ROLE DES RECUITS TRANSITOIRES DANS LA GENERATION DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM. EFFET GETTER PDF Download

Author: BOUCHAIB.. HARTITI
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NOUS AVONS UTILISE UNE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE CAPACITIVE (DLTS) POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS, INTRODUITS DANS LE SILICIUM PAR DEUX RECUITS THERMIQUES TRANSITOIRES: L'IRRADIATION PAR LASER EXCIMERE ET LE RECUIT THERMIQUE RAPIDE EN FOUR A LAMPES. NOUS AVONS MONTRE QUE LA NATURE DES DEFAUTS DEPEND ESSENTIELLEMENT DE LA DUREE DE DEPOT D'ENERGIE LORS DE CES RECUITS TRANSITOIRES. DANS LE CAS DU LASER, LES DEFAUTS, PRINCIPALEMENT DE TYPE LACUNAIRE, SONT DUS A LA TREMPE THERMIQUE ASSOCIEE A LA FUSION SUPERFICIELLE CONSECUTIVE A L'IRRADIATION PAR LASER (DE QUELQUES NANOSECONDES). PAR CONTRE, LORS DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE (DE QUELQUES SECONDES), C'EST L'ACTIVATION DES METAUX DE TRANSITION QUI L'EMPORTE SUR LA GENERATION DES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES. L'ORIGINE DE CES IMPURETES METALLIQUES EST SOIT INTRINSEQUE AU MATERIAU, SOIT EXTRINSEQUE (CONTAMINATION). NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE CES METAUX DE TRANSITION SE REDISTRIBUENT D'UNE FACON HETEROGENE DANS LE MATERIAU PAR EFFET GETTER. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS, CET EFFET GETTER DANS LE CAS D'UNE IMPURETE VOLONTAIREMENT INTRODUITE DANS LE SILICIUM (L'OR), EN PREPARANT DIFFERENTS SITES DE GETTER PAR ENDOMMAGEMENT MECANIQUE OU PAR DIFFUSION D'UN DOPANT (BORE OU PHOSPHORE)