ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME PDF Download
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Author: Jean-Louis Cazaux
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 225
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Book Description
UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Author: Jean-Louis Cazaux
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 225
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UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Author: Heinrich Daembkes
Publisher: Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE)
ISBN:
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 544
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Author: GERARD.. MALAUSSANNE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 179
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MODELE PERMETTANT D'ACCEDER AUX PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU TRANSISTOR DU TITRE. MODELE ADAPTE: (I) A LA RECHERCHE DE COMPOSANTS OPTIMISES (PAR EXEMPLE LES CONDITIONS OPTIMALES D'IMPLANTATION POUR LES COMPOSANTS IMPLANTES) ET (II) A LA SIMULATION DE CIRCUITS CONTENANT PLUSIEURS COMPOSANTS. RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX PRESENTES JUSQU'A 12 GHZ PERMETTANT D'APPRECIER LES QUALITES DU MODELE
Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Nuclear energy
Languages : en
Pages : 1420
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Author: Pierre Pouvil
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Author: Jacques Graffeuil
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 231
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ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.
Author: Henri Tranduc
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 158
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EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. PROPOSITION D'UNE CONFIGURATION DES BANDES D'ENERGIE A L'INTERFACE SEMIISOLANT-SEMICONDUCTEUR ET DEFINITION DES METHODES DE DETERMINATION DES PARAMETRES PHYSIQUES DE LA STRUCTURE MULTICOUCHE: DOPAGES, MOBILITE, CHARGES D'INTERFACE, EPAISSEUR DE LA COUCHE N. ETUDE DES PHENOMENES DE RELAXATION QUI SE PRODUISENT, EN BASSES FREQUENCES, DANS CES STRUCTURES PLANES SUR SEMI-ISOLANT. EXPLICATION DE L'EXISTENCE DE DIVERSES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION, SITUEES ENTRE 2 LIMITES, ET DE LA FORME CIRCULAIRE DU DIAGRAMME D'ADMITTANCE DE SORTIE EN BASSES FREQUENCES
Author: Jean-Marie Dieudonné
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 138
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UNE ETUDE NON EXHAUSTIVE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL (TEGFET, HEMT), FORME A L'INTERFACE D'UNE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS, EST PRESENTEE. LA CONCENTRATION ELECTRONIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL EST ETABLIE A PARTIR DE LA MODELISATION DE L'HETEROJONCTION ISOLEE. UN MODELE ANALYTIQUE DES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU COMPOSANT EST PROPOSE. UNE ETUDE DU REGIME STATIQUE EN FONCTION DE L'ECLAIREMENT ET AUX BASSES TEMPERATURES MET EN EVIDENCE L'EFFET NEFASTE DE PIEGES DE TYPE DONNEUR (DX) DANS LA COUCHE DE GAALAS. UNE CARACTERISATION DYNAMIQUE DU TRANSISTOR METTANT EN OEUVRE UNE TECHNIQUE DE MESURE DES PARAMETRES S ET UN PROGRAMME D'EXTRACTION DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT EST PROPOSEE. UNE COMPARAISON EST EFFECTUEE ENTRE LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MESFET ET CELLES DU TEGFET AUX BASSES TEMPERATURES. LA MESURE DU BRUIT BASSE FREQUENCE REVELE UNE CORRELATION ENTRE LE NIVEAU DE BRUIT MESURE ET LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU TRANSISTOR REFROIDI. ENFIN, UNE EVOLUTION TECHNOLOGIQUE POSSIBLE DU COMPOSANT EST PRESENTEE
Author: R. Soares
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 517
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Author: Jean-Jacques Cabot
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 140
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