Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase PDF full book. Access full book title Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase by Sébastien Gribaldo. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Sébastien Gribaldo
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 182
Get Book Here
Book Description
Cette thèse présente tout d'abord le travail effectué sur la modélisation non-linéaire et en bruit d'amplificateurs micro-ondes à base de transistors SiGe appliquée à la conception d'oscillateurs à très haute pureté spectrale. Le but de ce travail est principalement de comprendre comment modéliser le bruit dans ces transistors en fonctionnement non-linéaire afin de calculer de façon précise le niveau de bruit de phase des amplificateurs utilisés dans une boucle d'oscillation. Cette modélisation fine nous permet de concevoir un amplificateur en bande X présentant une performance en bruit de phase très intéressante pour une application d'oscillateur. Un autre problème concerne l'application de ces mêmes techniques de caractérisation et de modélisation aux résonateurs FBAR et SMR. Ces résonateurs sont utilisés depuis peu et apportent cependant leur propre contribution de bruit au système, et doivent faire l'objet d'une approche de modélisation non-linéaire et en bruit. Ce manuscrit de thèse présente tout d'abord les différentes techniques de mesure de bruit des composants actifs. Il décrit ensuite des techniques de modélisation de composants en régime non-linéaire et en bruit. La conception et l'optimisation d'un amplificateur à faible bruit de phase est ensuite détaillée. Enfin, les techniques de mesures et de modélisation précédemment décrites sont appliquées aux résonateurs SMR et FBAR afin d'extraire leur contributions en bruit, ainsi qu'un modèle non-linéaire et en bruit de ces composants. Ce travail démontre ainsi la faisabilité d'une modélisation fine du bruit en régime non-linéaire utile pour concevoir et optimiser des sources stables ou ultrastables.
Author: Sébastien Gribaldo
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 182
Get Book Here
Book Description
Cette thèse présente tout d'abord le travail effectué sur la modélisation non-linéaire et en bruit d'amplificateurs micro-ondes à base de transistors SiGe appliquée à la conception d'oscillateurs à très haute pureté spectrale. Le but de ce travail est principalement de comprendre comment modéliser le bruit dans ces transistors en fonctionnement non-linéaire afin de calculer de façon précise le niveau de bruit de phase des amplificateurs utilisés dans une boucle d'oscillation. Cette modélisation fine nous permet de concevoir un amplificateur en bande X présentant une performance en bruit de phase très intéressante pour une application d'oscillateur. Un autre problème concerne l'application de ces mêmes techniques de caractérisation et de modélisation aux résonateurs FBAR et SMR. Ces résonateurs sont utilisés depuis peu et apportent cependant leur propre contribution de bruit au système, et doivent faire l'objet d'une approche de modélisation non-linéaire et en bruit. Ce manuscrit de thèse présente tout d'abord les différentes techniques de mesure de bruit des composants actifs. Il décrit ensuite des techniques de modélisation de composants en régime non-linéaire et en bruit. La conception et l'optimisation d'un amplificateur à faible bruit de phase est ensuite détaillée. Enfin, les techniques de mesures et de modélisation précédemment décrites sont appliquées aux résonateurs SMR et FBAR afin d'extraire leur contributions en bruit, ainsi qu'un modèle non-linéaire et en bruit de ces composants. Ce travail démontre ainsi la faisabilité d'une modélisation fine du bruit en régime non-linéaire utile pour concevoir et optimiser des sources stables ou ultrastables.
