Caracterisation electrique et modelisation du bruit hyperfrequence dans les dispositifs bipolaires a heterojonction 3-5 et BICMOS silicium PDF Download
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Author: Philippe Rouquette
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Languages : fr
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Author: Philippe Rouquette
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Languages : fr
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Author: Frédéric Barberousse
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Category :
Languages : fr
Pages : 188
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CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION HYPERFREQUENCE DU BRUIT DE FOND DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION DE TYPE PSEUDOMORPHIQUE (PHEMT) SUR SUBSTRAT GAAS ET INP. SUR LES TRANSISTORS PHEMT (SUBSTRAT INP), NOUS ETUDIERONS L'EVOLUTION DU SCHEMA EQUIVALENT ET LES QUATRE PARAMETRES DE BRUIT EN FONCTION DE LA LARGEUR ET DE LA TOPOLOGIE DE GRILLE (GRILLE EN T, 4 ET 8 DOIGTS DE GRILLE). APRES UNE MESURE DES CARACTERISTIQUES I-V DES DISPOSITIFS, NOUS PRESENTONS DANS LE DEUXIEME CHAPITRE LA TECHNIQUE EXPERIMENTALE PERMETTANT D'OBTENIR LES QUATRE PARAMETRES DE BRUIT AINSI QUE LES RESULTATS OBTENUS. NOUS MONTRONS QUE LE TRANSISTOR PHEMT SUR INP PRESENTAIT UN FACTEUR DE BRUIT MINIMUM MOINS ELEVE ET UN COURANT DE DRAIN OPTIMUM PLUS GRAND QUE LE TRANSISTOR PHEMT SUR GAAS. L'ETUDE EN FONCTION DES PARAMETRES GEOMETRIQUES DE GRILLE A PERMIS DE DEFINIR LA STRUCTURE OPTIMALE EN CE QUI CONCERNE LE COMPORTEMENT EN BRUIT. UNE TELLE CARACTERISATION ETANT DELICATE A METTRE EN UVRE, NOUS AVONS CHERCHE A MODELISER LES QUATRE PARAMETRES DE BRUIT AFIN DE POUVOIR LES PREDIRE. LES METHODES CLASSIQUES NECESSITANT, EN PLUS DE LA CONNAISSANCE PRECISE DU SCHEMA EQUIVALENT ET AU MOINS D'UNE MESURE DE BRUIT, IL NOUS A SEMBLE INTERESSANT DE DEVELOPPER UN MODELE NE FAISANT APPEL QU'A LA CONNAISSANCE DU SCHEMA EQUIVALENT. LES RESULTATS OBTENUS PAR CE MODELE SONT EN PARFAIT ACCORD AVEC LES MESURES EFFECTUEES AUSSI BIEN EN FONCTION DE LA FREQUENCE QUE DE LA POLARISATION
Author: Éric Rey
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Languages : fr
Pages : 118
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Author: Abdelali Rennane
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Languages : fr
Pages : 362
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Le travail présenté dans ce mémoire a pour objet principal l’étude des phénomènes de bruit du fond électrique basse fréquence dans des transistors pour applications micro-ondes de type effet de champ (HEMT) sur SiGe et GaN ainsi que de type bipolaire à hétérojonction (TBH) à base de silicium-germanium (SiGe). Dans un premier chapitre nous rappelons les caractéristiques et propriétés essentielles des sources de bruit en excès que l’on rencontre généralement dans ce type de composants et proposons une description des bancs de mesure de bruit mis en oeuvre. Dans les deuxième et troisième chapitres, nous proposons une analyse détaillée de l’évolution du bruit observé en fonction de la fréquence, de la polarisation, et de la géométrie sur des HEMTs des deux familles technologiques SiGe et GaN. Nous avons en particulier étudié les deux générateurs de bruit en courant en entrée et en sortie respectivement iG et iD ainsi que leur corrélation. Ceci nous a permis, en nous appuyant aussi sur l’analyse des caractéristiques statiques des transistors, d’identifier les diverses sources de bruit en excès présentes dans ces composants et de faire des hypothèses sur leurs origines. Le dernier chapitre est consacré aux TBHs à base de SiGe. Dans une première partie nous établissons comment varie le bruit basse fréquence de TBHs, fabriqués par un premier constructeur, en fonction de la polarisation, de la géométrie et de la fraction molaire de germanium. Dans une seconde partie nous mettons en évidence, d’après nos observations effectuées sur des TBHs fabriqués par un second constructeur, l’impact important sur le bruit BF de stress thermiques appliqués sur ce type de composants.
