Transistors à effet de champ bigrilles PDF Download
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Author: Dominique Langrez
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 300
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Book Description
LA CONCEPTION DE CIRCUITS HYPERFREQUENCES REQUIERT UNE MODELISATION COMPLETE DES COMPOSANTS ACTIFS UTILISES, AFIN D'OPTIMISER LES PERFORMANCES DU DISPOSITIF ENVISAGE. POUR CE FAIRE, IL EST NECESSAIRE DE DEVELOPPER DES TECHNIQUES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION QUI CONDUISENT A L'OBTENTION D'UN SCHEMA EQUIVALENT DESTINE A ETRE IMPLANTE AU SEIN D'UN SIMULATEUR ELECTRIQUE. CE MEMOIRE DECRIT TOUTE UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION MISE AU POINT ET APPLIQUEE POUR LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE BIGRILLE, DANS LE BUT DE CONCEVOIR UN MELANGEUR MILLIMETRIQUE FONCTIONNANT A 60 GHZ. COMPTE-TENU DE LA COMPLEXITE DE CE COMPOSANT SPECIFIQUE, PLUSIEURS ETAPES SONT NECESSAIRES POUR EXTRAIRE L'ENSEMBLE DES ELEMENTS CONSTITUANT LE SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT. PARALLELEMENT A L'ELABORATION DE LA PROCEDURE DE CARACTERISATION, NOUS AVONS DEVELOPPE UN BANC DE MESURE SOUS POINTES 3 PORTES DISPONIBLE DE 1.5 A 26.5 GHZ ET NECESSAIRE POUR L'ACQUISITION DES PARAMETRES DE LA MATRICE SCATTERING DU TEC DOUBLE GRILLE. PLUSIEURS TRANSISTORS DE FILIERES DIFFERENTES (MESFET, HEMT, PM-HEMT) ONT ETE EXPERIMENTES. LES PRINCIPAUX RESULTATS TYPIQUEMENT OBTENUS FONT L'OBJET D'UNE PRESENTATION ET D'UNE ANALYSE, D'OU IL RESSORT UN BON ACCORD AVEC LES PREDICTIONS THEORIQUES. NOUS TRAITONS UN DERNIER ASPECT CONCERNANT L'ETUDE EXPERIMENTALE DES POTENTIALITES DES TECS BIGRILLES EN TANT QU'AMPLIFICATEURS EN GAMME D'ONDES MILLIMETRIQUES. LES LIMITATIONS ACTUELLES DUES AUX EFFETS DE CANAL COURT RENCONTRES AVEC LES STRUCTURES MONOGRILLES A GRILLE ULTRA COURTE ONT MOTIVE NOTRE DEMARCHE. NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES ET LES RESULTATS OBTENUS AVEC DES COMPOSANTS BIGRILLES UTILISES EN CONFIGURATION CASCODE ET FABRIQUES AU SEIN DU LABORATOIRE. LES PERFORMANCES ATTEINTES COMPARATIVEMENT AUX TECS MONOGRILLES, OUVRENT DE LARGES PERSPECTIVES POUR CE TYPE DE TRANSISTORS
Author: Dominique Langrez
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 300
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Book Description
LA CONCEPTION DE CIRCUITS HYPERFREQUENCES REQUIERT UNE MODELISATION COMPLETE DES COMPOSANTS ACTIFS UTILISES, AFIN D'OPTIMISER LES PERFORMANCES DU DISPOSITIF ENVISAGE. POUR CE FAIRE, IL EST NECESSAIRE DE DEVELOPPER DES TECHNIQUES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION QUI CONDUISENT A L'OBTENTION D'UN SCHEMA EQUIVALENT DESTINE A ETRE IMPLANTE AU SEIN D'UN SIMULATEUR ELECTRIQUE. CE MEMOIRE DECRIT TOUTE UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION MISE AU POINT ET APPLIQUEE POUR LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE BIGRILLE, DANS LE BUT DE CONCEVOIR UN MELANGEUR MILLIMETRIQUE FONCTIONNANT A 60 GHZ. COMPTE-TENU DE LA COMPLEXITE DE CE COMPOSANT SPECIFIQUE, PLUSIEURS ETAPES SONT NECESSAIRES POUR EXTRAIRE L'ENSEMBLE DES ELEMENTS CONSTITUANT LE SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT. PARALLELEMENT A L'ELABORATION DE LA PROCEDURE DE CARACTERISATION, NOUS AVONS DEVELOPPE UN BANC DE MESURE SOUS POINTES 3 PORTES DISPONIBLE DE 1.5 A 26.5 GHZ ET NECESSAIRE POUR L'ACQUISITION DES PARAMETRES DE LA MATRICE SCATTERING DU TEC DOUBLE GRILLE. PLUSIEURS TRANSISTORS DE FILIERES DIFFERENTES (MESFET, HEMT, PM-HEMT) ONT ETE EXPERIMENTES. LES PRINCIPAUX RESULTATS TYPIQUEMENT OBTENUS FONT L'OBJET D'UNE PRESENTATION ET D'UNE ANALYSE, D'OU IL RESSORT UN BON ACCORD AVEC LES PREDICTIONS THEORIQUES. NOUS TRAITONS UN DERNIER ASPECT CONCERNANT L'ETUDE EXPERIMENTALE DES POTENTIALITES DES TECS BIGRILLES EN TANT QU'AMPLIFICATEURS EN GAMME D'ONDES MILLIMETRIQUES. LES LIMITATIONS ACTUELLES DUES AUX EFFETS DE CANAL COURT RENCONTRES AVEC LES STRUCTURES MONOGRILLES A GRILLE ULTRA COURTE ONT MOTIVE NOTRE DEMARCHE. NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES ET LES RESULTATS OBTENUS AVEC DES COMPOSANTS BIGRILLES UTILISES EN CONFIGURATION CASCODE ET FABRIQUES AU SEIN DU LABORATOIRE. LES PERFORMANCES ATTEINTES COMPARATIVEMENT AUX TECS MONOGRILLES, OUVRENT DE LARGES PERSPECTIVES POUR CE TYPE DE TRANSISTORS
Author: Mohamed Bouhess
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 71
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On présente : 1) rappels sur la dynamique électronique non stationnaire et description du modèle et de ses caractéristiques ; 2) adaptation des méthodes de caractérisation du monogrille au bigrille ; 3) validation du modèle théorique ; 4) étude systématique des divers paramètres conduisant à l'optimalisation de la structure ; 5) applications potentielles du tec bigrille
Author: Yannick Bonnaire
Publisher:
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Languages : en
Pages : 92