Author: Jean-Brice Juraver
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Get Book Here
Book Description
Author: Cédric Chambon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 132
Get Book Here
Book Description
Le travail présenté dans cette thèse est centré sur l'étude du bruit hyperfréquence lorsque les composants et circuits actifs sont soumis à de forts signaux. Ceci peut être le cas des amplificateurs faible bruit utilisés dans les récepteurs large bande qui seront désensibilisés. Les mélangeurs et les oscillateurs sont aussi à considérer. La première partie de cette thèse est consacrée à la présentation d'un modèle comportemental permettant de prévoir notamment l'interaction entre un signal sinusoïdal et un bruit blanc. Le modèle théorique est confronté avec des mesures effectuées pour différentes conditions de fonctionnement et l'accord obtenu est satisfaisant. Plusieurs amplificateurs sont ainsi comparés et le modèle comportemental est utilisé pour étudier leur bruit propre. La seconde partie aborde les techniques de mesure développées au cours de nos travaux pour mesurer le facteur de bruit et les paramètres de bruit de dispositifs micro-ondes en présence d'un fort signal. Nous proposons ensuite une méthode originale permettant de déterminer les quatre paramètres de bruit de transistors et d'amplificateurs fonctionnant en régime non-linéaire. Les résultats obtenus sont comparés de manière indirecte avec des mesures de bruit de phase résiduel. La dernière partie concerne la conception d'amplificateurs faible bruit en régime de fonctionnement non-linéaire. Différents transistors bipolaires sur silicium ont ainsi été caractérisés et un facteur de mérite a été trouvé de manière à choisir le meilleur composant en terme de facteur de bruit et de linéarité. Finalement les résultats de simulation démontrent l'intérêt de concevoir des circuits faible bruit qui fonctionnent en régime fortement non-linéaire.
Author: Beaudouin Tamen
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 217
Get Book Here
Book Description
Un recepteur de telecommunications modernes est compose de circuits non lineaires fondamentaux tels que le melangeur ou l'oscillateur qui alimente ce dernier. Pour la gestion des spectres d'informations vehiculees, des modulations vectorielles de plus en plus complexes sont utilisees, et les specifications en bruit de ces circuits sont de plus en plus contraignantes, tant pour le niveau de bruit de phase des sources micro-ondes utilisees que pour le facteur de bruit du melangeur. Pour repondre a ces exigences, il faut disposer de modeles de bruit precis de composants fonctionnant en regime grand signal, avant de pouvoir proceder a la phase de conception des circuits faible bruit. C'est pour repondre a ces objectifs qu'ont ete developpes les travaux presentes dans cette these de doctorat d'universite. Le premier chapitre de ce memoire traite de la methode generale d'analyse du bruit de composants en regime de fonctionnement grand signal (operant dans un oscillateur ou un melangeur). Le deuxieme chapitre presente l'elaboration d'un modele de bruit pour melangeurs a tecs base sur le formalisme des matrices de conversion et de deux temperatures equivalentes de bruit. Il est montre en particulier que les performances en bruit ultimes de melangeurs a tec chauds sont correlees a celles des composants utilises en amplification faible bruit (regime lineaire). Dans le troisieme chapitre, une conception de melangeurs actifs orientes faible bruit en technologie mmic est presentee. La caracterisation des circuits a permis de valider, par retro-simulation, le modele de bruit pour melangeurs a tecs. Les quatrieme et cinquieme chapitres sont essentiellement devolus a la modelisation du spectre de bruit d'oscillateur micro-onde.
Author: Didier Lazaro
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 235
Get Book Here
Book Description
L'influence de surcharges micro-ondes de fort niveau sur des transistors à effet de champ faible a été étudiée. Un banc de test de caractérisation statique et dynamique du composant avant at après chaque impulsion a été mis au point au CERT/DERMO et a permis de mettre en évidence tois phases de dégradation (temporaire, graduelle et catastrophique) ainsi qu'une phase de guérison apparente. Des différences de comportements sont apparues entre HEMTs et MEFETs inhérentes à la technologie du transistor. L'influence de surcharges micro-ondes permanentes a également été étudiée expérimentalement et théoriquement à l'aide d'une modélisation non linéaire qui décrit le comportement du composant actif jusqu'à des niveaux d'entrée de 500 mW. L'importance de l'environnement électrique du transistor a été mise en évidence par ses effets sur le fonctionnement non linéaire du composant et sur sa puissance critique de dégradation.
