Nouvelles structures de conversion multi-cellulaires à base des transistors GaN pour la conversion DC-DC

Nouvelles structures de conversion multi-cellulaires à base des transistors GaN pour la conversion DC-DC PDF Author: Farshid Sarrafin ardebili
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Languages : fr
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Book Description
Dans le but de gérer la consommation et ainsi que la production efficace des énergies renouvelables, l'utilisation et augmentation de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie est devenue indispensable. Dans ce contexte, les transistors en nitrure de gallium (GaN HFETs) pour une densité de puissance commutée très importante, offrent des nouvelles possibilités et ils tirent vers le haut la gestion efficace des énergies renouvelables. Toutefois, cette nouvelle possibilité passe par un pilotage efficace des composants et une encapsulation et des interconnexions optimales. Ces travaux de thèse étudient et analyse les avantages et inconvénients d'une nouvelle structure de conversion multi cellulaire et ceux d'un driver spécifique multivoies monolithique et synchronisé pour les composants GaN, appliqué dans ce contexte précis. Ce manuscrit de thèse est composé de quatre chapitres. Après une étude bibliographique, le positionnement du convertisseur DAB (Dual Active Bridge) parmi les autres structures de conversion DC à l'aide d'une nouvelle méthodologie de comparaison (FOM topologique - Figure de Mérite) est présenté dans le premier chapitre. Afin de diminuer les contraintes de conversion d'énergie, une étude est amenée dans le chapitre 2 sur les principaux défis et enjeux d'une solution générique à travers de réalisation d'un réseau de convertisseurs. Le chapitre 3 présente la partie importante d'expérimentation et d'optimisation de la cellule élémentaire à base de convertisseurs DAB des points de vue fonctionnels mais aussi et surtout structurels. L'étude de l'isolation galvanique de la structure de conversion DAB reste l'objectif principal à développer pour démontrer le potentiel de remplacer le transformateur par une isolation capacitive. La conception de la puce de commande dédiée aux nouveaux transistors GaNs, les résultats pratiques des performances sont présentés dans le dernier chapitre. Certaines comparaisons du driver QGD (Quad Gate Driver) avec les autres solutions de transfert d'ordres de commande sont également discutées. La mise en œuvre du circuit de commande dans un convertisseur DAB afin de valider le fonctionnement de QGD est introduite dans les perspectives.