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Author: Jean Pierre Œhmichen
Publisher:
ISBN: 9782709107174
Category :
Languages : fr
Pages : 263
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Author: Dominique Langrez
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Languages : fr
Pages : 0
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Author: Thomas Dundas Towers
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ISBN: 9782709107532
Category :
Languages : fr
Pages : 96
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Author: Jacques Wyrwinski
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Languages : fr
Pages : 192
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Des travaux faits antérieurement au centre hyperfréquences et semiconducteurs avaient laissé entrevoir que le TEC AsGa bigrille devrait avoir une tenue en tension de claquage très supérieure à celle du TEC AsGa monogrille et, en conséquence, présenter des possibilités en amplification de puissance microonde supérieures. C'est sur cette question qu'ont porté les travaux de J. Wyrwinski. Dans une première phase, il a procédé à une étude systématique du claquage du TEC AsGa bigrille dans différentes configurations de polarisations et de charges hyperfréquences et mis en évidence la très nette supériorité de ce composant sur le TEC AsGa monogrille. Dans une deuxième phase, il a effectué la comparaison TEC bigrille - TEC monogrille en amplification de puissance microonde, montre les corrélations avec la tenue au claquage et, ayant mis en évidence une apparition plus rapide de la saturation pour le TEC bigrille, il en a analysé les mécanismes sur la base d'une simulation grand signal utilisant le logiciel de C.A.O. Spice. Dans une deuxième phase, il a procédé à une approche prospective des possibilités amplificatrices d'une configuration très particulière du TEC bigrille, avec sortie sur la deuxième grille, et montre que cette configuration peut être utilisée en amplification large bande, entre 10 et 20 GHz. Ces résultats ouvrent des perspectives intéressantes aux TECs bigrilles, à grand développement de grille, pour la réalisation de structures amplificatrices distribuées à large bande et intégrées
Author: J. P. Oehmichen
Publisher:
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Category :
Languages : fr
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Author: Nour-Eddine Radhy
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
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Les transistors à effet de champ du type bigrille submicronique en AsGa ont fait l'objet d'une étude expérimentale approfondie destinée à mesurer présisément leurs caractéristiques entre 2 et 18 GHz. Dans ce but, une monture de test à faibles pertes a été mise au point. Une modélisation originale a été proposée et validée afin de représenter de façon simple et précise le fonctionnement du TEC bigrille d'abord en petits signaux puis en régime faiblement non linéaire. Cette étude conduit à la réalisation d'amplificateurs à gain contrôlé, fonctionnant en microondes dont les performances ont pu être prévues au moyen d'une étude théorique sur ordinateur. Enfin, d'autres applications microondes originales ont été envisagées telles que la génération de peignes de fréquences très étendus et le mélange à très large bande.
Author: François Duhamel
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Category :
Languages : fr
Pages : 222
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La modélisation quasi-bidimensionnelle de transistors à effet de champ offre une grande souplesse d'emploi qui est mise à profit dans le cadre de ce travail pour traiter trois types différents de structures en vue d'établir leurs potentialités en tant qu'amplificateur de puissance ou de mélangeur. Après avoir mis en perspective les composants que nous avons étudiés, nous décrivons les principes de notre modèle et développons les méthodes utilisées en particulier pour déterminer les caractéristiques physiques et électriques des différents transistors. Nous avons, ainsi, pu étudier les potentialités du hemt pseudomorphique sur gaas pour l'amplification de puissance à 60 ghz et souligner l'importance de la longueur et du fosse de grille sur les performances des composants. D'autre part, le même type d'analyse, menée sur le hemt bigrille, a permis de déterminer les conditions de polarisation et la topologie à utiliser dans le cadre d'une utilisation en mélangeur de type faible bruit en bande v. Enfin, une méthode de traitement du misfet gaas basse température reposant sur l'introduction d'une commande de charge spécifique a été mise en oeuvre. Elle permet notamment d'expliquer la dispersion des caractéristiques dynamiques entre le régime statique et le régime dynamique. Les différents résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales et à d'autres types de modèles plus précis afin de valider la méthodologie mise en oeuvre
