Propriétés électriques des structures métal-isolant ultra-mince-semiconducteur PDF Download
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Author: Khalil Kassmi
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Author: Khalil Kassmi
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Author: François Papini
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Languages : fr
Pages : 115
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Author: Sandrine Merle
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Languages : fr
Pages : 211
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LES PERFORMANCES DES STRUCTURES METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR SONT CONDITIONNEES PAR LA QUALITE DE L'ISOLANT ET PAR LA MAITRISE DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES INTERFACES ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR ET METAL/ISOLANT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST DONC CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES DE DIFFERENTES COUCHES D'ALUMINE REALISEES SUR SUBSTRATS DE SILICIUM PAR PULVERISATION CATHODIQUE OU PAR EVAPORATION SOUS ULTRA-VIDE EN FONCTION DE DIVERS PARAMETRES EXPERIMENTAUX TELS QUE LA VITESSE D'EVAPORATION ET L'EPAISSEUR DES COUCHES DIELECTRIQUES. LA QUALITE DE CES COUCHES A ETE CONTROLEE PAR SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER (A.E.S.), PAR SPECTROSCOPIE DES PHOTOELECTRONS SOUS EXCITATION X (X.P.S.) ET PAR CARACTERISATION ELECTRIQUE C(V). NOUS AVONS CONSTATE QU'UN CHAUFFAGE DU SUBSTRAT DURANT LE DEPOT D'ALUMINE ET DES VITESSES D'EVAPORATION TROP IMPORTANTES SEMBLENT ETRE NEFASTES A LA QUALITE DES COMPOSANTS. LA DETERMINATION DES PROPRIETES DE SURFACE DES COUCHES ISOLANTES A ETE OBTENUE PAR X.P.S. CETTE DERNIERE ETUDE EST TRES IMPORTANTE CAR LES CHANGEMENTS DE STOECHIOMETRIE, D'ORDRE ET DE STRUCTURE ELECTRONIQUE DE LA SURFACE DE L'ALUMINE VONT JOUER UN ROLE SUR LA CROISSANCE, LA MORPHOLOGIE ET LA STABILITE DU METAL DEPOSE. APRES AVOIR OPTIMISE LA QUALITE DES COUCHES DIELECTRIQUES, NOUS AVONS REALISE DES STRUCTURES M.I.S. A BASE D'INP (100). LA COMBINAISON DE L'A.E.S. ET DE MESURES ELECTRIQUES MONTRE QUE LA STABILITE DE L'INP (100), NETTOYE IONIQUEMENT, EST AMELIOREE LORSQUE LE SEMI-CONDUCTEUR EST RESTRUCTURE PAR EVAPORATION D'ATOMES D'ANTIMOINE. EN EFFET, UNE COUCHE TAMPON D'INSB EST CREEE EMPECHANT LA MIGRATION DES ATOMES DE PHOSPHORE ET D'INDIUM AU TRAVERS DE LA COUCHE D'ALUMINE. DE PLUS, LORS DE LA METALLISATION DE CES STRUCTURES, PAR EVAPORATION D'ATOMES D'OR, NOUS AVONS CONSTATE UNE AMELIORATION DES RESULTATS ELECTRIQUES LORSQUE LE DEPOT EST EFFECTUE SUR ALUMINE ENRICHIE EN ALUMINIUM.
Author: Marc Jourdain
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Languages : fr
Pages : 292
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ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
Author: Benachir Bouchikhi
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Languages : fr
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Author: Guillaume Bouillier
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Languages : fr
Pages : 133
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UTILISATION D'UNE METHODE DE MESURE DES DISTRIBUTIONS DES CHARGES, CONCUE A L'ORIGINE POUR ETUDIER LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES POLYMERES, AFIN DE METTRE EN EVIDENCE LES CHARGES ELECTRIQUES PIEGEES DANS LES STRUCTURES METAL-ISOLANT-SEMICONDUCTEUR
Author: Benachir Bouchikhi
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Languages : fr
Pages : 272
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On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS
Author: Hasni Bendouma (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 219
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Author: Hasni Bendouma
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Languages : fr
Pages : 219
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Travail permettant de quantifier les causes à l'origine de la mauvaise fiabilité des diodes MIS. L'évolution de ces structures dépend surtout des propriétés de l'interface isolant/semiconducteur.
Author: Georges Delaunay
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Languages : fr
Pages : 252
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