Author: VALERIE.. DANELON
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Category :
Languages : fr
Pages : 312
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CE MEMOIRE DE THESE S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DE L'ETUDE EN BRUIT DES COMPOSANTS ACTIFS DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES ET DU MILLIMETRIQUE. LE NIVEAU DE BRUIT GENERE PAR UN TRANSISTOR ASSOCIE A SES PERFORMANCES DYNAMIQUES VONT DETERMINER SES LIMITES DE FONCTIONNEMENT. DE PLUS, L'ETUDE DU BRUIT DU DISPOSITIF EST UNE SOURCE IMPORTANTE D'INFORMATIONS RELATIVES AUX MECANISMES PHYSIQUES IMPLIQUES. CES INFORMATIONS POURRONT ETRE EXPLOITEES PAR LE TECHNOLOGUE QUI OPTIMISE LA STRUCTURE DU COMPOSANT. LA CARACTERISATION EN BRUIT CONSISTE FONDAMENTALEMENT A DETERMINER LES 4 PARAMETRES DE BRUIT DU COMPOSANT. ELLE IMPLIQUE LA MISE EN UVRE DE METHODES SPECIFIQUES DE MESURE ET D'EXTRACTION. CEPENDANT, LES TECHNIQUES D'EXTRACTION PROPOSEES POUR L'OBTENTION DES PARAMETRES DE BRUIT ONT DES LIMITATIONS. AINSI, LES METHODES DE MESURE DE BRUIT SOUS 50 OHMS POUR LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP NE SONT PAS UTILISEES DANS LE CAS DES COMPOSANTS BIPOLAIRES. PAR AILLEURS, LES METHODES EXISTANTES SONT DIFFICILEMENT APPLICABLES A LA MESURE DE DISPOSITIFS REFROIDIS SITUES DANS UN ENVIRONNEMENT CRYOGENIQUE. LA NOUVELLE APPROCHE PROPOSEE ET DEVELOPPEE DANS CETTE THESE EST UNE ALTERNATIVE AUX METHODES STANDARDS PUISQU'ELLE AUTORISE L'ETUDE DE TOUS TYPE DE COMPOSANT ET QUE LES PRINCIPES ET LE BANC SUR LESQUELS ELLE EST BASEE PERMETTENT DES MESURES DE BRUIT A BASSE TEMPERATURE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE (QUI SE VEUT ETRE AUSSI UN OUTIL DE TRAVAIL), LES PRINCIPES ET LE DEVELOPPEMENT DE CETTE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS. IL CONTIENT DONC LES BASES NECESSAIRES A LA COMPREHENSION DES MESURES DES 4 PARAMETRES DE BRUIT, EXPOSE LA METHODOLOGIE ASSOCIEE, DONNE LA PROCEDURE A SUIVRE POUR LA MISE EN PLACE D'UN BANC DE MESURE DE BRUIT ET SA VALIDATION A TRAVERS DES MESURES COMPARATIVES ET UNE MODELISATION DU BANC. ENFIN, CETTE NOUVELLE METHODE EST APPLIQUEE A UNE ETUDE EXTENSIVE DU BRUIT DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS SUR INP DU CNET BAGNEUX.
Author: Jean-Guy Tartarin
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Languages : fr
Pages : 0
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