Rôle des recuits transitoires dans la génération des défaut électriquement actifs dans le silicium, effet Getter PDF Download
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Author: Bouchaïb Hartiti
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 100
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Author: Bouchaïb Hartiti
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Category :
Languages : fr
Pages : 100
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Book Description
Author: BOUCHAIB.. HARTITI
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Languages : fr
Pages :
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Book Description
NOUS AVONS UTILISE UNE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE CAPACITIVE (DLTS) POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS, INTRODUITS DANS LE SILICIUM PAR DEUX RECUITS THERMIQUES TRANSITOIRES: L'IRRADIATION PAR LASER EXCIMERE ET LE RECUIT THERMIQUE RAPIDE EN FOUR A LAMPES. NOUS AVONS MONTRE QUE LA NATURE DES DEFAUTS DEPEND ESSENTIELLEMENT DE LA DUREE DE DEPOT D'ENERGIE LORS DE CES RECUITS TRANSITOIRES. DANS LE CAS DU LASER, LES DEFAUTS, PRINCIPALEMENT DE TYPE LACUNAIRE, SONT DUS A LA TREMPE THERMIQUE ASSOCIEE A LA FUSION SUPERFICIELLE CONSECUTIVE A L'IRRADIATION PAR LASER (DE QUELQUES NANOSECONDES). PAR CONTRE, LORS DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE (DE QUELQUES SECONDES), C'EST L'ACTIVATION DES METAUX DE TRANSITION QUI L'EMPORTE SUR LA GENERATION DES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES. L'ORIGINE DE CES IMPURETES METALLIQUES EST SOIT INTRINSEQUE AU MATERIAU, SOIT EXTRINSEQUE (CONTAMINATION). NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE CES METAUX DE TRANSITION SE REDISTRIBUENT D'UNE FACON HETEROGENE DANS LE MATERIAU PAR EFFET GETTER. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS, CET EFFET GETTER DANS LE CAS D'UNE IMPURETE VOLONTAIREMENT INTRODUITE DANS LE SILICIUM (L'OR), EN PREPARANT DIFFERENTS SITES DE GETTER PAR ENDOMMAGEMENT MECANIQUE OU PAR DIFFUSION D'UN DOPANT (BORE OU PHOSPHORE)
Author: Mohammed-Salah Doghmane
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Category :
Languages : fr
Pages : 204
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ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE
Author: Mohamed Remram
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 105
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ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C
Author: ELHOUSSINE.. AMARRAY
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 132
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ETUDE DE L'EFFET GETTER AU VOISINAGE DES SURFACES DE SILICIUM BICRISTALLIN. CARACTERISATION DES ESPECES SEGREGEES A LA SURFACE PAR SPECTROMETRIE ELECTRONIQUE AUGER PERMETTANT DE CONNAITRE LES CONCENTRATIONS ATOMIQUES ET LES LIAISONS CHIMIQUES EXISTANT ENTRE ATOMES. ANALYSE DES TROIS FACTEURS PRINCIPAUX D'EFFET GETTER: ROLE D'UNE COUCHE D'OXYDE; ROLE DES RECUITS THERMIQUES, ROLE D'UNE IMPURETE A GRANDE DIFFUSIVITE, L'OR
Author: Richard Monflier
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Languages : fr
Pages : 139
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Book Description
La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.