Author: AHMED.. BIRAFANE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 220
Get Book Here
Book Description
AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Author: Gilles Cibiel
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 356
Get Book Here
Book Description
La réalisation d'une source hyperfréquence à très haute pureté spectrale, aussi bien près de la porteuse que loin de la porteuse, présente un véritable enjeu. C'est dans cette optique que s'inscrivent les travaux présentés dans ce manuscrit. Dans un oscillateur, les origines des fluctuations de phase sont diverses, cependant le bruit généré par le composant actif utilisé pour l'amplification est souvent majoritaire et constitue le principal problème à résoudre pour améliorer les performances du dispositif. L'étude des amplificateurs microonde dédiés aux applications à faible bruit de phase constitue par conséquent la problématique essentielle de ce manuscrit. Pour effectuer une telle analyse, nous avons fais le choix d'une approche en boucle ouverte pour la caractérisation et pour la simulation. Par conséquent, il est nécessaire de disposer d'une métrologie du bruit de phase appliquée à cette approche et de mettre en oeuvre des moyens pour atteindre de faibles niveaux de plancher de bruit de phase. Un oscillateur à très faible bruit de phase ne peut être obtenu qu'après une sélection minutieuse du transistor ainsi que l'optimisation des conditions d'utilisation de celui-ci. Cela implique, notamment, la connaissance des mécanismes responsables de la génération de bruit de phase du transistor. En effet, outre le bruit basse fréquence converti, le bruit haute fréquence constitue une des causes de ce bruit. Ce dernier est prédominant dans le spectre de bruit de phase loin de la porteuse pour les transistors à faible bruit en 1/f. Or cette zone de bruit de phase est de première importance pour la performance de la plupart des oscillateurs (DRO, VCO, ...). La corrélation entre ce bruit et le bruit de phase a été justifiée à travers une étude expérimentale détaillée comprenant notamment la mesure du facteur de bruit en régime non-linéaire de plusieurs transistors bipolaires. La performance en bruit de phase résiduel ne constitue pas le seul critère pour la réalisation d'un tel oscillateur. En effet, il est nécessaire aussi de considérer la performance en gain du transistor. Afin de tenir compte de ces deux critères, un facteur de sélection a été établi dans ce mémoire.
Author: Christophe Charbonniaud
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 191
Get Book Here
Book Description
L’objectif de cette étude est d’évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l’amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l’aide d’un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement implémentable dans les logiciels de C.A.O. des circuits. Après un passage en revue des différentes technologies disponibles sur le marché pour l’amplification de puissance, les transistors HEMTs grand gap à base de Nitrures de Gallium apparaissent comme des candidats naturels pour ces applications (Figures de mérites de Johnson, ...). Cependant, ces transistors plus que prometteurs ne sont pas exempts de défauts. En effet, plusieurs phénomènes limitatifs inhérents à la technologie GaN, à savoir l’auto-échauffement et les effets des pièges, doivent être pris en compte lors de la conception des circuits micro-ondes. Une étude de ces différents effets limitatifs en terme de puissance est effectuée. Enfin, un modèle non-linéaire électrothermique d’un transistor HEMT 8x125 μm est présenté, et validé à l’aide de deux banc de mesures fonctionnelles (banc Load-Pull et banc LSNA).
Author: Nour-Eddine Radhy
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
Get Book Here
Book Description
Les transistors à effet de champ du type bigrille submicronique en AsGa ont fait l'objet d'une étude expérimentale approfondie destinée à mesurer présisément leurs caractéristiques entre 2 et 18 GHz. Dans ce but, une monture de test à faibles pertes a été mise au point. Une modélisation originale a été proposée et validée afin de représenter de façon simple et précise le fonctionnement du TEC bigrille d'abord en petits signaux puis en régime faiblement non linéaire. Cette étude conduit à la réalisation d'amplificateurs à gain contrôlé, fonctionnant en microondes dont les performances ont pu être prévues au moyen d'une étude théorique sur ordinateur. Enfin, d'autres applications microondes originales ont été envisagées telles que la génération de peignes de fréquences très étendus et le mélange à très large bande.
Author: Alban Laloue
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 227
Get Book Here
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.
