQUE L'ON SUPPRIME ENTRE AUTRE LES CONNECTIONS, DONC LES PERTES ET LES REFLECTIONS MULTIPLES ASSOCIEES. LE CAPTEUR D'UNE SURFACE DE 3 MM 2 EST CONSTITUE D'UN REFLECTOMETRE SIX-PORTES ET DE QUATRES DETECTEURS DE PUISSANCE A TRANSISTORS MOSFET, D'INTERRUPTEURS, D'UN AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL A COMMANDE DE GAIN AUTOMATIQUE ET D'UN CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMERIQUE. UNE MODELISATION LINEAIRE ET NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MOSFET A ETE DEVELOPPE AINSI, POUR DES APPLICATIONS DE DETECTION DE PUISSANCE RF. LE CIRCUIT SE DISTINGUE PAR SA TOPOLOGIE ORIGINALE QUI SUBSTITUE AUX DETECTEURS DE PUISSANCE A DIODES, SCHOTTKY DES DETECTEURS A TRANSISTORS MOSFET. CES DERNIERS ONT MONTRE UNE SENSIBILITE SUPERIEUR, DE PLUS L'UTILISATION DE LA TECHNOLOGIE CMOS SILICIUM, NOUS A PERMIS D'INTEGRER TOUTE LA CHAINE DE MESURE SUR LE MEME CIRCUIT.
